检索结果-内蒙古大学图书馆

人工晶体学报 2005年第1期34卷 56-59,64页

作者：张晓丹高艳涛赵颖朱锋魏长春孙建侯国付薛俊明张德坤任慧志耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071

本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为... 详细信息

本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为氧含量随着时间的推移而增多。而且,微结构因子(IR)的结果给出:对于适用于电池有源层的微晶硅材料来说,其IR不能太大,也不能太小,本实验中相对好的微晶硅材料其IR为 31%。

关键词：硅材料硅薄膜 VHF-PECVD 有源层微晶晶向电学特性度条件因子不稳定性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

VHF-PECVD制备微晶硅薄膜及其微结构表征研究

引用

人工晶体学报 2005年第3期34卷 475-478页

作者：张晓丹高艳涛赵颖朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室南开大学天津大学天津300071

采用VHFPECVD技术制备了系列不同衬底温度的硅薄膜。运用微区拉曼散射(MicroRaman)和X射线衍射(XRD)对薄膜进行了结构方面的测试分析。MicroRaman测试结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大。XRD的结... 详细信息

采用VHFPECVD技术制备了系列不同衬底温度的硅薄膜。运用微区拉曼散射(MicroRaman)和X射线衍射(XRD)对薄膜进行了结构方面的测试分析。MicroRaman测试结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大。XRD的结果显示样品的择优取向随衬底温度的升高而变化,(220)方向计算得出样品的晶粒尺寸逐渐变大。

关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) 微晶硅衬底温度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

铁镍氧化物膜电极的制备及其在碱性溶液中析氧的研究

引用

人工晶体学报 2005年第4期34卷 661-665页

作者：宋红耿新华周作祥王军红张德坤南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 南开大学新能源材料化学研究所天津300071

采用对靶直流磁控溅射制备的铁镍氧化物薄膜,其电特性、电化学特性和结构与反应溅射过程中氧氩比之间有很大的关系。实验结果表明氧气流量较高时,材料的导电性较好,但过电位较大;反之氧流量较低时,电阻率较大,过电位较小,表面较粗糙。

关键词：铁镍氧化物对靶磁控溅射氧含量过电位

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管以及栅控型轻掺杂漏极结构的研究

引用

物理学报 2005年第7期54卷 3363-3369页

作者：孟志国吴春亚李娟熊绍珍郭海成王文南开大学信息学院光电子器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 香港科技大学电机电子工程系

提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT_MIUCpoly_SiTFT)的技术.使用该技术可在大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率、低漏电电流、具有较好均匀性的多晶硅器件.在进一步的研究中,设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区(GM... 详细信息

提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT_MIUCpoly_SiTFT)的技术.使用该技术可在大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率、低漏电电流、具有较好均匀性的多晶硅器件.在进一步的研究中,设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区(GM_LDD)结构,有效地解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题.使得LT_MIUC poly_SiTFT更适用于高质量的有源矩阵显示器.

关键词：轻掺杂漏金属诱导结构栅控晶化多晶硅薄膜晶体管有源矩阵显示器玻璃衬底漏电电流 poly 迁移率硅器件均匀性 TFT 技术 Si

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池

引用

Journal of Semiconductors 2005年第5期26卷 952-957页

作者：张晓丹赵颖朱锋魏长春高艳涛孙健侯国付薛俊明耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用VHF PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料... 详细信息

采用VHF PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料和电池也有很大的差别,把相应的材料应用于电池上时,这一点很重要.采用VHF PECVD技术制备的微晶硅电池效率为5%,Voc=0 45V,Jsc=22mA/cm2,FF=50%,Area=0 253cm2.

关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜微晶硅电池

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

微晶硅太阳电池

引用

Journal of Semiconductors 2005年第8期26卷 1582-1585页

作者：张晓丹高艳涛赵颖朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071

采用VHF-PECVD技术制备了系列微晶硅太阳电池.综合测试结果表明:硅烷浓度、热阱温度和前电极都对微晶硅太阳电池的性能有影响.在湿法腐蚀的ZnO衬底上制备的电池的效率比在ZnO/SnO2复合膜上制备的电池的效率高1.5%.在优化了沉积条件后,... 详细信息

采用VHF-PECVD技术制备了系列微晶硅太阳电池.综合测试结果表明:硅烷浓度、热阱温度和前电极都对微晶硅太阳电池的性能有影响.在湿法腐蚀的ZnO衬底上制备的电池的效率比在ZnO/SnO2复合膜上制备的电池的效率高1.5%.在优化了沉积条件后,制备出效率达6.7%的微晶硅太阳电池(Jsc=18.8mA/cm2,Voc=0.526V,FF=0.68),电池的结构是glass/ZnO/p(μc-Si∶H)/i(μc-Si∶H)/(a-Si∶H)/Al,没有ZnO背反射电极.

