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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学

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42 篇 薄膜太阳电池
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18 篇 衬底温度
17 篇 甚高频等离子体增...
17 篇 微晶硅薄膜
16 篇 zno薄膜
12 篇 高速沉积
12 篇 太阳能电池
12 篇 硅基
12 篇 化学气相沉积
12 篇 vhf-pecvd
12 篇 磁控溅射
12 篇 硅基薄膜太阳电池
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9 篇 转换效率
9 篇 电学特性
9 篇 陷光结构
9 篇 mocvd

机构

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64 篇 光电信息技术科学...
60 篇 河北工业大学
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11 篇 天津市光电子薄膜...
8 篇 南开大学光电子薄...
7 篇 天津新华职工大学
6 篇 南开大学光电子薄...
4 篇 天津大学
3 篇 南开大学光电子薄...
3 篇 仪器科学与动态测...
3 篇 深圳市力伟数码技...
3 篇 天津化学化工协同...
3 篇 希腊帕特雷大学
2 篇 中国民航大学
2 篇 天津工业大学
2 篇 天津光电通信技术...
2 篇 香港科技大学
2 篇 浙江大学
1 篇 暨南大学

作者

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239 篇 张晓丹
159 篇 耿新华
144 篇 魏长春
132 篇 孙建
101 篇 张德坤
85 篇 陈新亮
65 篇 熊绍珍
65 篇 侯国付
56 篇 薛俊明
47 篇 张建军
43 篇 黄茜
39 篇 倪牮
30 篇 许盛之
29 篇 任慧志
27 篇 白立沙
25 篇 刘伯飞
22 篇 韩晓艳
20 篇 高艳涛
20 篇 朱锋

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391 篇 中文

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缓冲层对太阳电池用绒面结构MOCVD-ZnO薄膜光电性能的影响

缓冲层对太阳电池用绒面结构MOCVD-ZnO薄膜光电性能的影响

引用

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：杨旭陈新亮张建军闫聪博赵慧旭高海波耿新华赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

宽光谱透明导电氧化物(TCO)材料及其在薄膜太阳电池上的应用已成为新的研究热点.增加TCO 薄膜在近红外区域的光学透过对于提高太阳电池效率具有重要意义.本文通过优化ZnO 缓冲层(buffer layer),有效地改善了MOCVD-ZnO:B 的光电特性.结... 详细信息

宽光谱透明导电氧化物(TCO)材料及其在薄膜太阳电池上的应用已成为新的研究热点.增加TCO 薄膜在近红外区域的光学透过对于提高太阳电池效率具有重要意义.本文通过优化ZnO 缓冲层(buffer layer),有效地改善了MOCVD-ZnO:B 的光电特性.结果表明：“富氧”的缓冲层有效地增加了ZnO:B-TCO 的近红外区域透过率,使其更适应宽光谱薄膜太阳电池的发展要求.经过优化的ZnO:B 特性如下：“类金字塔”状晶粒尺寸~300nm-500nm,波长550nm 处绒度(Haze) 值为10.8％, 薄膜电子迁移率为20.7cm2/Vs , 电阻率为2.14×***,载流子浓度为1.41×1020cm-3,且在400nm-1500nm 波长范围内的平均透过率为83％(含2mm 厚玻璃衬底).

关键词： MOCVD ZnO:B 薄膜 TCO 缓冲层薄膜太阳电池

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高速率单结微晶硅太阳电池中的陷光研究

高速率单结微晶硅太阳电池中的陷光研究

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：白立沙陈新亮王广才赵颖张晓丹刘伯飞杨素素杨旭赵慧旭黄茜魏长春侯国付南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究了衬底表面绒度和电学特性的变化对微晶硅太阳电池性能的影响.通过对溅射ZnO 衬底进行不同腐蚀时间的实验发现：随衬底腐蚀时间的增加,其表面粗糙度逐渐增大,电池短路电流... 详细信息

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究了衬底表面绒度和电学特性的变化对微晶硅太阳电池性能的影响.通过对溅射ZnO 衬底进行不同腐蚀时间的实验发现：随衬底腐蚀时间的增加,其表面粗糙度逐渐增大,电池短路电流逐渐增加,开压也有所增加,但填充因子逐渐减小.对相同腐蚀时间的衬底,通过改变本征层硅烷浓度,研究其对微晶硅电池光谱响应的影响,实验发现硅烷浓度会对电池的短波响应造成很大的影响.通过对衬底陷光结构和电池工艺的进一步调整,获得了初始效率达到9.87％的单结微晶硅薄膜太阳电池(沉积速率达1.5nm/s).

