检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2014年第7期63卷 301-305页

作者：陈培专侯国付索松倪牮张建军张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室、光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文研究制备一种由低折射率的SiOx层与高折射率的a-Si层周期性交叠构成的新型一维光子晶体(1D PC)背反射器.研究结果表明,随着SiOx/a-Si交叠周期数的增加,一维光子晶体的反射率逐步提高.当周期数大于3时,在空气中500—750 nm波长范围... 详细信息

本文研究制备一种由低折射率的SiOx层与高折射率的a-Si层周期性交叠构成的新型一维光子晶体(1D PC)背反射器.研究结果表明,随着SiOx/a-Si交叠周期数的增加,一维光子晶体的反射率逐步提高.当周期数大于3时,在空气中500—750 nm波长范围的平均反射率达到96%.将该一维光子晶体作为背反射器应用于NIP型非晶硅电池(电池结构为玻璃/1D PC/AZO/NIP a-Si:H/ITO),当光子晶体周期为4时,效率达到7.9%,略优于传统的AZO/Ag背反射电极结构电池(7.7%),明显高于不锈钢衬底电池(6.9%),相对效率提升14.5%.

关键词：非晶硅薄膜太阳电池一维光子晶体陷光结构背反射器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

微晶硅太阳电池中P/I界面的调制研究

微晶硅太阳电池中P/I界面的调制研究

引用

2015第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

作者：白立沙刘伯飞方家李宝璋黄茜张德坤魏长春孙建赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室

目录1.研究背景2.单结μc-Si:H 太阳电池的优化2.1 单结μc-Si:H 太阳电池的结构2.2 a-Si界面层对微晶硅电池的性能调制2.3 nc-SiOx界面层对微晶硅电池的性能调制3.结论

关键词：

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

CdS缓冲层在钙钛矿太阳电池中的应用

CdS缓冲层在钙钛矿太阳电池中的应用

引用

2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

作者：姚鑫梁俊辉葛阳石标范琳刘迪赵善真张德坤孙建魏长春赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文研究了CdS缓冲层对钙钛矿性能的影响以及退火温度对基于ZnO/CdS衬底的钙钛矿薄膜性能及电池的影响。研究发现，引入CdS缓冲层后，钙钛矿与ZnO间带阶减小，电池开路电压损失变小，电子更容易传输，电池的开路电压和短路电流均有所提... 详细信息

本文研究了CdS缓冲层对钙钛矿性能的影响以及退火温度对基于ZnO/CdS衬底的钙钛矿薄膜性能及电池的影响。研究发现，引入CdS缓冲层后，钙钛矿与ZnO间带阶减小，电池开路电压损失变小，电子更容易传输，电池的开路电压和短路电流均有所提升。随着退火温度的升高，基于ZnO/CdS衬底的钙钛矿薄膜吸收变大，钙钛矿结晶增强，并且钙钛矿晶粒变大。电池性能得到明显的提升。但当退火温度升高至140摄氏度时，钙钛矿分解，电池性能下降。

关键词：钙钛矿太阳电池硫化镉缓冲层薄膜性能转换效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

光电转换效率为14.8%的钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池

光电转换效率为14.8%的钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池

引用

2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

作者：范琳王奉友梁俊辉姚鑫方家张德坤魏长春赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

本文成功制备了平面型半透明钙钛矿／硅异质结四端叠层太阳电池，研究了超薄金电极的光电特性及其对四端叠层太阳电池性能的影响;结果表明薄金在300-1200nm范围内比厚金具有较好的透过。尽管ITO显示出最好的透过特性，但它必须经过高温... 详细信息

本文成功制备了平面型半透明钙钛矿／硅异质结四端叠层太阳电池，研究了超薄金电极的光电特性及其对四端叠层太阳电池性能的影响;结果表明薄金在300-1200nm范围内比厚金具有较好的透过。尽管ITO显示出最好的透过特性，但它必须经过高温沉积才可以保证较好的电学性能和透过特性。然而，钙钛矿材料在高温条件下易发生分解，因此ITO不适合应用在钙钛矿太阳电池中。

关键词：叠层太阳电池性能表征薄金电极光电特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

低硒压硒化制备CZTSe薄膜

低硒压硒化制备CZTSe薄膜

引用

2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

作者：姚立勇敖建平毕金莲高守帅孙国忠周志强何青孙云南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津3000711

本文阐述了低硒压无Sn辅助硒化方法是制备CZTSe薄膜的重要方法之一。500℃硒化热处理过程中Sn流失不明显，三步硒化法可实现高质量的CZTSe薄膜，采用三步后硒化方法制备的CZTSe薄膜太阳电池器件效率为8.2％。经工艺优化，效率达8.6%。

关键词：化合物半导体薄膜制备质量控制

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

IBC太阳电池关键制作工艺研究

IBC太阳电池关键制作工艺研究

引用

2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

作者：杜荣池张晓丹李娟王奉友赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文介绍了IBC太阳电池制作中制绒、光刻、反应离子刻蚀等关键工艺技术，说明了不同的工艺条件对制作效果的影响，通过优化这些关键工艺，可以有效提高IBC太阳电池的发电性能。

关键词：硅太阳电池制作工艺发电性能

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于透射光谱确定微晶硅锗薄膜的光学常数

引用

光电子．激光 2014年第1期25卷 107-112页

作者：黄振华张建军倪牮李天微曹宇王昊赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071

结合多层结构模型以及柯西色散公式,给出一种由透射谱提取微晶硅锗(μc-Si1-x Gex:H)薄膜光学常数的Matlab方法。与Swanepeol方法、PUMA(pointwise unconstrained minimization approach)方法相比,Matlab法通过透射率极值的位置而非幅... 详细信息

