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- 1 篇 教育学

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18 篇 衬底温度
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17 篇 微晶硅薄膜
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12 篇 硅基
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12 篇 vhf-pecvd
12 篇 磁控溅射
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9 篇 电学特性
9 篇 陷光结构
9 篇 mocvd

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6 篇 南开大学光电子薄...
4 篇 天津大学
3 篇 南开大学光电子薄...
3 篇 仪器科学与动态测...
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3 篇 天津化学化工协同...
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2 篇 天津工业大学
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2 篇 香港科技大学
2 篇 浙江大学
1 篇 暨南大学

作者

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239 篇 张晓丹
159 篇 耿新华
144 篇 魏长春
132 篇 孙建
101 篇 张德坤
85 篇 陈新亮
65 篇 熊绍珍
65 篇 侯国付
56 篇 薛俊明
47 篇 张建军
43 篇 黄茜
39 篇 倪牮
30 篇 许盛之
29 篇 任慧志
27 篇 白立沙
25 篇 刘伯飞
22 篇 韩晓艳
20 篇 高艳涛
20 篇 朱锋

语言

391 篇 中文

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柔性不锈钢电沉积Cu-In-Ga金属预置层后硒化

柔性不锈钢电沉积Cu-In-Ga金属预置层后硒化

引用

第13届中国光伏大会

作者：毕金莲敖建平张超姚立勇孙国忠周志强何青孙云南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津3000711

以柔性不锈钢材料为衬底,在室温下用电沉积的方法从酸性水溶液中,利用恒电流沉积制备Cu/In/Ga叠层预制层,研究了预制层固态Se源硒化制备CIGS薄膜,主要讨论了衬底粗糙度对Mo背电极及CIGS薄膜的影响.分别利用XRD、XRF和SEM表征薄膜的晶向... 详细信息

以柔性不锈钢材料为衬底,在室温下用电沉积的方法从酸性水溶液中,利用恒电流沉积制备Cu/In/Ga叠层预制层,研究了预制层固态Se源硒化制备CIGS薄膜,主要讨论了衬底粗糙度对Mo背电极及CIGS薄膜的影响.分别利用XRD、XRF和SEM表征薄膜的晶向、组分和形貌.XRD测试发现,存在CIS和CGS两相分离,即Ga聚集在背电极处,扩散不均匀.从SEM图中观察到,薄膜底部晶粒尺寸比表面小,表明其底部为富Ga相,与XRD测试结果一致.在此基础上制备的CIGS薄膜太阳电池的转换效率达到5.5％.

关键词：铜铟镓硒薄膜电沉积工艺硒化技术不锈钢材料

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基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计

基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计

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第13届中国光伏大会

作者：刘伯飞张晓丹白立沙张德坤魏长春孙建黄茜陈新亮王广才赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究.通过优化溅射后腐蚀ZnO:Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,有效提升了非晶硅锗电池的长波响应.针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充... 详细信息

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究.通过优化溅射后腐蚀ZnO:Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,有效提升了非晶硅锗电池的长波响应.针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充因子差的问题,通过对非晶硅锗本征层设计合适的梯度带隙,有效改善了本征层空穴输运特性,电池填充因子显著提高.在优化的光电结构设计基础上,单结非晶硅锗电池转换效率达9.07％,而与之对应的a-Si:H/a-SiGe:H双叠电池效率则达到12.03％.

关键词：非晶硅锗薄膜太阳电池光电结构优化设计光电性能

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电沉积Cu/Sn/Zn金属预制层后硒化制备CZTSe薄膜太阳电池

电沉积Cu/Sn/Zn金属预制层后硒化制备CZTSe薄膜太阳电池

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第13届中国光伏大会

作者：姚立勇敖建平毕金莲张超孙国忠周志强何青孙云南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

重点研究电沉积Cu/Sn/Zn金属预制层后硒化制备CZTSe薄膜太阳电池.以酸性水溶液为电解液,在Glass/Mo衬底上分层顺序电沉积Cu、Sn、Zn金属预制层,通过XRD测试确定其物相为Cu、Sn、Zn金属单质.通过惰性气体环境合金化处理,预制层中Cu单质... 详细信息

重点研究电沉积Cu/Sn/Zn金属预制层后硒化制备CZTSe薄膜太阳电池.以酸性水溶液为电解液,在Glass/Mo衬底上分层顺序电沉积Cu、Sn、Zn金属预制层,通过XRD测试确定其物相为Cu、Sn、Zn金属单质.通过惰性气体环境合金化处理,预制层中Cu单质与Sn、Zn生成相应的合金相CuSn、Cu11Sn39、Cu52n8,Cu在整个预制层中的分布更加均匀.对合金化后的金属预制层进行两步硒化,得到较好的器件级的CZTSe薄膜,通过XRD和拉曼测试,确定其主要为结晶良好的CZTSe,含有少量的ZnSe.将CZTSe薄膜制备成电池,转换效率达到2.98％.