关键词：微晶硅薄膜太阳电池 VHF-PECVD 衬底陷光高速

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衬底温度对超薄Cu(In, Ga)Se2 材料及电池性能的影响

衬底温度对超薄Cu(In, Ga)Se2 材料及电池性能的影响

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：韩安军孙云李博研何静靖李志国张毅刘玮南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津 300071

衬底温度保持恒定,在Se 气氛下按照一定的元素配比顺序蒸发Ga、In、Cu 制备厚度约为0.7 μm 的CuIn0.3Ga0.7Se2(CIGS)薄膜.利用X 射线衍射仪分析衬底温度对薄膜晶体结构及物相组成的影响,扫描电子显微镜表征薄膜形貌及结晶状态的变化,... 详细信息

衬底温度保持恒定,在Se 气氛下按照一定的元素配比顺序蒸发Ga、In、Cu 制备厚度约为0.7 μm 的CuIn0.3Ga0.7Se2(CIGS)薄膜.利用X 射线衍射仪分析衬底温度对薄膜晶体结构及物相组成的影响,扫描电子显微镜表征薄膜形貌及结晶状态的变化,分光光度计与积分球测量衬底温度对薄膜光学性能的影响.研究发现衬底温度为450℃时,薄膜呈现单一的Cu(In0.7Ga0.3)Se2 相.衬底温度低于450℃,CIGS 薄膜存在严重的Ga 的两相分离.薄膜表层的高Ga 含量以小颗粒形式存在,均匀分布于薄膜表面,增加了薄膜表面的粗糙度,提高了超薄CIGS 材料对光的吸收.通过对电池性能的分析发现,低温制备的超薄CIGS 电池,短路电流密度相对较高,CIGS 电池可实现低温、超薄、高效.

关键词： Cu(In,Ga)Se2 衬底温度超薄太阳电池

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CO2 掺杂对本征非晶硅氧材料特性影响的研究

CO2 掺杂对本征非晶硅氧材料特性影响的研究

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：王烁王菁张晓丹熊绍珍赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

为更为合理的分配硅基薄膜叠层太阳电池的光谱响应,提高电池效率,需要采用光学带隙较非晶硅更宽的材料作为顶电池吸收层.本文中采用VHF-PECVD 技术,以CO2 作为氧掺杂源,制备了用于硅基薄膜电池本征吸收层的非晶硅氧材料,以期提高电池的... 详细信息

为更为合理的分配硅基薄膜叠层太阳电池的光谱响应,提高电池效率,需要采用光学带隙较非晶硅更宽的材料作为顶电池吸收层.本文中采用VHF-PECVD 技术,以CO2 作为氧掺杂源,制备了用于硅基薄膜电池本征吸收层的非晶硅氧材料,以期提高电池的开路电压.研究发现,提高CO2 的掺杂能够使材料的光学带隙明显提高,并且其与薄膜中的氧含量近似呈现线性关系;同时Raman 测试显示,随着CO2 掺杂的提高,材料的中程有序度下降,缺陷态增多,表现为材料的光电导下降,光敏性降低.通过OES 对等离子体进行检测,发现随着CO2 掺杂的增大,等离子体中Hα 对应的谱线的强度降低,表明等离子体中原子H 减少,钝化作用降低,是造成材料质量下降的原因之一.

关键词：非晶硅氧薄膜 CO2掺杂宽带隙材料 OES

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电沉积Cu-In-Ga 金属预制层合金化对CIGS 薄膜的影响

电沉积Cu-In-Ga 金属预制层合金化对CIGS 薄膜的影响

引用

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：张超敖建平孙顶孙国忠何青周志强孙云南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

在Mo/玻璃衬底上顺序电沉积得到Cu-In-Ga 金属预制层进行硒化处理时,发现在硒化前进行无硒热处理,可以明显改善硒化后的薄膜结合力.本文研究了硒化前不同热处理温度对Cu-In-Ga 金属预置层以及硒化后Cu(In1-x,Gax)Se2 薄膜的影响,通过XRD... 详细信息

在Mo/玻璃衬底上顺序电沉积得到Cu-In-Ga 金属预制层进行硒化处理时,发现在硒化前进行无硒热处理,可以明显改善硒化后的薄膜结合力.本文研究了硒化前不同热处理温度对Cu-In-Ga 金属预置层以及硒化后Cu(In1-x,Gax)Se2 薄膜的影响,通过XRD、SEM对薄膜结构与形貌进行表征和分析发现,金属预制层在热退火过程中合金化,使得硒化处理时Cu、In、Ga、Se 的反应路径发生变化,从而增强了薄膜的结合力.对硒化后的CIGS 薄膜进行了电池制备,电池最高效率达到了8.9％.

关键词： Cu(In1-x,Gax)Se2 金属预置层硒化处理太阳电池

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电极间距对微晶硅薄膜沉积速率及性能的影响*

电极间距对微晶硅薄膜沉积速率及性能的影响*

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：杨素素张晓丹白立沙杨旭魏长春侯国付陈新亮王广才赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

本文在平板电极结构的腔室中,研究了电极间距的变化对微晶硅材料的沉积速率、晶化率和电学性能的影响.研究发现,在一定范围内,通过适当增大电极间距可以有效提高沉积速率,但微晶硅材料的电学性能却受到较大的影响.综合考虑沉积速率和材... 详细信息

本文在平板电极结构的腔室中,研究了电极间距的变化对微晶硅材料的沉积速率、晶化率和电学性能的影响.研究发现,在一定范围内,通过适当增大电极间距可以有效提高沉积速率,但微晶硅材料的电学性能却受到较大的影响.综合考虑沉积速率和材料性能,在沉积速率为1.5nm/s、电池厚度为1.2μm时,获得转换效率为8.17％单结微晶硅电池.

