检索结果-内蒙古大学图书馆

薄膜太阳电池系列讲座(19) 硅基薄膜太阳电池(十一)

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太阳能 2012年第23期 21-23,20页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

热动力学损失：光照产生的光生非平衡载流子，即使电子和空穴回到其能带底或顶的稳定位置，但系统仍处于非平衡态，系统将通过载流子的产生、输运、复合才达到动态平衡。

关键词：薄膜太阳电池非平衡载流子硅基热动力学非平衡态系统

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硅基薄膜太阳电池(三)

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太阳能 2012年第7期 8-10页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

4 非晶硅中氢(H)的作用(1)钝化悬挂键实际上早期采用蒸发方法制备的非晶硅材料并不含有氢(H),所以写成a-Si.缺陷态密度很高,很难制备出性能优良的器件.自从1969年Chitick等人发明了用辉光放电法(GD)制备氢化非晶硅(a-Si:H)[15],以非晶... 详细信息

4 非晶硅中氢(H)的作用(1)钝化悬挂键实际上早期采用蒸发方法制备的非晶硅材料并不含有氢(H),所以写成a-Si.缺陷态密度很高,很难制备出性能优良的器件.自从1969年Chitick等人发明了用辉光放电法(GD)制备氢化非晶硅(a-Si:H)[15],以非晶硅作有源层的器件才成为可能.硅烷的辉光放电是硅烷(SiH4)在一定氢气(H2)稀释下通过射频(RF)激发产生等离子体的辉光放电,将硅烷分解制备成非晶硅.它有以下最简单的反应表达式:

关键词：氢化非晶硅辉光放电法法制备硅烷缺陷态密度器件等离子体有源层悬挂键硅材料表达式蒸发性能稀释射频氢气激发分解反应发明

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硅基薄膜太阳电池(十一)

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太阳能 2012年第23期 21-23，20页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

热动力学损失:光照产生的光生非平衡载流子,即使电子和空穴回到其能带底或顶的稳定位置,但系统仍处于非平衡态,系统将通过载流子的产生、输运、复合才达到动态平衡.此时的状态使用电子或空穴的最大化学势μe和μh来描述.最大化学势可在... 详细信息

热动力学损失:光照产生的光生非平衡载流子,即使电子和空穴回到其能带底或顶的稳定位置,但系统仍处于非平衡态,系统将通过载流子的产生、输运、复合才达到动态平衡.此时的状态使用电子或空穴的最大化学势μe和μh来描述.最大化学势可在开态下得到,即(μe+μh)oc=eVoc,它与电子空穴对的自由能之比即为热动力学损失,记作:ηthermodynamic=eVoc/<εe+εh>.能量传递损失:系统处于开路或短路对外并不做功,只能算是能量储存器.电池对外做功的最大输出与其极端状态(开路电压与短路电流)下所做最大功(Voc×Isc)的比值,即为其对外输出能量的传递损失FF=JmpVmp/JscVoc.

关键词：热动力学传递损失载流子系统输出能量空穴对化学势非平衡电子极端状态开路电压对外做功短路电流动态平衡自由能平衡态储存器位置输运描述

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薄膜太阳电池系列讲座(10) 硅基薄膜太阳电池(二)

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太阳能 2012年第5期 13-16页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

2掺杂问题掺杂是决定材料和器件电学性能的关键之一，希望材料的电导特性能够有序调制，即能够按照需要调节导电类型及其电导率，以满足器件性能要求。在晶体硅器件中，它的基本材料是事先预定的，随后掺杂形成的P-n结，也有成熟的工艺... 详细信息

2掺杂问题掺杂是决定材料和器件电学性能的关键之一，希望材料的电导特性能够有序调制，即能够按照需要调节导电类型及其电导率，以满足器件性能要求。在晶体硅器件中，它的基本材料是事先预定的，随后掺杂形成的P-n结，也有成熟的工艺予以调制，因此器件的重复性可得到保证。但在薄膜硅基器件中，器件的形成伴随着材料的生长同步完成。