结合多层结构模型以及柯西色散公式,给出一种由透射谱提取微晶硅锗(μc-Si1-x Gex:H)薄膜光学常数的Matlab方法。与Swanepeol方法、PUMA(pointwise unconstrained minimization approach)方法相比,Matlab法通过透射率极值的位置而非幅值计算折射率,能够避免幅值大小偏差所造成的影响,得到更准确的光学常数,拟合精度能提高1个数量级。计算所得不同Ge含量的光学常数表明,μc-Si1-x Gex:H在整个波长范围内有更高的吸收系数和折射率,并且二者随Ge含量增加而增加。由ASA(advanced semiconductor analysis)进一步计算表明,相对于μc-Si:H电池,当本征吸收层较薄时相同厚度的μc-Si1-x Gex:H电池从400nm开始即能表现出更高的量子效率(QE)响应,当本征吸收层较厚时相同厚度的μc-Si1-x Gex:H电池在近红外区域的QE响应依然优势明显。并且,在获得相同电流密度的情况下,μc-Si1-x Gex:H电池能够明显降低本征吸收层厚度,因而能够有效降低Si基薄膜太阳电池的制造成本。

关键词：微晶硅锗(μc-Si1-xGex H) 光学常数 Swanepeol法 ASA

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高效单结双结以及三结叠层硅基薄膜太阳电池

高效单结双结以及三结叠层硅基薄膜太阳电池

引用

2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

作者：张晓丹白立沙刘伯飞方家陈泽黄茜倪牮张德坤魏长春孙健侯国付任慧志陈新亮许盛之王广才张建军赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文阐述了在高效单结、双结以及三结叠层硅基薄膜太阳电池的最新研究进展，最终获得了初始效率分别为11.3％、11.45%和10.54%的高效PIN型非晶硅、非晶硅锗以及微晶硅单结。优化子电池隧穿复合结和电流匹配，获得了初始效率为13.65%和16... 详细信息

本文阐述了在高效单结、双结以及三结叠层硅基薄膜太阳电池的最新研究进展，最终获得了初始效率分别为11.3％、11.45%和10.54%的高效PIN型非晶硅、非晶硅锗以及微晶硅单结。优化子电池隧穿复合结和电流匹配，获得了初始效率为13.65%和16.07%的高效非晶硅／微晶硅双结和非晶硅／非晶硅锗／微晶硅三结叠层电池。

关键词：薄膜太阳电池电流匹配转换效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

真空顺序沉积法获得均匀稳定的钙钛矿薄膜

真空顺序沉积法获得均匀稳定的钙钛矿薄膜

引用

2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

作者：石标姚鑫黄茜范琳张德坤孙建魏长春赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文采用PbCl2和CH2NH71前驱物的顺序沉积法，制备了均匀、致密、高稳定性的钙钛矿薄膜，且电子传输层为溅射制备的ZnO，用顺序沉积法制备钙钛矿薄膜，需要解决的关键问题是让PbCl2与CH3NH31充分反应，并得到厚度适当的钙钛矿薄膜。鉴于... 详细信息

本文采用PbCl2和CH2NH71前驱物的顺序沉积法，制备了均匀、致密、高稳定性的钙钛矿薄膜，且电子传输层为溅射制备的ZnO，用顺序沉积法制备钙钛矿薄膜，需要解决的关键问题是让PbCl2与CH3NH31充分反应，并得到厚度适当的钙钛矿薄膜。鉴于PbCl2的速率高度可控，而CH3NH31的蒸发速率不易控，将PbCl2的蒸发速率控制在一定范围，而CH3NH31米用温控蒸发，温度控制在120℃下制备的钙钛矿薄膜具有高的稳定性。

关键词：钙钛矿薄膜制备工艺蒸发速率温度控制

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

衬底温度对磁控溅射生长HMGZO薄膜特性的影响

引用

光电子．激光 2014年第11期25卷 2114-2122页

作者：刘杰铭陈新亮田淙升梁俊辉张德坤赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室、光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

为适应高效Si基薄膜太阳电池对宽光谱透明导电薄膜的需求,采用磁控溅射技术生长了不同衬底温度氢化作用下Ga和Mg共掺杂ZnO（HMGZO）透明导电氧化物（TCO）薄膜。研究了不同衬底温度（200~280℃）对HMGZO薄膜结晶特性及光电特性的影响。... 详细信息

为适应高效Si基薄膜太阳电池对宽光谱透明导电薄膜的需求,采用磁控溅射技术生长了不同衬底温度氢化作用下Ga和Mg共掺杂ZnO（HMGZO）透明导电氧化物（TCO）薄膜。研究了不同衬底温度（200~280℃）对HMGZO薄膜结晶特性及光电特性的影响。实验结果表明,制备的HMGZO薄膜均为具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,呈现（002）晶面择优生长。随着衬底温度的升高,薄膜中Mg含量逐渐增加,并且薄膜表面新型锥状结构趋于致密和均匀化。在各元素含量和结晶质量的共同影响下,其电阻率随着温度的升高从6.70×10-4Ω·cm增加至7.63×10-4Ω·cm。所有薄膜在可见光区域（380~800nm）的透过率均在80%以上,由于载流子共振吸收的作用,近红外区域的透过率有所下降。MgO扩展带隙的作用和Burstein-Moss（BM）效应的影响共同促进了薄膜光学带隙Eg展宽,使得Eg达到了3.75eV。当衬底温度为280℃时,薄膜方块电阻为4.91Ω/sq,电阻率为7.63×10-4Ω·cm,光电性能指数ΦTC值达0.022Ω-1。

关键词： ZnO薄膜 Mg和Ga共掺 H2引入衬底温度光学带隙展宽太阳电池

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：