检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2008年第4期28卷 F0003-F0003页

作者：钟世昌陈堂胜任春江焦刚陈辰邵凯杨乃彬单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

作为制造下一代微波功率器件的材料,GaN具有先天的性能优势,可以很好地满足高温、高频以及大功率器件的性能要求,在卫星通信、雷达等领域有着广泛的应用前景,是当前半导体技术最重要的发展前沿之一。经过多年努力,南京电子器件研究所最... 详细信息

作为制造下一代微波功率器件的材料,GaN具有先天的性能优势,可以很好地满足高温、高频以及大功率器件的性能要求,在卫星通信、雷达等领域有着广泛的应用前景,是当前半导体技术最重要的发展前沿之一。经过多年努力,南京电子器件研究所最近研制成功了X波段连续波功率输出119W的GaN功率HEMT,这是国内外关于GaN HEMT在X波段连续波输出超过100W的首次报道。

关键词：微波功率器件 HEMT 连续波 X波段南京电子器件研究所功率输出大功率器件半导体技术

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2～11GHz GaN HEMT功率MMIC

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固体电子学研究与进展 2009年第1期29卷 F0003-F0003页

作者：陈辰张斌陈堂胜焦刚任春江单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其输出功率密度大、工作电压高和输出阻抗高等特点,在微波通信、雷达等领域有着广泛的应用前景,将成为下一代高频固态微波功率器件.

关键词：功率密度 MMIC HEMT GaN 高电子迁移率晶体管南京电子器件研究所微波单片集成电路输出阻抗

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基于3英寸0.25μm工艺的GaN HEMT宽带功率MMIC

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固体电子学研究与进展 2011年第1期31卷 F0003-F0003页

作者：张斌陈堂胜任春江余旭明单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了功率MMIC的设计空间。具体表现在：GaN HEMT可工作于高电压下，同样的输出功率工作电流较小，大大简化了系统电源和电磁兼容设计；高密度的输出功率使得... 详细信息

GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了功率MMIC的设计空间。具体表现在：GaN HEMT可工作于高电压下，同样的输出功率工作电流较小，大大简化了系统电源和电磁兼容设计；高密度的输出功率使得芯片面积和器件的封装得以减小；GaN HEMT更高的输出阻抗，扩展了器件工作带宽；

关键词： HEMT 0.25μm工艺功率密度 MMIC GaN 宽带电磁兼容设计输出阻抗

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S波段20W单片功率PIN限幅器

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固体电子学研究与进展 2009年第3期29卷 F0003-F0003页

作者：彭龙新蒋幼泉黄子乾杨立杰李建平单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

功率GaAs PIN限幅器已广泛地应用于微波系统中,以保护接收支路中的低噪声放大器.

关键词： PIN限幅器耐功率 S波段 PIN二极管单片低噪声放大器 GaAs 非线性模型

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6 bit 1．8 GS／s模数转换器

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固体电子学研究与进展 2009年第2期29卷 F0003-F0003页

作者：张有涛李晓鹏刘奡张敏陈新宇钱峰单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

超高速模数转换器(ADC)是软件无线电、高速数据采集和宽带数字化雷达的关健组成部分.快闪(SLASH)ADC具有最高的转换速度,是设计超高速ADC的最佳选择,但是其功耗、面积都随分辨率指数增长,且对工艺离散敏感,因此需要综合考虑各项指标来... 详细信息

超高速模数转换器(ADC)是软件无线电、高速数据采集和宽带数字化雷达的关健组成部分.快闪(SLASH)ADC具有最高的转换速度,是设计超高速ADC的最佳选择,但是其功耗、面积都随分辨率指数增长,且对工艺离散敏感,因此需要综合考虑各项指标来进行芯片架构优化.

关键词：高速模数转换器 bit GS 高速数据采集软件无线电数字化雷达高速ADC 组成部分

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S波段280W SiC内匹配脉冲功率管

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固体电子学研究与进展 2008年第2期28卷 -页

作者：柏松吴鹏陈刚冯忠李哲洋林川蒋幼泉陈辰邵凯单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

现代雷达和通讯系统要求不断地提高微波功率器件的功率、效率以及带宽.SiCMESFET具有高功率密度、高工作电压等优势,成为目前国际上重点研究的微波功率器件之一.

