检索结果-内蒙古大学图书馆

南京电子器件研究所1994年度科研成果介绍

固体电子学研究与进展 1995年第2期15卷 196-198页

作者：钱鼎荣南京电子器件研究所

南京电子器件研究所１９９４年度科研成果介绍ＮＥＤＩ＇ｓＲｅｓｅａｒｃｈＦｒｕｉｔｓｉｎ１９９４￥／／南京电子器件研究所于１９９５年１月１６日至１７日在南京召开第４３次科研成果鉴定会。对１９９４年度完成的１０２项科研成... 详细信息

南京电子器件研究所１９９４年度科研成果介绍ＮＥＤＩ＇ｓＲｅｓｅａｒｃｈＦｒｕｉｔｓｉｎ１９９４￥／／南京电子器件研究所于１９９５年１月１６日至１７日在南京召开第４３次科研成果鉴定会。对１９９４年度完成的１０２项科研成果进行专家评议、鉴定，并分别通过了...

关键词：南京江苏电子器件研究所微组装工艺科研成果科技成果介质稳频振荡器

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南京电子器件研究所1991年度科研成果介绍(之二)

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固体电子学研究与进展 1992年第1期 87-89页

作者：钱鼎荣王烈强南京电子器件研究所南京电子器件研究所 210016

南京电子器件研究所1991年12月23日在南京召开了科研成果鉴定会。中国电子工业总公司、机电部电科院、南京市有关部门领导以及来自全国各地的有关院校、机电部、航空航天部的厂、所的教授、专家、工程技术人员共150多人对56项科研成果... 详细信息

南京电子器件研究所1991年12月23日在南京召开了科研成果鉴定会。中国电子工业总公司、机电部电科院、南京市有关部门领导以及来自全国各地的有关院校、机电部、航空航天部的厂、所的教授、专家、工程技术人员共150多人对56项科研成果进行了全面、认真的技术审定,并全部一致通过鉴定。这56项成果中,达到80年代中、后期国外同类产品先进水平的有27项;处国内领先地位的35项;填补国内空白的8项;国内先进水平的4项。现将微波半导体的部分成果介绍如下:

关键词：电子器件压控振荡器输出功率固态功率放大器微波放大器功分器混频二极管集总参数元件杂波抑制隔离度频率温度系数雪崩管中国电子工业总公司插损驻波比南京江苏研究所

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南京电子器件研究所1992年度科研成果介绍

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固体电子学研究与进展 1993年第1期 86-90页

作者：钱鼎荣王烈强南京电子器件研究所南京电子器件研究所 210016

南京电子器件研究所于1993年1月5日至6日在南京召开第39次科研成果鉴定会。科工委、中国电子工业总公司领导以及来自全国各地的高等院校、研究所、工厂的同行专家和使用部门专家共60个单位150人参加了会议。提交会议评议鉴定的科研成果... 详细信息

南京电子器件研究所于1993年1月5日至6日在南京召开第39次科研成果鉴定会。科工委、中国电子工业总公司领导以及来自全国各地的高等院校、研究所、工厂的同行专家和使用部门专家共60个单位150人参加了会议。提交会议评议鉴定的科研成果共67项,专家们对这些成果的技术资料进行了认真审查,对成果样品进行了抽样检测,并全部通过鉴定。由中国电子工业总公司基础局批准鉴定的54个项目中有33项产品主要性能达到国外80年代中后期同类产品水平,有23项产品主要性能处于国内领先水平,有22项产品填补国内空白,有27项产品达到专用标准,取得了良好社会和经济效益。现将微波半导体的部分成果介绍如下: *WD64型S波段砷化镓单片可控增益放大器

关键词：电子器件可控增益放大器介质振荡器相位噪声变容管变容二极管压控振荡器驻波比 MESFET 体效应二极管科研成果科技成果南京江苏研究所

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南京电子器件研究所1993年度科研成果介绍

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固体电子学研究与进展 1994年第1期14卷 98-100页