关键词：微晶硅电池平板电极沉积速率

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非晶硅/晶体硅异质结太阳电池钝化技术的初步研究

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池钝化技术的初步研究

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：王菁王烁张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜.研究了非晶硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池中硅片表面钝化方法,分析了少数载流子寿命随本征层氢稀释率、辉光功率、以及H 等离子体处理时间的变化趋势,并从材... 详细信息

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜.研究了非晶硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池中硅片表面钝化方法,分析了少数载流子寿命随本征层氢稀释率、辉光功率、以及H 等离子体处理时间的变化趋势,并从材料微结构的角度分析了钝化材料如何影响钝化效果.太阳电池中本征非晶硅层应厚度适中,保证电池同时具有高开路电压和填充因子.

关键词：非晶硅异质结太阳电池少子寿命表面钝化

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高锗含量微晶硅锗材料及其太阳电池的优化

高锗含量微晶硅锗材料及其太阳电池的优化

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：曹宇张建军李天微黄振华马俊倪牮耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对高锗含量微晶硅锗材料的特性和电池的结构均进行了优化.首先,通过对衬底温度的调节,在衬底温度为200 °C 的情况下,获得了光电特性和结构特性较优的高锗含量微晶硅锗材料;其... 详细信息

本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对高锗含量微晶硅锗材料的特性和电池的结构均进行了优化.首先,通过对衬底温度的调节,在衬底温度为200 °C 的情况下,获得了光电特性和结构特性较优的高锗含量微晶硅锗材料;其次,对高锗含量微晶硅锗电池的结构进行优化,有效的改善了电池的界面特性,减少漏电流的产生.基于上述优化,在本征层锗含量为53％,厚度为600 nm 的情况下,制备出了短路电流密度为22.5 mA/cm2的微晶硅锗电池,微晶硅锗电池在较薄本征层厚度下显示出了优异的长波光谱响应,体现了其作为叠层电池中底电池的优势和潜力.

关键词：微晶硅锗衬底温度太阳电池长波响应

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基于微晶硅的双结和三结叠层薄膜太阳电池的研究

基于微晶硅的双结和三结叠层薄膜太阳电池的研究

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：张晓丹黄茜陈新亮侯国付王广才赵颖白立沙刘伯飞杨素素倪牮樊君杨旭赵慧旭魏长春南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

本文围绕着产业化所关注的低成本和高效率两大关键点,开展基于高速、高效的微晶硅叠层薄膜太阳电池的研究.首先,通过调整沉积工艺参数,获得了超过1.5nm/s 高速率沉积的微晶硅材料;然后,基于光管理进行了透明导电前电极陷光性能改善的研... 详细信息

本文围绕着产业化所关注的低成本和高效率两大关键点,开展基于高速、高效的微晶硅叠层薄膜太阳电池的研究.首先,通过调整沉积工艺参数,获得了超过1.5nm/s 高速率沉积的微晶硅材料;然后,基于光管理进行了透明导电前电极陷光性能改善的研究,结合对光的充分利用和对电池有源层材料质量的调控,获得了效率超过9％的单结微晶硅薄膜太阳电池;以此为基础,将其引入到基于微晶硅的双结和三结叠层太阳电池中,同时引入功能层SiOx 以进一步提升电池效率,结果基于微晶硅的叠层太阳电池的光电转换效率超过了12％.

关键词：微晶硅前电极 SiOx功能层非晶硅/微晶硅叠层

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非晶硅锗单结电池长波响应提升的初步研究

非晶硅锗单结电池长波响应提升的初步研究

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：刘伯飞张晓丹白立沙王利魏长春孙建侯国付赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于中间电池的非晶硅锗P/I/N 型单结电池进行研究.针对中间电池需要较高的长波响应,以实现太阳光谱的合理分配的问题,采用各种工艺优化手段来提升非晶硅锗电池的长波响应.通过对锗... 详细信息

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于中间电池的非晶硅锗P/I/N 型单结电池进行研究.针对中间电池需要较高的长波响应,以实现太阳光谱的合理分配的问题,采用各种工艺优化手段来提升非晶硅锗电池的长波响应.通过对锗硅气体流量比、以及采用锗流量梯度对本征层带隙分布等进行调控,有效提高了电池的长波响应.以Al 为接触电极的单结非晶硅锗长波典型波段800 nm 量子效率达到10％,>530nm 积分电流密度达到10.14mA/cm2,并保持较高的Voc 和FF;a-Si:H/a-SiGe:H 双叠层的800 nm 量子效率达到20％,a-SiGe:H 子电池短路电流密度达9.77mA/cm2,效率达8.6％.

关键词：非晶硅锗薄膜太阳电池长波响应射频锗流量梯度中间电池

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