检索结果-内蒙古大学图书馆

光电子．激光 2011年第4期22卷 550-554页

作者：任世荣陈新亮张存善李林娜张德坤孙建耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300130

利用电子束反应沉积技术制备了高迁移率In2O3基W-Mo共掺(IMWO,In2O3:WO3/MoO3)薄膜,研究了不同等量WO3-MoO3掺杂浓度对薄膜的微观结构、光学性能和电学性能的影响。IMWO薄膜的表面形貌呈现"类金字塔"型。随着WO3-MoO3共掺量... 详细信息

利用电子束反应沉积技术制备了高迁移率In2O3基W-Mo共掺(IMWO,In2O3:WO3/MoO3)薄膜,研究了不同等量WO3-MoO3掺杂浓度对薄膜的微观结构、光学性能和电学性能的影响。IMWO薄膜的表面形貌呈现"类金字塔"型。随着WO3-MoO3共掺量的增加,IMWO薄膜的电阻率依次下降,载流子浓度逐渐增加,在共掺量为1.0%时制得相对较高电子迁移率的薄膜,电子迁移率约为45.5 cm2.V-1.s-1,电阻率约为3.66×10-4Ω.cm,电子的载流子浓度约为3.74×1020cm-3,方块电阻约为22.88Ω/□,400~1 100 nm光谱区域内的平均透过率约为76%(含玻璃衬底,即glass/IMWO薄膜)。

关键词：电子束沉积技术 In2O3:WO3/MoO3(IMWO)薄膜共掺技术高迁移率

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电子束沉积技术生长WZO-TCO薄膜及其特性研究

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光电子．激光 2011年第11期22卷 1655-1659页

作者：陈雪莲陈新亮张存善张德坤魏长春张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300130

采用电子束沉积技术生长W掺ZnO(WZO,ZnO:W)透明导电氧化物(TCO)薄膜(即WZO-TCO薄膜)并研究了衬底温度(100～350℃)对薄膜微观结构、表面形貌以及光电性能的影响。实验表明,随着衬底温度的升高,薄膜的晶体质量取得明显改善(从非晶化状态... 详细信息

采用电子束沉积技术生长W掺ZnO(WZO,ZnO:W)透明导电氧化物(TCO)薄膜(即WZO-TCO薄膜)并研究了衬底温度(100～350℃)对薄膜微观结构、表面形貌以及光电性能的影响。实验表明,随着衬底温度的升高,薄膜的晶体质量取得明显改善(从非晶化状态转变到结晶状态),生长的WZO薄膜呈现c轴择优取向[即(002)晶面]的六角纤锌矿结构。提高衬底温度后,薄膜的光电性能得到了显著改善。霍尔(Hall)迁移率随着衬底温度增加而单调升高,从100℃时的0.1cm2.V-1.s-1提高到350℃时的15.4cm2.V-1.s-1。在衬底温度200℃时获得WZO薄膜最低电阻率2.6×10-3Ω.cm。实验结果还表明,在350℃条件下获得的WZO薄膜性能相对较好,其典型Hall迁移率为15.4cm2.V-1.s-1,载流子浓度为1.2×1020 cm-3,可见光和近红外区域内的平均透过率为82.27%(含2mm玻璃衬底)。

关键词：电子束沉积技术 W掺ZnO(WZO,ZnO:W)薄膜透明导电氧化物(TCO)膜光电性能太阳电池

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LCoS微型显示器接口电路设计

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液晶与显示 2011年第2期26卷 210-215页

作者：陈翠莹吴迪刘必涛范义代永平深圳市力伟数码技术有限公司广东深圳518000 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学) 天津300071

运用乒乓操作的SRAM缓存结构,给出了一个基于FPGA的显示驱动方案,并结合数字时间比率灰度技术,采用分子场方式成功设计了时分256级灰度的接口系统。仿真及测试结果表明,该系统各项输出符合要求,能够驱动所需的显示屏。通过乒乓操作,有... 详细信息

运用乒乓操作的SRAM缓存结构,给出了一个基于FPGA的显示驱动方案,并结合数字时间比率灰度技术,采用分子场方式成功设计了时分256级灰度的接口系统。仿真及测试结果表明,该系统各项输出符合要求,能够驱动所需的显示屏。通过乒乓操作,有效地提高了显示屏的响应效率,并扩大了其应用范围。

