咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 127 篇 期刊文献
  • 38 篇 会议

馆藏范围

  • 165 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 163 篇 工学
    • 146 篇 电子科学与技术(可...
    • 96 篇 材料科学与工程(可...
    • 8 篇 光学工程
    • 6 篇 仪器科学与技术
    • 6 篇 信息与通信工程
    • 3 篇 电气工程
    • 3 篇 核科学与技术
    • 2 篇 机械工程
    • 1 篇 动力工程及工程热...
    • 1 篇 控制科学与工程
    • 1 篇 计算机科学与技术...
    • 1 篇 软件工程
  • 2 篇 理学
    • 2 篇 物理学

主题

  • 20 篇 高电子迁移率晶体...
  • 13 篇 碳化硅
  • 10 篇 宽禁带半导体
  • 10 篇 氮化镓
  • 9 篇 电流崩塌
  • 8 篇 4h碳化硅
  • 8 篇 能带剪裁
  • 8 篇 宽带
  • 7 篇 4h-sic
  • 6 篇 内匹配
  • 6 篇 微波单片集成电路
  • 6 篇 南京电子器件研究...
  • 6 篇 铝镓氮/氮化镓
  • 6 篇 gan
  • 5 篇 场板
  • 5 篇 金属半导体场效应...
  • 5 篇 欧姆接触
  • 5 篇 mmic
  • 5 篇 大功率
  • 5 篇 微波功率器件

机构

  • 68 篇 南京电子器件研究...
  • 28 篇 南京电子器件研究...
  • 27 篇 单片集成电路与模...
  • 18 篇 单片集成电路与模...
  • 15 篇 电子科技大学
  • 15 篇 南京电子器件研究...
  • 9 篇 南京电子器件研究...
  • 9 篇 单片集成电路与模...
  • 8 篇 东南大学
  • 5 篇 单片集成电路及模...
  • 4 篇 南京大学
  • 4 篇 四川大学
  • 3 篇 单片集成电路和模...
  • 3 篇 南京电子器件研究...
  • 3 篇 单片集成电路与模...
  • 3 篇 中国工程物理研究...
  • 2 篇 中国电子科技集团...
  • 2 篇 南京国博电子有限...
  • 2 篇 上海交通大学
  • 2 篇 微波毫米波单片集...

作者

  • 58 篇 陈辰
  • 52 篇 陈堂胜
  • 33 篇 任春江
  • 32 篇 柏松
  • 32 篇 陈刚
  • 29 篇 李哲洋
  • 28 篇 chen chen
  • 27 篇 薛舫时
  • 27 篇 chen tangsheng
  • 24 篇 李忠辉
  • 24 篇 焦刚
  • 21 篇 董逊
  • 19 篇 李拂晓
  • 19 篇 蒋幼泉
  • 17 篇 bai song
  • 16 篇 钟世昌
  • 15 篇 li zheyang
  • 15 篇 chen gang
  • 14 篇 ren chunjiang
  • 13 篇 xue fangshi