关键词：薄膜太阳电池硅基电学性能硅器件导电类型性能要求 P-n结电导率

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薄膜太阳电池系列讲座(13) 硅基薄膜太阳电池(五)

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太阳能 2012年第11期 11-14页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

上述光诱导的衰退经过150℃、几个小时或250℃、几分钟的热退火处理，对新产生的悬挂键进行钝化后，又会回到其起始值。退火后的状态称为“退火（annealing）”态。退火态类似于刚沉积的材料，即未经受“光诱导蜕化”前所处的状态。

关键词：薄膜太阳电池热退火处理硅基光诱导悬挂键起始值退火态状态

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薄膜太阳电池系列讲座(16) 硅基薄膜太阳电池(八)

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太阳能 2012年第17期 20-21页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

调制材料的光电性能对于吸收层更为重要。CO2浓度比与缺陷态密度及带隙宽度的关系见图38a^[35]。带隙宽度最大可达到2．02eV，而缺陷态从10^16cm^-3增加到2．5×10^17cm^-3左右，增加了一个多数量级（缺陷态的测量通过CPM测量得到... 详细信息

调制材料的光电性能对于吸收层更为重要。CO2浓度比与缺陷态密度及带隙宽度的关系见图38a^[35]。带隙宽度最大可达到2．02eV，而缺陷态从10^16cm^-3增加到2．5×10^17cm^-3左右，增加了一个多数量级（缺陷态的测量通过CPM测量得到）。可见，

关键词：薄膜太阳电池硅基带隙宽度缺陷态光电性能吸收层态密度浓度比

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VHF VHF-PECVD 技术制备平米级非晶硅硅/非晶硅锗锗/微晶硅电池的研究

VHF VHF-PECVD 技术制备平米级非晶硅硅/非晶硅锗锗/微晶硅电池的...

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：任慧志赵颖许盛之王宗畔张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

本文报道了对于生产线上基于单室多片技术制备的a-Si/a-SiGe 电池作为三结电池的顶电池和中间电池,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积μc-Si 底电池,制备出大面积a-Si/a-SiGe/μc-Si 三结电池组件.研究了对a-Si/a-... 详细信息

本文报道了对于生产线上基于单室多片技术制备的a-Si/a-SiGe 电池作为三结电池的顶电池和中间电池,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积μc-Si 底电池,制备出大面积a-Si/a-SiGe/μc-Si 三结电池组件.研究了对a-Si/a-SiGe/μc-Si 中a-SiGe 电池的n 层H 离子处理、加入n 型微晶硅薄膜材料的方法改善叠层电池的np 隧穿结;采用沉积过程中氢稀释率梯度调制技术提高微晶硅电池本征层的微结构均匀性.通过优化上述实验参数,获得初始功率71W,转换效率9.5％,面积为0.79m2的a-Si/a-SiGe/μc-Si 三结电池组件.

关键词： VHF-PECVD 非晶硅锗电池微晶硅电池

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梯度掺杂技术生长绒面结构ZnO-TCO 薄膜及其特性研究

梯度掺杂技术生长绒面结构ZnO-TCO 薄膜及其特性研究

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：陈新亮闫聪博耿新华杨旭张德坤魏长春赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所& 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室& 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

研究适合高效率率宽谱域太阳电池用透明导电氧化物(TCO)薄膜材料是当前光伏领域的研究热点及重点.MOCVD 技术是一种生长太阳电池用绒面结构ZnO-TCO 薄膜的主流技术,绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性,从而降低生产成本.实验中... 详细信息