作者：钱鼎荣南京电子器件研究所

南京电子器件研究所１９９３年度科研成果介绍ＮＥＤＩ＇ｓＲｅｓｅａｒｃｈＦｒｕｉｔｓｉｎ１９９３南京电子器件研究所于１９９４年ｌ月８日至１０日在南京召开第４１次科研成果鉴定会。对１９９３年度完成的８７项科研成果进行专家... 详细信息

南京电子器件研究所１９９３年度科研成果介绍ＮＥＤＩ＇ｓＲｅｓｅａｒｃｈＦｒｕｉｔｓｉｎ１９９３南京电子器件研究所于１９９４年ｌ月８日至１０日在南京召开第４１次科研成果鉴定会。对１９９３年度完成的８７项科研成果进行专家评议、鉴定，并分别通过了设计定型和...

关键词：放大器波段电子设备科研成果科技成果研究所南京江苏主要技术指标工作频率体效应二极管隔离度电子器件

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南京电子器件研究所1991年度科研成果介绍(之一)

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固体电子学研究与进展 1991年第2期 177-178页

作者：钱鼎荣王烈强南京电子器件研究所南京电子器件研究所 210016

南京电子器件研究所1991年度第一批科研成果共19项于4月28日通过鉴定.国防科工委、机电部等上级机关领导以及来自全国各地的有关院校、厂、所的教授、专家、工程技术人员共六十多人对成果进行了全面、认真的技术评定,作出了高度评价.现... 详细信息

南京电子器件研究所1991年度第一批科研成果共19项于4月28日通过鉴定.国防科工委、机电部等上级机关领导以及来自全国各地的有关院校、厂、所的教授、专家、工程技术人员共六十多人对成果进行了全面、认真的技术评定,作出了高度评价.现将微波半导体专业的部分成果介绍如下:

关键词：单片集成放大器科研成果科技成果 FET 匹配电路输出功率功率源南京江苏研究所

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南京电子器件研究所1989年度科研成果介绍之二

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固体电子学研究与进展 1990年第3期10卷 339-340页

作者：王烈强钱鼎荣南京电子器件研究所

一九八九年南京电子器件研究所在科研工作中取得了丰硕的成果,已经通过鉴定的项目共41项.其中微波半导体专业34项,光电专业7项.12月19日在南京召开了部分科研成果鉴定会,对18项成果进行了专家评议鉴定.其中半导体专业15项,光电专业3项.... 详细信息

一九八九年南京电子器件研究所在科研工作中取得了丰硕的成果,已经通过鉴定的项目共41项.其中微波半导体专业34项,光电专业7项.12月19日在南京召开了部分科研成果鉴定会,对18项成果进行了专家评议鉴定.其中半导体专业15项,光电专业3项.大部分成果处于国内领先地位,部分达到目前国际先进水平.现将半导体专业的部分鉴定项目介绍如下:

关键词：电子器件半导体器件光电器件

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南京电子器件研究所一九八九年度科研成果介绍

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固体电子学研究与进展 1990年第1期 126-127页

作者：王烈强钱鼎荣南京电子器件研究所

关键词：七专电子器件南京江苏研究所科研成果科技成果负温度系数电调衰减器同类产品

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SiP外壳陶瓷裂纹及开短路异常分析与改进研究

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固体电子学研究与进展 2025年第1期45卷 102-109页

作者：莫仲邵金涛陈骏李傲奇李航韩添南京电子器件研究所南京210016

SiP陶瓷外壳具有高集成度、高可靠性、易拆解便于故障定位等特点,在通信、航空、航天等领域得到了广泛应用,然而,陶瓷体在长期服役过程中可能出现裂纹及开短路异常等可靠性问题。本文从微观角度分析了SiP外壳缺陷的产生原因。利用复合... 详细信息