关键词：薄膜太阳电池电沉积工艺硒化技术理化性质

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非晶硅锗单结电池本征层指数型带隙梯度设计以及其对电池性能的影响

非晶硅锗单结电池本征层指数型带隙梯度设计以及其对电池性能的影...

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第13届中国光伏大会

作者：刘伯飞白立沙赵慧旭魏长春孙建张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津3000711

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于三叠层中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究.针对本征层锗含量提高造成其缺陷密度增大,电池的开路电压和填充因子随之下降的问题,通过对吸收层带隙梯度进行优化设计来改... 详细信息

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于三叠层中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究.针对本征层锗含量提高造成其缺陷密度增大,电池的开路电压和填充因子随之下降的问题,通过对吸收层带隙梯度进行优化设计来改善限制载流子输运特性.

关键词：非晶硅锗薄膜太阳电池带隙梯度优化设计电学性能

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衬底温度和溅射类型对Ag/ZnO背电极性能的影响

衬底温度和溅射类型对Ag/ZnO背电极性能的影响

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第13届中国光伏大会

作者：赵静侯国付索松魏长春张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光学信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

采用磁控溅射设备溅射Ag/Zn0背电极,背电极的金属层的表面粗糙度,散射和Haze随着衬底温度的增大呈现增大的趋势.改变磁控溅射类型,得出在射频磁控溅射下比在直流磁控溅射下得到的金属层在长波段的表面粗糙度,散射和Haze有所增大.选用射... 详细信息

采用磁控溅射设备溅射Ag/Zn0背电极,背电极的金属层的表面粗糙度,散射和Haze随着衬底温度的增大呈现增大的趋势.改变磁控溅射类型,得出在射频磁控溅射下比在直流磁控溅射下得到的金属层在长波段的表面粗糙度,散射和Haze有所增大.选用射频磁控溅射在250℃的衬底上溅射Ag/Zn0背电极,将优化的的背电极应用到nip电池中,得到在a-SiGe/a-Si双结叠层电池中效率达到9.45％,其中Jsc=9.37mA/cm2,FF=O.616,Voc=1.637V.

关键词：硅基薄膜太阳电池金属银氧化锌背电极磁控溅射工艺温度效应物理性能

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利用直流控射方法制备具有高迁移率、高红外透过的ZnO:H薄膜

利用直流控射方法制备具有高迁移率、高红外透过的ZnO:H薄膜

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第13届中国光伏大会

作者：梁俊辉陈泽梁雪娇赵颖张晓丹黄茜张德坤孙建魏长春王延峰田淙升刘杰铭南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光学信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

对于传统的AZO、GZO来说要想实现其高电导就必须提高掺杂浓度来提高载流子浓度,然而过高的载流子浓度对红外光的吸收异常严重.本文通过引入氢气作为掺杂源,利用磁控溅射方法生长ZnO:H薄膜,在维持电学性能不变的前提下降低载流子浓度提... 详细信息

对于传统的AZO、GZO来说要想实现其高电导就必须提高掺杂浓度来提高载流子浓度,然而过高的载流子浓度对红外光的吸收异常严重.本文通过引入氢气作为掺杂源,利用磁控溅射方法生长ZnO:H薄膜,在维持电学性能不变的前提下降低载流子浓度提高迁移率,减少对近红外光的吸收,以此来权衡光学与电学特性,实现让更多的光尤其是红外光透过并进入吸收层来提升电池效率.

关键词：掺氢氧化锌薄膜直流控射工艺电学性能数值分析

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基于“类金字塔”绒面构建的复合背反射电极

基于“类金字塔”绒面构建的复合背反射电极

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第13届中国光伏大会

作者：陈泽魏长春赵颖张晓丹孙建张德坤赵慧旭陈新亮梁俊辉梁雪娇黄茜南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光学信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

绒面背反射电极的陷光作用对提高NIP型硅基薄膜太阳电池的光电转换效率至关重要.本文研究了一种新型的绒面复合背反射电极,首先采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在玻璃衬底上沉积一层“类金字塔”形貌的绒面Zn0薄膜,然后通过... 详细信息

绒面背反射电极的陷光作用对提高NIP型硅基薄膜太阳电池的光电转换效率至关重要.本文研究了一种新型的绒面复合背反射电极,首先采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在玻璃衬底上沉积一层“类金字塔”形貌的绒面Zn0薄膜,然后通过热蒸发技术在其表面覆盖不同厚度的Ag,最后溅射厚度约100nm的ZnO:Al介质薄膜.通过改变实验条件,得到不同表面粗糙度(RMS)(约30nm～150nm)的复合背反射电极.实验获得的复合背反射电极在600nm～11OOnm波长范围内对光的反射率大于88％,300nm～11OOnm波长范围内的反射绒度(Haze)大于90％.结果表明,这种基于“类金字塔”绒面结构构建的MOCVD-ZnO/Ag/ZnO:Al复合背反射电极,能够有效地增强对反射光的散射,有望提高薄膜太阳电池的短路电流密度(Jsc).

