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作者

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  • 32 篇 柏松
  • 32 篇 陈刚
  • 29 篇 李哲洋
  • 27 篇 薛舫时
  • 24 篇 李忠辉
  • 24 篇 焦刚
  • 21 篇 董逊
  • 19 篇 李拂晓
  • 19 篇 蒋幼泉
  • 16 篇 钟世昌
  • 12 篇 张斌
  • 11 篇 周建军
  • 11 篇 邵凯
  • 10 篇 朱健
  • 10 篇 冯忠
  • 10 篇 叶玉堂
  • 10 篇 焦世龙

语言

  • 165 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京 210016"
165 条 记 录,以下是81-90 订阅
排序:
GaAs微波功率FET的可靠性与功率特性的关系
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固体电子研究与进展 2008年 第3期28卷 377-382页
作者: 陈堂胜 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016
采用射频最大饱和漏电流和射频击穿电压解释了影响GaAs微波功率FET功率特性的主要因素,GaAs FET栅漏间半导体表面负电荷的积累在引起器件电流偏移的同时还导致器件微波功率特性的退化,GaAs微波功率FET的可靠性和功率特性相互关联,高可靠... 详细信息
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AlGaN/GaN异质结构中的极化工程
收藏 引用
固体电子研究与进展 2008年 第3期28卷 334-339页
作者: 薛舫时 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了AlGaN/GaN量子阱电子气密度随Al组份比、势垒层厚度和栅压的变化,比较了能带带阶和极化电荷对沟道阱能带和电子气特性的影响,研究了在势垒层和缓冲层中夹入AlN及InGaN薄层的作用,计算了AlGaN/... 详细信息
来源: 评论
InAlAs/InGaAs/InP HEMT欧姆接触研究
收藏 引用
固体电子研究与进展 2008年 第1期28卷 145-148页
作者: 康耀辉 林罡 李拂晓 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
应用Au/Ge/Ni系金属在InAlAs/InGaAs/InP HEMT上成功制作了良好的合金欧姆接触。采用WN和Ti双扩散阻挡层工艺优化欧姆接触,在样品上获得了最低9.01×10-8Ω.cm2的比接触电阻,对应的欧姆接触电阻为0.029Ω.mm。同时,在模拟后续工艺... 详细信息
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12~15GHz5 W GaAs宽带内匹配功率管及其应用
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固体电子研究与进展 2008年 第3期28卷 360-362,391页
作者: 钟世昌 周焕文 陈堂胜 冯军 单片集成电路及模块电路国家重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 东南大学信息科学与工程学院 南京210096
报道了一种新型的砷化镓宽带高效内匹配功率放大器,它采用集总参数与分布参数相混合的匹配电路形式,取用南京电子器件研究所研制的12 mm功率PHEMT管芯,研制的内匹配功率放大器在12~15 GHz频带内,输出功率大于5 W,功率增益大于6 dB,相... 详细信息
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14W X-Band AlGaN/GaN HEMT Power MMICs
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Journal of Semiconductors 2008年 第6期29卷 1027-1030页
作者: 陈堂胜 张斌 任春江 焦刚 郑维彬 陈辰 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
The development of an AIGaN/GaN HEMT power MMIC on SI-SiC designed in microstrip technology is pres- ented. A recessed-gate and a field-plate are used in the device processing to improve the performance of the AIGaN/G... 详细信息
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SiN钝化前的NF_3等离子体处理对AlGaN/GaN HEMT性能的影响
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Journal of Semiconductors 2008年 第12期29卷 2385-2388页
作者: 任春江 陈堂胜 焦刚 陈刚 薛舫时 陈辰 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
研究了Si N钝化前利用感应耦合等离子体(ICP)对Al GaN/GaN HEMT表面进行NF3等离子体处理对器件性能的影响.结果表明,运用低能量的NF3等离子体处理钝化前的Al GaN/GaN HEMT表面能有效抑制器件电流崩塌,而器件直流及微波小信号特性则未受... 详细信息
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SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的ICP通孔刻蚀
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Journal of Semiconductors 2008年 第12期29卷 2408-2411页
作者: 任春江 陈堂胜 柏松 徐筱乐 焦刚 陈辰 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
利用ICP对研制的SiC衬底上Al GaN/GaN HEMT刻蚀获得了深度为50μm的接地通孔.器件通孔制作前首先用机械研磨的方法将衬底减薄至50μm,在背面蒸发Ti/Ni并电镀Ni至3μm作为刻蚀阻挡层;之后利用SF6/O2混合气体的电感耦合等离子体对SiC衬底... 详细信息
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单片集成GaAsPIN/PHEMT光接收机前端工艺研究
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固体电子研究与进展 2008年 第4期28卷 540-544页
作者: 冯忠 焦世龙 冯欧 杨立杰 蒋幼泉 陈堂胜 陈辰 叶玉堂 南京电子器件研究所 南京210016 电子科技大学光电信息学院 成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结... 详细信息
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SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究
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半导体技术 2008年 第S1期33卷 140-142页
作者: 李忠辉 董逊 任春江 李亮 焦刚 陈辰 陈堂胜 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
利用MOCVD研究了SiC衬底Al GaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×1016/V.s(温)。采用上述材料制作1mm栅宽HEMTs器件,8GHz、45V工作时输出功率密度10.52W/mm,... 详细信息
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高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT
收藏 引用
半导体技术 2008年 第S1期33卷 80-82,90页
作者: 任春江 李忠辉 焦刚 钟世昌 董逊 薛舫时 陈辰 陈堂胜 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了Al GaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的Al GaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×... 详细信息
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