SiP陶瓷外壳具有高集成度、高可靠性、易拆解便于故障定位等特点,在通信、航空、航天等领域得到了广泛应用,然而,陶瓷体在长期服役过程中可能出现裂纹及开短路异常等可靠性问题。本文从微观角度分析了SiP外壳缺陷的产生原因。利用复合型材料断裂曲线图,结合无损检测和金相、SEM-EDS等分析技术,详细探讨了SiP外壳陶瓷的疲劳强度及开短路失效机制。通过优化结构设计与制造工艺,有效解决了陶瓷裂纹和开短路异常问题。

关键词：陶瓷裂纹开路短路 SiP外壳

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增强型Si基GaN HEMT的p-GaN栅特性改善研究

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固体电子学研究与进展 2025年第1期45卷 16-21页

作者：鲍诚王登贵任春江周建军倪志远章军云南京电子器件研究所南京210016

阈值电压和栅极漏电是评价增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件性能的重要参数。热应力和电应力变化会加剧器件栅极附近的电子隧穿效应,促使热电子与器件缺陷相互作用形成界面态,进而导致栅极漏电增大和阈值电压漂移,长时间工作会引起栅... 详细信息

阈值电压和栅极漏电是评价增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件性能的重要参数。热应力和电应力变化会加剧器件栅极附近的电子隧穿效应,促使热电子与器件缺陷相互作用形成界面态,进而导致栅极漏电增大和阈值电压漂移,长时间工作会引起栅极特性退化,阻碍了GaN电力电子器件的大规模工程化应用。本文基于101.6 mm(4英寸)GaN器件工艺平台研制了一款增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件,引入了双层源场板和源接地孔结构设计,并研究了该结构对器件栅极漏电与阈值电压的影响。引入上述结构的器件低温(-50℃)下阈值电压相比高温(155℃)时变化了0.4 V,200 V漏极电应力测试后器件阈值电压相比测试前变化了0.24 V,漏极电压变化时阈值电压变化量为0.2 V,变化量均低于未引入该结构的器件。此外,栅极电压为5 V时,研制的400μm器件栅极漏电为1.4μA,在热应力与电应力测试后的变化量约0.1μA。测试结果表明研制的增强型p-GaN栅结构GaN HEMT能够在复杂环境下安全工作。

关键词： GaN HEMT p-GaN 阈值电压栅极漏电热应力电应力

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4 GHz~8 GHz宽带高增益250 W GaN功率放大器设计

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微波学报 2025年第1期41卷 6-9页

作者：景少红苏鹏黄锦文徐祖银南京电子器件研究所南京210016

研制了一款基于0.25μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺的4 GHz~8 GHz宽带高增益功率放大器。通过对模型管的S参数和I-V曲线进行测试并进行拟合,最终得到氮化镓管芯的大信号等效电路模型,并利用氮化镓管芯的大信号等效电路模型进行精确的... 详细信息

研制了一款基于0.25μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺的4 GHz~8 GHz宽带高增益功率放大器。通过对模型管的S参数和I-V曲线进行测试并进行拟合,最终得到氮化镓管芯的大信号等效电路模型,并利用氮化镓管芯的大信号等效电路模型进行精确的仿真设计。为实现高增益,该放大器内部设计有两级晶体管。输入匹配和级间匹配电路采用碳化硅集成功率器件工艺制作,减小匹配电路尺寸。输入合成网络和末级输出匹配电路采用低损耗陶瓷片介质加工。放大器采用4个12 mm管芯进行合成后实现250 W的功率输出,每个12 mm管芯由2个1.2 mm管芯推动。最终功率放大器在4 GHz~8 GHz频率范围内,在32 V电压条件下,实测脉冲输出功率大于250 W,功率附加效率大于38%,放大器功率增益大于18 dB。功率放大器尺寸为30.8 mm×27.4 mm×5.0 mm。

关键词：氮化镓宽带高增益大功率

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