语言

  • 165 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京 210016"
165 条 记 录,以下是81-90 订阅
排序:
多种宽带传输结构的研究与分析
收藏 引用
电子与封装 2017年 第7期17卷 43-47页
作者: 赵逸涵 史源 钱兴成 单片集成电路与模块国家重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
针对宽带高频组件的发展趋势,研究了三种不同的适用于宽带高频信号的传输结构。主要介绍了三种传输结构的设计方案,并利用HFSS软件对传输结构进行仿真优化,最后进行了实物分析验证。经过测试,在宽带高频信号下,三种结构均有比较良好的... 详细信息
来源: 评论
GaAs单片二极管双平衡混频器
收藏 引用
电子与封装 2010年 第9期10卷 31-33页
作者: 陈坤 彭龙新 李建平 南京电子器件研究所 南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
采用0.25μm的GaAs工艺制作了一款单片二极管双平衡混频器。基于环形二极管双平衡混频器的基本工作原理,提出了LO巴伦与RF巴伦的区别在,并以Marchand巴伦为LO巴伦,以triformer巴伦作为RF巴伦。在优化了局部电路后,再与环形二极管组成... 详细信息
来源: 评论
GaAs Ti/Pt/Au栅PHEMT单片集成电路耐氢能力的提升
收藏 引用
电子与封装 2019年 第3期19卷 30-34页
作者: 彭龙新 邹雷 王朝旭 林罡 徐波 吴礼群 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
为提高GaAs Au/Pt/Ti栅PHEMT MMIC放大器耐氢气的能力,提出了在PHEMT栅上加厚Si N钝化层的方法,并通过高温加速氢气试验验证了该方法的有效性。耗尽型D管的钝化层由150 nm加厚到300 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间由原来的140... 详细信息
来源: 评论
适用于MMIC的功率合成器设计
收藏 引用
电子与封装 2008年 第10期8卷 10-13页
作者: 成海峰 张斌 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
设计了一种适用于对MMIC功率放大器进行合成的新型功率合成器。采用多端口网络理论对功率合成结构进行分析,结合MMIC功放单片的工作特点总结出该功率合成器最重要的设计指标,设计出工作在5GHz^6GHz的16路辐射线型功率合成器。通过测试... 详细信息
来源: 评论
GaN HFET中的噪声
收藏 引用
中国电子科学研究院学报 2009年 第2期4卷 125-131页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
从GaN异质结沟道阱中电子状态出发研究了HFET中的噪声产生机理。用沟道阱中子带间散射解释了迁移率起伏引起的1/f噪声。从电子状态转移及不同状态间的跃迁出发解释了各类噪声实验结果。建立了沟道阱能带与HFET噪声性能间的关联。运用正... 详细信息
来源: 评论
GaN HFET的沟道夹断特性和强电场下的电流崩塌
收藏 引用
微纳电子技术 2006年 第10期43卷 453-460,469页
作者: 薛舫时 陈堂胜 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,研究了纵、横向电场作用下GaNHFET沟道中的电子态和夹断特性。建立了不同异质结构和电场梯度下的电荷控制模型;运用热电子隧穿电流崩塌模型解释了强场电流崩塌的实验结果;强调了沟道夹断特性对... 详细信息
来源: 评论
微波功率AlGaN/GaN HFET的二维能带和异质结构设计
收藏 引用
中国电子科学研究院学报 2007年 第5期2卷 456-463页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
在综述微波功率AlGaN/GaN HFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质结能带。用极化电荷设计近矩形前势垒能增大高能热电子的隧穿... 详细信息
来源: 评论
高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响
收藏 引用
半导体技术 2008年 第S1期33卷 98-101页
作者: 周建军 张继华 陈堂胜 任春江 焦刚 李忠辉 陈辰 杨传仁 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 电子科技大学微电子与固体电子学院 成都610054
采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/Al GaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度Si N MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对Al GaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响... 详细信息
来源: 评论
GaN HFET的性能退化
收藏 引用
微纳电子技术 2007年 第11期44卷 976-984,1007页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
在综述大功率AlGaN/GaN HFET性能退化实验结果的基础上,研究器件退化与电流崩塌间的关联。分析了现有各类器件失效模型的优点和不足之处。通过沟道中强电场和热电子分布的研究,完善了热电子触发产生缺陷陷阱的器件退化模型。使用这一... 详细信息
来源: 评论
大功率器件及材料的热特性表征技术研究进展
收藏 引用
中国材料进展 2018年 第12期37卷 1017-1023,1047页
作者: 郭怀新 黄语恒 黄宇龙 陶鹏 孔月婵 李忠辉 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室 上海200240
以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体高功率密度的发展受限于自身热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和可靠性的下降。因此,器件的热管理已成为大功率器件研发和应用领域的一个重要研究方向,而器件本身及其材料的热特性表... 详细信息
来源: 评论