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第十届中国太阳能光伏会议

作者：李贵君侯国付张晓丹魏长春孙建韩晓艳戴志华陈飞赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

本文采用VHF-PECVD实现了高速沉积非晶硅电池,在保证材料质量的同时使得沉积速率达到10-20A/s。研究了气体滞留时间对于沉积速率的影响,特别是电极间距和沉积压力二者共同作用下对于沉积速率的影响。把获得的高速本征非晶硅材料应用到pi... 详细信息

本文采用VHF-PECVD实现了高速沉积非晶硅电池,在保证材料质量的同时使得沉积速率达到10-20A/s。研究了气体滞留时间对于沉积速率的影响,特别是电极间距和沉积压力二者共同作用下对于沉积速率的影响。把获得的高速本征非晶硅材料应用到pin结构的电池中,在过渡区p层和p-μc-SiC:H分别作为电池窗口层,没有ZnO增反背电极的情况下电池的效率分别达8.65%和8.78%。由于存在结构演变的原因,FF对于过渡区P层厚度的依赖大于后者。最后,把得到的高速非晶硅顶电池应用到非晶/微晶叠层电池中,初步获得的非晶/微晶叠层电池的效率为10.2%。

关键词： VHF-PECVD 高速沉积非晶硅电池

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柔性不锈钢衬底上制备n-i-p微晶硅太阳电池的研究

柔性不锈钢衬底上制备n-i-p微晶硅太阳电池的研究

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第十届中国太阳能光伏会议

作者：袁育杰张建军侯国付薛俊明曹丽冉赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

本文采用高压RF-PECVD技术,制备了不同硅烷浓度的n型硅薄膜,研究了硅烷浓度对n型硅薄膜电学特性和结构特性的影响。将上述n型硅薄膜应用到n-i-P微晶硅太阳电池中,研究了n型掺杂层对n-i-P微晶硅太阳电池性能的影响。在不锈钢衬底上获得... 详细信息

本文采用高压RF-PECVD技术,制备了不同硅烷浓度的n型硅薄膜,研究了硅烷浓度对n型硅薄膜电学特性和结构特性的影响。将上述n型硅薄膜应用到n-i-P微晶硅太阳电池中,研究了n型掺杂层对n-i-P微晶硅太阳电池性能的影响。在不锈钢衬底上获得转换效率为5.3%（Voc=0.46V,Jsc=17.73mA/cm,FF=66%）的n-i-P单结微晶硅太阳电池和转换效率为9.5%（Voc=1.21V,Jsc=12.14mA/cm,FF=65%）的n-i-P叠层太阳电池。

关键词：微晶硅柔性衬底太阳电池

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GeH4和GeF4制备P型微晶硅锗薄膜的研究

GeH4和GeF4制备P型微晶硅锗薄膜的研究

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第十届中国太阳能光伏会议

作者：张鑫张建军张丽平尚泽仁孙健耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

本文介绍了SiH+GeH和SiH+GeF两种反应气体系列制备p型微晶硅锗薄膜的研究结果。实验采用VHF-PECVD技术,以BH为掺杂气体,通过改变GeH和GeF的流量制备出不同锗含量的系列材料,比较两种反应气体对p型微晶硅锗薄膜特性的影响。通过Raman、XR... 详细信息

本文介绍了SiH+GeH和SiH+GeF两种反应气体系列制备p型微晶硅锗薄膜的研究结果。实验采用VHF-PECVD技术,以BH为掺杂气体,通过改变GeH和GeF的流量制备出不同锗含量的系列材料,比较两种反应气体对p型微晶硅锗薄膜特性的影响。通过Raman、XRF并结合电导率测试表征材料的结构、锗含量和电学特性。结果发现,以GeF作为反应气体有利于材料的晶化,而在电学特性方面,一定量的GeF有利于电导率的提高。这些结果表明GeF在微晶硅锗薄膜生长反应中起到了特殊的作用,相对于传统的以GeH为源气体的硅锗制备工艺具有一定的优势。通过优化工艺,获得了锗含量20%、电导率0.46S/cm、长波透过率超过80%的p型微晶硅锗材料。