研究适合高效率率宽谱域太阳电池用透明导电氧化物(TCO)薄膜材料是当前光伏领域的研究热点及重点.MOCVD 技术是一种生长太阳电池用绒面结构ZnO-TCO 薄膜的主流技术,绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性,从而降低生产成本.实验中源材料采用二乙基锌(DEZn)和水(H2O),而掺杂剂硼烷(B2H6)气体.MOCVD 制备绒面ZnO-TCO 薄膜过程中提出一种梯度B 掺杂生长技术,即通过逐渐改变B2H6 的掺杂量改善ZnO 薄膜的在可见光及近红外区域(~380-1500nm)的光学透过特性,并维持较好的电学性能.此外,梯度掺杂技术可以调整ZnO 薄膜的晶粒特征,改善薄膜的光散射特性.通过优化薄膜生长过程,在掺杂量为(0+3.0)sccm 时获得薄膜综合性能相对较好的ZnO:B 薄膜,此时薄膜的方块电阻为~11.9Ω,晶粒尺寸为~500 nm,可见光透过率>85％,近红外区域透过率>80％.此种新型梯度掺杂技术具有良好的工艺兼容性,可适用于于产业化推广应用.

关键词： MOCVD ZnO-TCO 薄膜绒面结构梯度掺杂技术薄膜太阳电池

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磁控溅射技术生长绒面结构氢化Ga 掺杂ZnO-TCO 薄膜及其特性研究+

磁控溅射技术生长绒面结构氢化Ga 掺杂ZnO-TCO 薄膜及其特性研究+

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：陈新亮王斐耿新华张翅张德坤魏长春黄茜赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所& 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室& 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

磁控溅射技术是一种生长太阳电池用绒面结构ZnO-TCO 薄膜的主流技术.绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性,从而降低生产成本.实验中溅射靶材为陶瓷靶ZnO:Ga2O3,工作气体采用Ar 和H2 气体,利用磁控溅射技术直接生长获得了太阳电池... 详细信息

磁控溅射技术是一种生长太阳电池用绒面结构ZnO-TCO 薄膜的主流技术.绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性,从而降低生产成本.实验中溅射靶材为陶瓷靶ZnO:Ga2O3,工作气体采用Ar 和H2 气体,利用磁控溅射技术直接生长获得了太阳电池用绒面结构氢化Ga 掺杂ZnO 薄膜,并研究了其微观结构和光电性能.具体内容：1)通过调节沉积参数,生长获得了绒面结构HGZO 薄膜,薄膜表面呈现“弹坑状”形貌,方块电阻~4.0-7.0.,可见光及近红外区域透过率~85％.2)为了进一步提高薄膜光散射能力和光学透过率,根据不同H2 流量下HGZO 薄膜性能的优点,提出了梯度H2 技术生长HGZO 薄膜;采用梯度H2 工艺生长获得的HGZO 薄膜长波区域透过率有了一定的提高,薄膜具有弹坑状表面形貌,并且其光散射能力有了明显提高.3)采用缓冲层技术生长绒面结构HGZO 薄膜,生长获得的IWO/HGZO 薄膜方块电阻为~3.6.,可见光及近红外区域透过率(400-1100nm)为82.18％,薄膜绒度(550nm 波长处)为18.37％.

关键词：磁控溅射技术 ZnO-TCO薄膜绒面结构梯度生长缓冲层薄膜太阳电池

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反应磁控溅射技术生长W掺杂ZnO(WZO)薄膜及其特性研究

反应磁控溅射技术生长W掺杂ZnO(WZO)薄膜及其特性研究

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：张翅陈新亮王斐黄茜赵颖张晓丹耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO (ZnO:W,即WZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜并研究了氧气流量对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响.实验结果表明,WZO 薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,且适当的氧气流量是制... 详细信息

采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO (ZnO:W,即WZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜并研究了氧气流量对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响.实验结果表明,WZO 薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,且适当的氧气流量是制备优质WZO 薄膜的关键因素.WZO 薄膜表面形貌受薄膜结晶质量的影响.当氧气流量为11.5sccm 时,WZO 薄膜在400-1500nm 透过率达到~87.3％,方块电阻~43.89Ω,电阻率~5.12×10-3Ωcm,迁移率为21.3cm2v-1s-1.

关键词：反应磁控溅射 ZnO薄膜 W掺杂 TCO薄膜氧气流量

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