关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积微晶硅太阳电池 X射线衍射

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

本征微晶硅材料及其在电池中的应用

引用

真空科学与技术学报 2005年第5期25卷 388-390,395页

作者：高艳涛张晓丹赵颖朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室南开大学天津大学天津300071

采用VHF-PECVD技术制备了系列不同硅烷浓度和功率的微晶硅薄膜。材料的电学特性和结构特性测试结果表明:制备出了符合太阳电池用的本征微晶硅薄膜。材料应用于电池中,制备出了效率达6.6%的微晶硅电池,没有ZnO背反射电极,而且电池的厚度... 详细信息

采用VHF-PECVD技术制备了系列不同硅烷浓度和功率的微晶硅薄膜。材料的电学特性和结构特性测试结果表明:制备出了符合太阳电池用的本征微晶硅薄膜。材料应用于电池中,制备出了效率达6.6%的微晶硅电池,没有ZnO背反射电极,而且电池的厚度仅为1.0μm。

关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜微晶硅电池

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高速微晶硅材料的制备及其特性分析

引用

真空科学与技术学报 2005年第4期25卷 275-277,282页

作者：张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学) 天津300071

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备出了系列不同功率的微晶硅薄膜.对薄膜的电学特性和结构特性进行了测试分析,结果表明:制备出了光敏性在500～700、激活能在0.5 eV左右、沉积速率大于0.8 nm/s和晶化率在60%左右的微晶硅... 详细信息

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备出了系列不同功率的微晶硅薄膜.对薄膜的电学特性和结构特性进行了测试分析,结果表明:制备出了光敏性在500～700、激活能在0.5 eV左右、沉积速率大于0.8 nm/s和晶化率在60%左右的微晶硅材料.同时也对材料的稳定性进行了相关的研究.

关键词：微晶硅薄膜拉曼光谱光发射谱

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

P型微晶硅材料及在薄膜太阳电池上的应用

引用

功能材料与器件学报 2005年第4期11卷 423-426页

作者：朱锋魏长春张晓丹高艳涛孙建王岩韩晓艳赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用VHF-PECVD技术沉积硼掺杂的P型微晶硅薄膜材料,在硅烷浓度(SC)为0.8%,反应气压93Pa时,随等离子体功率的增加,材料的晶化率和电导率先增大,后减小;薄膜的透过率随功率的增大而增加。将获得的P型微晶硅薄膜应用在微晶硅薄膜太阳电池中... 详细信息

采用VHF-PECVD技术沉积硼掺杂的P型微晶硅薄膜材料,在硅烷浓度(SC)为0.8%,反应气压93Pa时,随等离子体功率的增加,材料的晶化率和电导率先增大,后减小;薄膜的透过率随功率的增大而增加。将获得的P型微晶硅薄膜应用在微晶硅薄膜太阳电池中,电池结构为glass/p-μc-Si:H/I-μc-Si:H/n-μc-Si:H/A l,厚度约1μm,没有背反射电极的情况下,电池效率达到了7.32%(Voc=0.520V,Jsc=21.33mA/cm2,FF=64.74%)。

关键词： VHF—PECVD 微晶硅太阳电池

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

VHF-PECVD制备微晶硅材料的均匀性及其结构特性的分析

引用

液晶与显示 2005年第2期20卷 99-102页

作者：张晓丹高艳涛赵颖朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用VHF PECVD技术在多功能系统(clustertool)中制备了系列硅薄膜,研究薄膜的均匀性及电学特性和结构特性。结果表明:气压和功率的合理匹配对薄膜的均匀性有很大的影响;材料的喇曼测试和电学测试结果表明微晶硅薄膜存在着纵向的结构不均... 详细信息

采用VHF PECVD技术在多功能系统(clustertool)中制备了系列硅薄膜,研究薄膜的均匀性及电学特性和结构特性。结果表明:气压和功率的合理匹配对薄膜的均匀性有很大的影响;材料的喇曼测试和电学测试结果表明微晶硅薄膜存在着纵向的结构不均匀,在将材料应用于器件上时,必须要考虑优化合适的工艺条件;硅烷浓度大,相应制备薄膜的晶化程度减弱,即薄膜中非晶成分增多。

关键词：微晶硅薄膜薄膜均匀性晶化率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：