关键词：硅基薄膜太阳电池复合背反射电极金属有机化合物化学气相沉积工艺光电性能

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用于硅基薄膜太阳电池的禁带可调式光子晶体背反射器

用于硅基薄膜太阳电池的禁带可调式光子晶体背反射器

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第13届中国光伏大会

作者：陈培专赵颖侯国付张建军倪牮索松马骏张德坤耿新华张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光学信息技术科学教育部重点实验室天津300071

研究并制备一种与硅基薄膜太阳电池工艺兼容的禁带可调式光子晶体背反射器,由a-Si和SiOx膜周期性交叠构成.通过调整周期厚度,可在500-750nm、650-1100nm、700-1200nm波段分别取得95％、99％、99.5％的平均反射率,分别适合于用作单结非... 详细信息

研究并制备一种与硅基薄膜太阳电池工艺兼容的禁带可调式光子晶体背反射器,由a-Si和SiOx膜周期性交叠构成.通过调整周期厚度,可在500-750nm、650-1100nm、700-1200nm波段分别取得95％、99％、99.5％的平均反射率,分别适合于用作单结非晶硅薄膜太阳电池、双结和三结硅基薄膜叠层太阳电池的背反射器.采用光子晶体作为硅基薄膜太阳电池背反射器,克服了采用Ag背反射器成本高,采用其他金属背反射器反射率不够的问题,保证高效率的同时降低原材料成本.同时有助于克服采用金属背反射器引入的金属元素易扩散至吸收层、金属半导体界面存在等离子激元共振吸收、沉积金属层时易产生孔洞导致漏电流增加等问题,提高电池开路电压,提升电池稳定性.

关键词：硅基薄膜太阳电池禁带可调式光子晶体背反射器制备工艺产品质量

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湿法腐蚀法制备高绒度、高反射复合背电极

湿法腐蚀法制备高绒度、高反射复合背电极

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第13届中国光伏大会

作者：索松侯国付赵静魏长春张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光学信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

本文研究了一种用于nip型硅基薄膜太阳电池的高绒度、高反射的复合背电极结构.首先采用溅射ZnO薄膜,采用稀盐酸湿法腐蚀获得大尺寸的绒面结构;然后溅射小尺寸绒面结构的Ag;最后溅射ZnO介质薄膜.这样形成的ZnO/Ag/ZnO背电极在大尺寸绒面... 详细信息

本文研究了一种用于nip型硅基薄膜太阳电池的高绒度、高反射的复合背电极结构.首先采用溅射ZnO薄膜,采用稀盐酸湿法腐蚀获得大尺寸的绒面结构;然后溅射小尺寸绒面结构的Ag;最后溅射ZnO介质薄膜.这样形成的ZnO/Ag/ZnO背电极在大尺寸绒面结构的ZnO中包络着小尺寸绒面结构的Ag,由于后面的ZnO介质薄膜厚度较薄,最后的背电极表面自然复制了这种大小相间隔的绒面结构,能够实现良好的陷光作用,同时抑制背电极与硅薄膜接触面的空洞形成.对于ZnO/Ag/ZnO结构的复合背电极,目前实验获得的背电极在波长500nm～1200nm范围内的总反射大于90％,350nm-1200nm范围内的反射绒度大于90％.

关键词：硅基薄膜太阳电池复合背电极湿法腐蚀工艺光学性能

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效率达13%的a-Si/a-SiGe/μc-Si三结叠层电池的研究

效率达13%的a-Si/a-SiGe/μc-Si三结叠层电池的研究

引用

第13届中国光伏大会

作者：侯国付陈新亮张晓丹赵颖赵静白丽莎马骏杜建倪牮刘伯飞索松魏长春南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光学信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

为了获得高效率的a-Si/a-SiGe/μc-Si三结叠层电池,本文分别对背反射电极、高开路电压a-Si顶电池、高效率a-SiGe中间电池以及μc-Si底电池进行了研究.首先采用溅射绒面金属Ag和平面Zn0的方法获得了高反射和较高绒度的Ag/ZnO复合背电极,... 详细信息

为了获得高效率的a-Si/a-SiGe/μc-Si三结叠层电池,本文分别对背反射电极、高开路电压a-Si顶电池、高效率a-SiGe中间电池以及μc-Si底电池进行了研究.首先采用溅射绒面金属Ag和平面Zn0的方法获得了高反射和较高绒度的Ag/ZnO复合背电极,RMS为40nm,400～1200nm范围内的总反射大于85％,800nm出的反射绒度达50％.为了提高a-Si顶电池的开路电压,提出了一种功率梯度法来制备p-nc-Si:H窗口层,有效提高了电池的填充因子和开路电压,最高的开路电压达到0.995V.对于a-SiGe中间电池,重点研究了本征层的GeH4流量梯度、n/i和i/p缓冲层对太阳电池长波段光谱响应和填充因子的影响,目前得到的在最高转换效率达9.75％.在上述单结子电池的基础上,通过调整电流匹配和隧穿结,a-Si/a-SiGe叠层电池效率达到12.06％,a-Si/a-SiGe/μc-Si三结叠层电池效率达13.O9％.

关键词：三结叠层电池制备工艺电学性能产品质量

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