关键词：时间比率灰度分子场方式时分灰度乒乓操作

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薄膜太阳电池系列讲座(1) 减薄晶体硅太阳电池给薄膜太阳电池的启示(上)

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太阳能 2011年第11期 14-15页

作者：张晓丹熊绍珍赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)

近年来世界光伏产业飞速发展,薄膜太阳电池作为太阳电池家族的重要成员也得到快速发展。为进一步推动薄膜太阳电池的发展与应用,科学普及非常必要。南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室... 详细信息

近年来世界光伏产业飞速发展,薄膜太阳电池作为太阳电池家族的重要成员也得到快速发展。为进一步推动薄膜太阳电池的发展与应用,科学普及非常必要。南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室、光电信息技术科学教育部重点实验室是我国薄膜太阳电池领域知名的研究机构,本刊特邀在这些机构工作的张晓丹、熊绍珍、赵颖等专家就薄膜太阳电池进行系列科普讲座,在上半月刊的"科普苑"栏目刊登,以飨读者。

关键词：薄膜太阳电池晶体硅太阳电池教育部重点实验室光电子薄膜器件减薄技术科学南开大学研究机构

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薄膜太阳电池系列讲座(2) 减薄晶体硅太阳电池给薄膜太阳电池的启示(下)

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太阳能 2011年第13期 13-17页

作者：张晓丹熊绍珍赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室南开大学天津大学

二减薄电池的发展1厚度减薄问题的提出减薄材料厚度除成本优势外，还会带来什么好处以及相应难点？事实上减薄厚度有利于增强PN结电池内光生载流子的收集。美国RCA的David Redfield等于1974年首先对晶硅太阳电池的厚度提出“疑议”，

二减薄电池的发展 1厚度减薄问题的提出减薄材料厚度除成本优势外，还会带来什么好处以及相应难点？事实上减薄厚度有利于增强PN结电池内光生载流子的收集。美国RCA的David Redfield等于1974年首先对晶硅太阳电池的厚度提出“疑议”，

关键词：晶体硅太阳电池薄膜太阳电池减薄材料厚度光生载流子成本优势 PN结 RCA

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硅基薄膜太阳电池技术的发展

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太阳能 2011年第16期 32-35,51页

作者：耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

本文综述了硅基薄膜太阳电池技术的发展历程。在分析光伏产品现状基础上指出硅基薄膜太阳电池当前面临的挑战主要是稳定效率较低,面临大幅降价的晶硅电池,其发电成本不具备优势,导致其市场份额不高。详细分析了影响硅基薄膜太阳电池效... 详细信息

本文综述了硅基薄膜太阳电池技术的发展历程。在分析光伏产品现状基础上指出硅基薄膜太阳电池当前面临的挑战主要是稳定效率较低,面临大幅降价的晶硅电池,其发电成本不具备优势,导致其市场份额不高。详细分析了影响硅基薄膜太阳电池效率的原因,阐述了提高硅基薄膜太阳电池稳定效率的主要技术途径是:发展新型高吸收系数宽带隙和窄带隙光伏材料、采用多结叠层电池结构和光管理设计。

关键词：硅基薄膜电池稳定效率多结叠层结构新型光伏材料光管理设计

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W-Ti共掺杂ZnO靶材制造及其特性研究

W-Ti共掺杂ZnO靶材制造及其特性研究

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中国可再生能源学会2011年学术年会

作者：陈新亮乔薇陈雪莲张德坤魏长春张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

采用常压烧结方法制备高致密度低电阻率的W-Ti 共掺杂ZnO 陶瓷靶材（WTZO）并研究了其相关特性;通过研究烧结温度（~800℃-1350℃）对WTZO 靶材微观结构和电学特性的影响，优化获得了最佳烧结曲线。所有实验靶材经烧结后为ZnO 纤锌矿结... 详细信息

采用常压烧结方法制备高致密度低电阻率的W-Ti 共掺杂ZnO 陶瓷靶材（WTZO）并研究了其相关特性;通过研究烧结温度（~800℃-1350℃）对WTZO 靶材微观结构和电学特性的影响，优化获得了最佳烧结曲线。所有实验靶材经烧结后为ZnO 纤锌矿结构，同时伴有微量ZnWO4 和Zn2TiO4 相生成;随着烧结温度升高，靶材的相对致密度呈现先增长后稳定的趋势，其最大值达到94.3％，而方块电阻呈现递减趋势，其最小值为12.18Ω/□。