关键词： P型微晶硅锗 VHF-PECVD GeF4 GeH4

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功能光学薄膜材料:纳米Ag颗粒的制备及其特性研究

功能光学薄膜材料:纳米Ag颗粒的制备及其特性研究

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第十届中国太阳能光伏会议

作者：黄茜张晓丹孙建赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

对以热蒸发法制备的超薄银薄膜,扫描电镜结果显示其呈纳米尺度的颗粒状;由透射谱测量发现其具有表面等离子体激元特征。检测到不同条件制备纳米Ag薄膜的表面等离子体共振吸收峰的位移规律,且纳米Ag材料具有选择性的透过、反射特性。通... 详细信息

对以热蒸发法制备的超薄银薄膜,扫描电镜结果显示其呈纳米尺度的颗粒状;由透射谱测量发现其具有表面等离子体激元特征。检测到不同条件制备纳米Ag薄膜的表面等离子体共振吸收峰的位移规律,且纳米Ag材料具有选择性的透过、反射特性。通过不同的制备条件,得到了在长波范围内透过率超过90%,在表面等离子体共振峰值位置处反射率接近50%,且峰位可调的光学薄膜材料,有望成为薄膜太阳能电池中具潜在性光管理功能的光学薄膜材料。

关键词：纳米Ag薄膜表面等离子体激元光管理

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VHF-PECVD大面积Showerhead平板电极间电场和流场的数值模拟

VHF-PECVD大面积Showerhead平板电极间电场和流场的数值模拟

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第十届中国太阳能光伏会议

作者：葛洪张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

以激发频率为60MHz的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)大面积Showerhead平板电极反应室为研究对象,利用FlexPDE和CFD-ACE+商业软件,对反应室电极间的电场和流场分别进行了数值模拟。根据数值模拟结果可知:对于大面积Showerhea... 详细信息

以激发频率为60MHz的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)大面积Showerhead平板电极反应室为研究对象,利用FlexPDE和CFD-ACE+商业软件,对反应室电极间的电场和流场分别进行了数值模拟。根据数值模拟结果可知:对于大面积Showerhead平板电极VHF-PECVD反应室,其电极间电场分布与气压分布呈现相同的非均匀分布趋势,即在大面积电极中央区域电场较强气压较高,而在电极边缘区域电场较弱气压较低。另外,模拟结果也表明,采用Showerhead电极为反应室进行气体馈入,气体总流量、工作气压和电极间距是调节电极间气压分布均匀性的重要参量;选择大电极间距、高工作气压,以及小的气体总流量有利于获得均匀的电极间气压分布。

关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积 Showerhead电极数值模拟 CFD-ACE+

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USP法制备p型Zn1-zMgzO薄膜的初步研究

USP法制备p型Zn1-zMgzO薄膜的初步研究

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第十届中国太阳能光伏会议

作者：边楠张晓丹张霞孙福和杨瑞霞赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 河北工业大学信息学院天津300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 河北工业大学信息学院天津300130

利用超声雾化热分解技术(USP),在eagle2000衬底上采用用N-Al共掺法获得了p型Zn1-xMgxO薄膜,在Al掺入比例为0.05时获得了最优的p型Zn1-xMgxO薄膜,其电学特性为电阻率为18.43Ω.cm、迁移率是0.362 cm2/(V.s)、载流子浓度为1.24×1018c... 详细信息

利用超声雾化热分解技术(USP),在eagle2000衬底上采用用N-Al共掺法获得了p型Zn1-xMgxO薄膜,在Al掺入比例为0.05时获得了最优的p型Zn1-xMgxO薄膜,其电学特性为电阻率为18.43Ω.cm、迁移率是0.362 cm2/(V.s)、载流子浓度为1.24×1018cm-3.并尝试与FTO薄膜结合生成FTO/p-Zn1-xMgxO复合薄膜,应用于微晶硅薄膜电池前电极。

关键词：复合薄膜超声雾化热分解电学特性

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太阳电池用上转换材料的合成及其性能研究

太阳电池用上转换材料的合成及其性能研究

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第十届中国太阳能光伏会议

作者：刘永娟张晓丹金鑫王东丰张存善赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学) 河北工业大学信息工程学院

