检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 1993年第4期13卷 377-377页

作者：钱鼎荣南京电子器件研究所 210016

南京电子器件研究所在研制成功MMIC的基础上,用多芯片微波组装技术,研制成功了四种接收机前端。 (1)C波段前端由单片低噪声放大器、单片混频器及单片前置中频放大器组成。整个前端封装于20mm×25mm×5mm的管壳中构成小型模块... 详细信息

南京电子器件研究所在研制成功MMIC的基础上,用多芯片微波组装技术,研制成功了四种接收机前端。 (1)C波段前端由单片低噪声放大器、单片混频器及单片前置中频放大器组成。整个前端封装于20mm×25mm×5mm的管壳中构成小型模块。信号频率为C波段,中频为40～1000MHz,本振功率5mW,总增益大于30dB,噪声系数典型值3dB,最优值2.5dB。 (2)脉冲接收机前端包括单片开关、单片低噪声放大器、单片混频器三部分,组装于20mm×25mm×5mm管壳中,重量为6克。工作频率为C波段,开关隔离度大于40dB,噪声系数小于8dB。 (3)前置放大器模块该模块组装于9mm×l8mm×4mm微带管壳内,也工作于C波段,含有AGC功放,AGC范围0～18dB,输出功率P_(-1dB)分别为35,150,580mW三种,用户可根据需要组合成功率放大链。 (4)脉冲前置放大器模块模块尺寸与(3)同,C波段性能为P_(-1dB)150,580mW。

关键词：组装模块微波组装技术

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南京电子器件研究所一九八七年度科研成果简介

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固体电子学研究与进展 1988年第1期 101-103页

作者：钱鼎荣王烈强南京电子器件研究所南京电子器件研究所

南京电子器件研究所一九八七年度在微波半导体和光电两个专业领域又取得了一批新成果。共有四十余项分别通过了部(省)、局级和所级鉴定。十二月十六日就微波半导体专业的部分产品召开了定型鉴定会。国防科工委、电子部、南京市等上级... 详细信息

<正> 南京电子器件研究所一九八七年度在微波半导体和光电两个专业领域又取得了一批新成果。共有四十余项分别通过了部(省)、局级和所级鉴定。十二月十六日就微波半导体专业的部分产品召开了定型鉴定会。国防科工委、电子部、南京市等上级机关领导及来自全国各地的有关院校、厂、所的教授、专家、工程技术人员共一百多人对十七项成果进行了全面、认真的技术审定,作出了高度评价。鉴定会开得圆满成功。现将微波专业的部分成果介绍如下: ●WC67型Ku波段砷化镓功率场效应晶体管其主要参数为:在16和工8GHz下1dB增

关键词：成果简介成果介绍场效应晶体管一九定型鉴定工程技术人员噪声系数压缩点低噪声放大器砷化镓

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南京电子器件研究所获国家级奖励的科技成果介绍

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固体电子学研究与进展 1986年第1期 84-87页

作者：王烈强蒋永珍南京电子器件研究所

最近国家科学技术进步奖评审委员会评定出我国第一批1772项国家级科学技术进步奖,南京电子器件研究所(由南京团体器件研究所和南京钟山电子技术研究所合并后的新所名)共获得五项,其中一等奖二项,二等奖三项.获国家级科技进步奖一等奖的... 详细信息

最近国家科学技术进步奖评审委员会评定出我国第一批1772项国家级科学技术进步奖,南京电子器件研究所(由南京团体器件研究所和南京钟山电子技术研究所合并后的新所名)共获得五项,其中一等奖二项,二等奖三项.获国家级科技进步奖一等奖的项目是:毫米波体效应二极管及振荡器系列,低噪声砷化镓场效应晶体管系列(与河北半导体研究所共同获得).获国家级科技进步奖二等奖的项目是:W0061型8千兆赫广播电视接力系统无人值守中继机,SC-25型记录高速瞬态信息硅靶扫描转换管,硅增强靶微光摄象管.在另一项获一等奖的项目卫星通信系统中采用了该所研制的W205型4千兆赫低噪声参量放大器作卫星地面站的前置低噪声放大器.现将这几项科技成果分别简介如下:

关键词：体效应二极管毫米波极高频电子器件最佳值成果介绍研究所江苏南京

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SiP外壳陶瓷裂纹及开短路异常分析与改进研究

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固体电子学研究与进展 2025年第1期45卷 102-109页

作者：莫仲邵金涛陈骏李傲奇李航韩添南京电子器件研究所南京210016

SiP陶瓷外壳具有高集成度、高可靠性、易拆解便于故障定位等特点,在通信、航空、航天等领域得到了广泛应用,然而,陶瓷体在长期服役过程中可能出现裂纹及开短路异常等可靠性问题。本文从微观角度分析了SiP外壳缺陷的产生原因。利用复合... 详细信息