关键词：烧结温度相对致密度方块电阻微观结构电学特性纤锌矿结构

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高压RF-PECVD沉积非晶硅锗薄膜太阳能电池

高压RF-PECVD沉积非晶硅锗薄膜太阳能电池

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中国可再生能源学会2011年学术年会

作者：李超张建军倪牮曹宇耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

本文通过射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术制备非晶硅锗薄膜太阳电池。主要采用增大反应气体气压的方法，将沉积速率提高至3-4./s。在较高氢稀释结合较高功率的工艺条件下获得光敏性达到105的非晶/微晶过渡区a-SiGe 材料... 详细信息

本文通过射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术制备非晶硅锗薄膜太阳电池。主要采用增大反应气体气压的方法，将沉积速率提高至3-4./s。在较高氢稀释结合较高功率的工艺条件下获得光敏性达到105的非晶/微晶过渡区a-SiGe 材料。将此本征a-SiGe 材料应用至p-i-n 型单结a-SiGe 电池，转换效率达到7.13％。

关键词：非晶硅锗高压沉积过渡区材料射频等离子体增强化学气相沉积薄膜太阳能电池

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磁控溅射直接生长绒面氢化Ga掺杂ZnO-TCO薄膜及其稳定性研究

磁控溅射直接生长绒面氢化Ga掺杂ZnO-TCO薄膜及其稳定性研究

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中国可再生能源学会2011年学术年会

作者：王婓陈新亮耿新华黄茜张德坤孙建魏长春张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

采用直流脉冲磁控溅射工艺在玻璃衬底上直接生长出绒面氢化Ga 掺杂ZnO（HGZO）薄膜。研究了H2 流量对薄膜结构、表面形貌及光电特性的影响。H2 流量为2sccm 时制备的HGZO 薄膜具有特征尺寸 ~300nm的弹坑状表面形貌，同时迁移率～41cm2... 详细信息

采用直流脉冲磁控溅射工艺在玻璃衬底上直接生长出绒面氢化Ga 掺杂ZnO（HGZO）薄膜。研究了H2 流量对薄膜结构、表面形貌及光电特性的影响。H2 流量为2sccm 时制备的HGZO 薄膜具有特征尺寸 ~300nm的弹坑状表面形貌，同时迁移率～41cm2/Vs，电阻率～7.18×10-4Ωcm;可见光区域平均透过率～87％，近红外区域透过率也较好，波长到1100nm 时透过率仍到80％。此外，对制备的HGZO 薄膜在真空和大气中进行退火实验，研究了HGZO 薄膜实际应用的稳定性问题，实验发现合适H2 流量制备的HGZO 薄膜具有较优光电性能，同时具有较好的稳定性，能够满足薄膜电池实际应用的要求。

关键词：氧化锌薄膜磁控溅射绒面结构稳定性薄膜太阳能电池

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梯度掺杂技术生长绒面结构ZnO-TCO薄膜及其性能研究

梯度掺杂技术生长绒面结构ZnO-TCO薄膜及其性能研究

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中国可再生能源学会2011年学术年会

作者：闫聪博陈新亮张德坤孙建魏长春张晓丹赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

为提高MOCVD-ZnO-TCO 薄膜的光散射能力和在近红外区域的透过率，本研究小组提出新的工艺技术—“梯度掺杂”技术，即根据不同掺杂量下ZnO:B 薄膜的性能差异，在薄膜生长的不同时间内采用不同的掺杂量，实现对ZnO:B 薄膜表面特性、光电... 详细信息

为提高MOCVD-ZnO-TCO 薄膜的光散射能力和在近红外区域的透过率，本研究小组提出新的工艺技术—“梯度掺杂”技术，即根据不同掺杂量下ZnO:B 薄膜的性能差异，在薄膜生长的不同时间内采用不同的掺杂量，实现对ZnO:B 薄膜表面特性、光电特性的改善。实验获得的ZnO-TCO 薄膜具有高可见光及近红外区域透过率和良好的电学性能（迁移率为22.9 cm2/Vs、电阻率为1.2×10 -3 Ωcm）。此种新型技术生长的TCO 薄膜有望更好地应用于Si 基薄膜太阳电池上，尤其是a-Si/μc-Si 叠层薄膜太阳电池。

关键词：绒面结构梯度掺杂技术薄膜太阳电池表面特性光电特性

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