关键词：内匹配脉冲功率 SiC 波段

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耐250℃高温的1200 V-5 A 4H-SiC JBS二极管

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固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 F0003-F0003页

作者：倪炜江李宇柱李哲洋李赞陈辰陈效建南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

碳化硅(4H-SiC)材料具有宽带隙、高饱和电子漂移速率和高热导率等优良特性,因此SiC电力电子器件在高功率、大电流、高频率、耐高温和抗辐射等方面相对于Si器件性能要优胜得多,被认为在更高功率、更苛刻环境下有取代Si的非常广泛的应用前景.

关键词：耐高温二极管电力电子器件 SiC 优良特性高热导率漂移速率器件性能

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Ka波段Si基微机械宽带垂直过渡

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微纳电子技术 2008年第12期45卷 712-715页

作者：戴新峰郁元卫贾世星朱健於晓峰丁玉宁南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所微纳米研发中心南京210016 南京电子器件研究所毫米波电路部南京210016

介绍了一种适用于三维毫米波集成电路的Si基微机械垂直过渡,该垂直过渡是两层0.1mm厚的共面波导传输线通过0.3mm厚中间层,在中间层采用了同轴结构,该同轴结构通过金属化通孔来实现。这一设计原理简单,结构简洁,便于优化设计,具有很宽的... 详细信息

介绍了一种适用于三维毫米波集成电路的Si基微机械垂直过渡,该垂直过渡是两层0.1mm厚的共面波导传输线通过0.3mm厚中间层,在中间层采用了同轴结构,该同轴结构通过金属化通孔来实现。这一设计原理简单,结构简洁,便于优化设计,具有很宽的带宽和平坦的幅度响应。运用三维电磁场仿真软件对该垂直过渡结构进行了建模,并作了优化设计与仿真计算,运用微机械金属化通孔工艺和多层键合工艺研制了样品。在片测试结果表明该样品性能良好,在26.5～34.0GHz该过渡插入损耗小于3.5dB,带内起伏小于2dB。

关键词： Ka波段 Si基微机械三维集成电路宽带垂直过渡热压键合

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7～13 GHz GaAs单片40W限幅低噪声放大器

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固体电子学研究与进展 2017年第5期37卷 F0003-F0003页

作者：彭龙新王溯源凌志健章军云徐波单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所首次研制出7～13GHz连续波40W大功率限幅器＋低噪声放大器集成单片。根据大功率和低噪声要求，将PIN二极管和低噪声PHEMT两种材料集成在同～GaAs衬底上，

关键词：低噪声放大器 GaAs衬底限幅器单片南京电子器件研究所 PIN二极管 PHEMT 大功率

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硅基射频微系统三维异构集成技术

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固体电子学研究与进展 2019年第3期39卷 F0003-F0003页

作者：郁元卫张洪泽黄旼朱健张斌单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所根据射频组件芯片化的发展趋势,在国内首先提出了硅基射频微系统架构,在203.2mm(8英寸)硅晶圆上,建立起了TSV射频转接板的设计/工艺能力,通过基于TSV射频转接板的三维异构集成先进工艺技术,制备出硅基首款38GHz异构... 详细信息

南京电子器件研究所根据射频组件芯片化的发展趋势,在国内首先提出了硅基射频微系统架构,在203.2mm(8英寸)硅晶圆上,建立起了TSV射频转接板的设计/工艺能力,通过基于TSV射频转接板的三维异构集成先进工艺技术,制备出硅基首款38GHz异构集成收发芯片,研制出4层硅片堆叠集成的X波段硅基变频芯片,形成了1.0版本的射频微系统工艺规则和多用户流程能力。TSV尺寸(30:200)μm,可以支持4层硅片的圆片级堆叠。该工艺架构在DC-40GHz的微波性能已通过了验证。

关键词：射频微系统异构集成

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