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作者

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语言

  • 165 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京 210016"
165 条 记 录,以下是51-60 订阅
排序:
耐250℃高温的1200 V-5 A 4H-SiC JBS二极管
收藏 引用
固体电子研究与进展 2010年 第2期30卷 F0003-F0003页
作者: 倪炜江 李宇柱 李哲洋 李赞 陈辰 陈效建 南京电子器件研究所 单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016
碳化硅(4H-SiC)材料具有宽带隙、高饱和电子漂移速率和高热导率等优良特性,因此SiC电力电子器件在高功率、大电流、高频率、耐高温和抗辐射等方面相对于Si器件性能要优胜得多,被认为在更高功率、更苛刻环境下有取代Si的非常广泛的应用前景.
来源: 评论
基于基片集成波导的硅微机械滤波器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2010年 第3期30卷 F0003-F0003页
作者: 郁元卫 贾世星 朱健 单片集成电路和模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
基片集成波导(SIW)结构是在低损耗的基片上利用金属孔构成的波导结构,具有高品质因数、大功率特性和易于集成的优点,是最近微波电路研究的热点技术.滤波器是微波毫米波电路中最常用的器件,使用SIW可以实现高性能滤波器且保持体积小的优点.
来源: 评论
新型砷化镓高隔离开关
新型砷化镓高隔离开关
收藏 引用
2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议
作者: 李晓鹏 王志功 许正荣 张有涛 陈新宇 钱峰 东南大学射频与光电集成电路研究所 南京210096 南京电子器件研究所南京210016 东南大学射频与光电集成电路研究所 南京210096 南京电子器件研究所 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016
基于砷化镓场效应结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术和CMOS电荷泵技术,研制开发的射频开关无需外加隔直电容,具有插损低、隔离度高、承受功率大和线性度高等特点。芯片采用GaAs0.5umPHEMT标准工艺线和CMOS高压标准工艺线加工... 详细信息
来源: 评论
毫米波大动态宽带单片低噪声放大器
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固体电子研究与进展 2009年 第3期29卷 347-351,372页
作者: 彭龙新 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
利用0.25μmGaAsPHEMT低噪声工艺,设计并制造了2种毫米波大动态宽带单片低噪声放大器。第1种为低增益大动态低噪声放大器,单电源+5V工作,测得在26~40GHz范围内,增益G=10±0.5dB,噪声系数NF≤2.2dB,1分贝压缩点输出功率P1dB≥15dBm;... 详细信息
来源: 评论
硅基MEMS渐变式缝隙天线(英文)
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光学精密工程 2009年 第6期17卷 1333-1337页
作者: 侯芳 朱健 郁元卫 陈辰 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 江苏南京210016
为了增加天线带宽,提高天线机械稳定性,改善天线性能,提出并设计制作了一种工作在35GHz的硅基MEMS渐变式缝隙天线。针对渐变式缝隙天线在毫米波频段介电常数高、衬底极薄、易碎、不易制作等问题,利用ICP深刻蚀工艺在衬底上形成了周期性... 详细信息
来源: 评论
GaN HFET的综合设计
收藏 引用
固体电子研究与进展 2009年 第4期29卷 473-479页
作者: 薛舫时 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出了新的复合势垒设计。提出了新的动态电流崩塌模型和二维异质结构概念,把原位Si3N4钝化和复合势垒结合... 详细信息
来源: 评论
GaN HFET沟道中的电子状态转移和非线性研究
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固体电子研究与进展 2009年 第2期29卷 170-174页
作者: 薛舫时 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态,发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层的转移是导致跨导下降、线性变差的主要原因。分别研究了势垒层和沟道结构对波函数渗透和电子态转移的... 详细信息
来源: 评论
MOCVD生长AlGaN/GaN/Si(111)异质结材料
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固体电子研究与进展 2009年 第4期29卷 608-610页
作者: 李忠辉 李亮 董逊 李赟 张岚 许晓军 姜文海 陈辰 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AlGaN/GaN异质结构。通过优化Si衬底的浸润处理时间、AlN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和面... 详细信息
来源: 评论
具有136GHz的0.18m GaAs Metamorphic HEMT器件
收藏 引用
固体电子研究与进展 2009年 第2期29卷 167-169页
作者: 康耀辉 张政 朱赤 高剑锋 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
应用电子束直写技术成功制作了栅长0.18μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件结构,特别是T形栅结构,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的I... 详细信息
来源: 评论
用CF4等离子体处理来剪裁AlGaN/GaN异质结能带
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固体电子研究与进展 2009年 第1期29卷 31-35页
作者: 薛舫时 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF4等离子体处理对AlGaN/GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道电子气耗尽和夹断电压正移的根源。建立了夹断电压移动与异质结构间的关联,为精确的能带剪裁奠定了基础。... 详细信息
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