采用水热法,在以乙醇为反应溶剂,EDTA为络合剂加的情况下,通过调变Ln/EDTA(Ln=Y,Yb,andEr)的比例,得到了具有较高发射强度的掺杂18%Yb、2%Er的NaYF纳米上转换材料;调变Ln/F的比例,得到了具有强发光度的掺杂18%Yb、2%Er的NaYF微米上转换... 详细信息

采用水热法,在以乙醇为反应溶剂,EDTA为络合剂加的情况下,通过调变Ln/EDTA(Ln=Y,Yb,andEr)的比例,得到了具有较高发射强度的掺杂18%Yb、2%Er的NaYF纳米上转换材料;调变Ln/F的比例,得到了具有强发光度的掺杂18%Yb、2%Er的NaYF微米上转换材料,以期应用于不同的太阳电池。且通过对比发现微米材料的发射强度大于纳米材料。

关键词：上转换乙二胺四乙酸二钠(EDTA) 纳米材料微米材料乙醇太阳电池

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NaYF4:Er/Yb上转换材料特性改善的研究

NaYF4:Er/Yb上转换材料特性改善的研究

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第十届中国太阳能光伏会议

作者：张晓丹赵颖金鑫刘永娟王东丰纪伟伟蔡宁熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室河北工业大学信息学院

本文针对太阳电池用上转换材料,采用水热法优化制备了掺杂稀土离子的纳米氟化钇钠上转换荧光材料。主要关注了有机溶剂和螯合剂对制备上转换材料性能的影响。测试结果表明:有机溶剂酒精(Ethanol)可以有效地抑制YF等杂峰;制备的Yb/Er共... 详细信息

本文针对太阳电池用上转换材料,采用水热法优化制备了掺杂稀土离子的纳米氟化钇钠上转换荧光材料。主要关注了有机溶剂和螯合剂对制备上转换材料性能的影响。测试结果表明:有机溶剂酒精(Ethanol)可以有效地抑制YF等杂峰;制备的Yb/Er共掺材料能够发射被薄膜太阳电池有效吸收利用的红光(653nm)和绿光(520、540nm);具有六角晶向结构的上转换材料的发射谱强度也明显高于立方晶向材料的发射光谱强度。

关键词：上转换材料氟化钇钠酒精乙二胺四乙酸二钠

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超声喷雾热解技术制备ZnO纳米片的研究

超声喷雾热解技术制备ZnO纳米片的研究

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第十届中国太阳能光伏会议

作者：张霞张晓丹魏长春孙建杨瑞霞赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室河北工业大学信息学院

以二水合醋酸锌作为前驱体,利用超声喷雾热解技术（USP）在Si（100）衬底和FTO衬底上生长出ZnO纳米片。通过扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射谱（XRD）对其形貌和结构进行分析。结果表明,纳米片横向交叉,纵向垂直衬底生长,薄膜表面呈... 详细信息

以二水合醋酸锌作为前驱体,利用超声喷雾热解技术（USP）在Si（100）衬底和FTO衬底上生长出ZnO纳米片。通过扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射谱（XRD）对其形貌和结构进行分析。结果表明,纳米片横向交叉,纵向垂直衬底生长,薄膜表面呈现多孔状。纳米片为（101）择优生长。室温下的PL测试表明,两种衬底上生长的具有类似形貌的ZnO纳米片却表现出明显不同的发光行为。

关键词： ZnO纳米片超声喷雾热解 Si衬底 FTO衬底

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衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响

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物理学报 2007年第3期56卷 1563-1567页

作者：陈新亮薛俊明张德坤孙建任慧志赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所和天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响,明显的形貌转变温度大约发生在175℃,低于175℃,薄膜呈镜面结构,晶粒为球状,高于177℃的较高温度范围... 详细信息

研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响,明显的形貌转变温度大约发生在175℃,低于175℃,薄膜呈镜面结构,晶粒为球状,高于177℃的较高温度范围,薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织;随着温度增加,薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96cm2/V.s的高迁移率和3.28×10-2Ω.cm的低电阻率,对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于Si薄膜太阳电池的前电极.

关键词： MOCVD ZnO薄膜透明导电氧化物太阳电池

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