检索结果-内蒙古大学图书馆

第11届全国固体薄膜会议

作者：董逊李忠辉李亮任春江焦刚陈辰陈堂胜中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

MOCVD生长了无裂纹Si基GaN及AlGaN/GaN HEMTs外延材料.采用在高温AIN缓冲层上直接生长GaN缓冲层及HEMTs结构,分别研究了工艺条件对GaN晶体质量和HEMT电学性质的影响.制作并分析了200/μm GaN HEMT器件的直流和微波小信号特性。

关键词：外延材料电学性质信号特性缓冲层金属化学气相沉积晶体质量

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5Gb/s GaAs MSM/PHEMT单片集成光接收机前端

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固体电子学研究与进展 2006年第3期26卷 426-426页

作者：焦世龙陈堂胜蒋幼泉冯欧冯忠杨立杰李拂晓陈辰邵凯叶玉堂电子科技大学光电信息学院成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

由光探测器和前置放大器组成的光接收机前端将经过传输通道后发生了衰减和畸变的微弱光信号转变为电压信号并初步放大，是光通信系统的关键环节。相对于混合集成，单片集成将光探测器和前置放大器制作在同一衬底上，二者通过空气桥相连... 详细信息

由光探测器和前置放大器组成的光接收机前端将经过传输通道后发生了衰减和畸变的微弱光信号转变为电压信号并初步放大，是光通信系统的关键环节。相对于混合集成，单片集成将光探测器和前置放大器制作在同一衬底上，二者通过空气桥相连，可以最大程度地减小芯片间互连寄生参数的影响，并提高可靠性、减小体积和降低成本。

关键词：接收机前端单片集成 PHEMT GaAs b/s MSM 前置放大器光探测器

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X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器

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固体电子学研究与进展 2017年第1期37卷 F0003-F0003页

作者：彭龙新李真徐波凌志健李光超彭劲松微波毫米波单片集成和模块电路国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

功率GaAsPIN限幅器已广泛地应用于微波系统中，以保护接收支路中的低噪声放大器。南京电子器件研究所研制出x波段100WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据大功率要求，优化了GaAsPIN二极管的I层厚度和表面结构，建立了大、小信号模型，通过... 详细信息

功率GaAsPIN限幅器已广泛地应用于微波系统中，以保护接收支路中的低噪声放大器。南京电子器件研究所研制出x波段100WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据大功率要求，优化了GaAsPIN二极管的I层厚度和表面结构，建立了大、小信号模型，通过优化设计，

关键词： PIN限幅器大功率单片 X波段南京电子器件研究所低噪声放大器 PIN二极管 GaAs

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碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究

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智能电网 2015年第2期3卷 99-102页

作者：黄润华钮应喜杨霏陶永洪柏松陈刚汪玲刘奥卫能李赟赵志飞单片集成电路和模块国家级重点实验室江苏省南京市210016 国网智能电网研究院北京市昌平区102209 南京电子器件研究所江苏省南京市210016

通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N... 详细信息

通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N型碳化硅外延层上制作金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)电容,并且通过对MOS电容进行C-V测试的方法评估Si O2/Si C界面质量。对导带附近界面陷阱密度进行比较。NO退火的样品与干氧氧化样品相比界面质量明显改善,界面态密度小于5×10~11 cm–2e V–1。

关键词：界面态碳化硅金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)电容可

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高介BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

高介BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：周建军张继华陈堂胜任春江焦刚李忠辉陈辰杨传仁单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京 210016 电子科技大学微电了与同体电子学院成都 610054 电子科技大学微电了与固体电子学院成都 610054

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/AlGaN/GaN MIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试,以及与同样厚度SiN MIS结构对比分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响。... 详细信息

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/AlGaN/GaN MIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试,以及与同样厚度SiN MIS结构对比分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响。使用高介电BST材料作为栅绝缘层可以改善器件的线性特性和跨导特性,提高器件栅的正向工作电压,并有效降低AlGaN/GaN HEMT器件的夹断电压。同时,由于只引入很薄一层高介电材料作为栅绝缘层,器件的高频特性没有硅著降低,BST/AlGaN/GaN MIS HEMT器件的电流增益截止频率达到了23GHz。

关键词： GaN HEMT器件高介BST材料 MIS结构磁控溅射栅绝缘层

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