SiP陶瓷外壳具有高集成度、高可靠性、易拆解便于故障定位等特点,在通信、航空、航天等领域得到了广泛应用,然而,陶瓷体在长期服役过程中可能出现裂纹及开短路异常等可靠性问题。本文从微观角度分析了SiP外壳缺陷的产生原因。利用复合型材料断裂曲线图,结合无损检测和金相、SEM-EDS等分析技术,详细探讨了SiP外壳陶瓷的疲劳强度及开短路失效机制。通过优化结构设计与制造工艺,有效解决了陶瓷裂纹和开短路异常问题。

关键词：陶瓷裂纹开路短路 SiP外壳

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增强型Si基GaN HEMT的p-GaN栅特性改善研究

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固体电子学研究与进展 2025年第1期45卷 16-21页

作者：鲍诚王登贵任春江周建军倪志远章军云南京电子器件研究所南京210016

阈值电压和栅极漏电是评价增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件性能的重要参数。热应力和电应力变化会加剧器件栅极附近的电子隧穿效应,促使热电子与器件缺陷相互作用形成界面态,进而导致栅极漏电增大和阈值电压漂移,长时间工作会引起栅... 详细信息

阈值电压和栅极漏电是评价增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件性能的重要参数。热应力和电应力变化会加剧器件栅极附近的电子隧穿效应,促使热电子与器件缺陷相互作用形成界面态,进而导致栅极漏电增大和阈值电压漂移,长时间工作会引起栅极特性退化,阻碍了GaN电力电子器件的大规模工程化应用。本文基于101.6 mm(4英寸)GaN器件工艺平台研制了一款增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件,引入了双层源场板和源接地孔结构设计,并研究了该结构对器件栅极漏电与阈值电压的影响。引入上述结构的器件低温(-50℃)下阈值电压相比高温(155℃)时变化了0.4 V,200 V漏极电应力测试后器件阈值电压相比测试前变化了0.24 V,漏极电压变化时阈值电压变化量为0.2 V,变化量均低于未引入该结构的器件。此外,栅极电压为5 V时,研制的400μm器件栅极漏电为1.4μA,在热应力与电应力测试后的变化量约0.1μA。测试结果表明研制的增强型p-GaN栅结构GaN HEMT能够在复杂环境下安全工作。

关键词： GaN HEMT p-GaN 阈值电压栅极漏电热应力电应力

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4 GHz~8 GHz宽带高增益250 W GaN功率放大器设计

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微波学报 2025年第1期41卷 6-9页

作者：景少红苏鹏黄锦文徐祖银南京电子器件研究所南京210016

研制了一款基于0.25μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺的4 GHz~8 GHz宽带高增益功率放大器。通过对模型管的S参数和I-V曲线进行测试并进行拟合,最终得到氮化镓管芯的大信号等效电路模型,并利用氮化镓管芯的大信号等效电路模型进行精确的... 详细信息

研制了一款基于0.25μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺的4 GHz~8 GHz宽带高增益功率放大器。通过对模型管的S参数和I-V曲线进行测试并进行拟合,最终得到氮化镓管芯的大信号等效电路模型,并利用氮化镓管芯的大信号等效电路模型进行精确的仿真设计。为实现高增益,该放大器内部设计有两级晶体管。输入匹配和级间匹配电路采用碳化硅集成功率器件工艺制作,减小匹配电路尺寸。输入合成网络和末级输出匹配电路采用低损耗陶瓷片介质加工。放大器采用4个12 mm管芯进行合成后实现250 W的功率输出,每个12 mm管芯由2个1.2 mm管芯推动。最终功率放大器在4 GHz~8 GHz频率范围内,在32 V电压条件下,实测脉冲输出功率大于250 W,功率附加效率大于38%,放大器功率增益大于18 dB。功率放大器尺寸为30.8 mm×27.4 mm×5.0 mm。

关键词：氮化镓宽带高增益大功率

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基于3ω法的热导率测试技术研究进展

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工程热物理学报 2025年第4期46卷 1205-1219页

作者：李义壮郭怀新王瑞泽孔月婵陈堂胜固态微波器件与电路全国重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

热导率是反映材料热性能的重要参数,不管是用于散热还是绝热,对材料热导率的准确测试具有重要意义。本文综述一种适应性强、测试便捷、样品制备简单、测试设备成本低的热导率测试方法—3ω法,首先介绍了利用3ω法测试热导率的基本原理;... 详细信息

热导率是反映材料热性能的重要参数,不管是用于散热还是绝热,对材料热导率的准确测试具有重要意义。本文综述一种适应性强、测试便捷、样品制备简单、测试设备成本低的热导率测试方法—3ω法,首先介绍了利用3ω法测试热导率的基本原理;然后给出不同样品测试结构下热传输数学模型的温升解析解,包括半无限大衬底、薄膜结构、多层结构和细线结构样品;介绍了各种改进的3ω法,包括对薄膜热导率各向异性的测试、可以减少无关因素影响的差分3ω法、通过热穿透深度等效的方式利用阻抗模型拟合热导率的方法,同时介绍了3ω测试技术在传感器上的应用;最后,指出3ω法测试过程中可能的误差来源,以及提升测试精度的方法。本文将有助于研究人员进行热导率测试的研究,对3ω法的设计与分析提供指导。

关键词： 3ω法热导率薄膜各向异性

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一种毫米波双面晶圆的自动化三维测试系统

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固体电子学研究与进展 2025年第1期45卷 94-101页

作者：杨进张君直朱健黄旼郁元卫闫樊钰慧王留宝南京电子器件研究所南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室南京210016

近年来,随着摩尔定律逐渐放缓,晶上系统(System on wafer, SoW)技术作为最热门的“超越摩尔”技术路线之一,已经成为先进封装领域的研究热点。基于晶上系统技术,将传统的毫米波收发前端阵列组件进行三维重构集成,可实现全新的轻薄化毫... 详细信息

近年来,随着摩尔定律逐渐放缓,晶上系统(System on wafer, SoW)技术作为最热门的“超越摩尔”技术路线之一,已经成为先进封装领域的研究热点。基于晶上系统技术,将传统的毫米波收发前端阵列组件进行三维重构集成,可实现全新的轻薄化毫米波晶上阵列,具有“三免”(免连接器、免电缆、免管壳封装)的颠覆性结构。本文针对毫米波晶上阵列的自动化测试需求,创新性提出一种毫米波双面晶圆测试方法,突破了多尺寸双面晶圆可靠固定、双面探针精确对准和自动切换以及扎针强度精确控制和实时调节等关键技术,在此基础上研制出毫米波双面晶圆自动测试平台,解决了毫米波收发前端晶上阵列三维测试的难点,对毫米波晶上系统的测试具有重大参考价值。

关键词：毫米波双面晶圆自动化测试三维测试测试系统

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碳纳米管射频晶体管及放大器电路研究

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固体电子学研究与进展 2025年第1期45卷 22-27页

作者：赵亮杨扬霍帅张勇陆辉汪珍胜钟世昌唐世军孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所南京210016 中国电科碳基电子重点实验室南京210016

基于射频电子器件级碳纳米管阵列材料,研制出具备高增益、高线性特性的射频场效应晶体管,并对其进行了S参数提取、等效电路建模及匹配电路设计,实现了单级碳纳米管射频放大器电路。该电路在9 GHz点频增益达10.9 dB,增益1 dB压缩点处三... 详细信息

基于射频电子器件级碳纳米管阵列材料,研制出具备高增益、高线性特性的射频场效应晶体管,并对其进行了S参数提取、等效电路建模及匹配电路设计,实现了单级碳纳米管射频放大器电路。该电路在9 GHz点频增益达10.9 dB,增益1 dB压缩点处三阶交调优于-35 dBc。本文首次报道了X波段碳纳米管射频放大器电路,可为碳纳米管射频电子技术的发展提供技术参考。

关键词：碳纳米管射频放大器

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基于氮化镓0.1µm工艺的W波段宽带低噪声放大器芯片

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空间电子技术 2025年第1期22卷 103-108页

作者：陈岩王维波王光年陈忠飞祁路伟杨帆张亦斌吴少兵南京电子器件研究所南京210016

文章针对高速宽带无线通信系统、仪器仪表、汽车雷达、安检成像等领域对低噪声放大器的低噪声、高增益、大动态范围和高可靠性需求,研发了一款基于0.1µm氮化镓(GaN)低压工艺的宽带低噪声放大器芯片,可在W波段75GHz~110GHz全频带内... 详细信息

文章针对高速宽带无线通信系统、仪器仪表、汽车雷达、安检成像等领域对低噪声放大器的低噪声、高增益、大动态范围和高可靠性需求,研发了一款基于0.1µm氮化镓(GaN)低压工艺的宽带低噪声放大器芯片,可在W波段75GHz~110GHz全频带内工作。通过链路分析结合管芯线性模型、非线性模型和噪声模型设计的低噪声放大器采用1∶1∶1∶2的级联推动比。通过电磁软件仿真,在确保较低功耗的同时,提高线性增益,并实现噪声系数和1 dB压缩点输出功率的良好匹配。对所设计的W波段低噪声放大器芯片进行在片测试和装盒测试,在漏极电压+5 V,栅极电压-0.7 V的测试条件下,静态工作电流为50 mA。实测结果表明,在75 GHz~110 GHz,小信号增益为21dB,噪声系数3.5dB。芯片的尺寸为2.3mm×1.5mm×0.05mm。所研制的W波段低噪声放大器芯片在保持优异噪声性能的同时实现了宽带高增益,为新一代毫米波通信系统及高端仪器仪表提供了关键器件支撑。

关键词： W波段宽带 0.1μm氮化镓低噪声放大器

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