检索结果-内蒙古大学图书馆

2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

作者：毕金莲敖建平姚立勇高守帅孙国忠周志强何青孙云南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津3000711

本论文对电沉积CuInGa金属预制层后硒化制备CIGS薄膜过程中普遍存在Ga聚集进行研究。采用固态硒源后硒化三步法：衬底温度400℃～500℃，硒源温度220℃;550℃无Se热处理;衬底温度550℃，硒源温度220℃。硒化是影响薄膜Ga扩散的关键。采... 详细信息

本论文对电沉积CuInGa金属预制层后硒化制备CIGS薄膜过程中普遍存在Ga聚集进行研究。采用固态硒源后硒化三步法：衬底温度400℃～500℃，硒源温度220℃;550℃无Se热处理;衬底温度550℃，硒源温度220℃。硒化是影响薄膜Ga扩散的关键。采用后硒化三步法在玻璃衬底上制备的CIGS薄膜器件效率10.08％，开路电压498mV，填充因子63.08%。

关键词：铜铟镓硒薄膜制备工艺固态硒源温度控制

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

新型无机无铅钙钛矿电池材料的研究

新型无机无铅钙钛矿电池材料的研究

引用

2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

作者：赵善真张德坤魏长春赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜与器件技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文研究了纯无机、无重金属、具有钙钛矿结构的CsSnl3材料的特性。通过观察发现在DMSO前驱溶剂中结晶生成的CsSnl3物质峰强更强，说明生成物质结晶的晶向更好。材料在80℃的温度下进行后退火。随着后退火时间的增加，CsSnl3晶粒出现略... 详细信息

本文研究了纯无机、无重金属、具有钙钛矿结构的CsSnl3材料的特性。通过观察发现在DMSO前驱溶剂中结晶生成的CsSnl3物质峰强更强，说明生成物质结晶的晶向更好。材料在80℃的温度下进行后退火。随着后退火时间的增加，CsSnl3晶粒出现略微的增加，表面后退火有利于CsSnl3晶体的形成。随着退火时间的增加，表面粗糙度也变大。

关键词：钙钛矿电池三碘化铯锡晶粒数量表面粗糙度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

微晶硅单结电池I/N界面的调控

微晶硅单结电池I/N界面的调控

引用

2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

作者：白立沙刘伯飞李宝璋黄茜张德坤魏长春孙建赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文通过在宽带隙掺杂层的微晶硅电池I/N界面之间插入合适带隙和厚度的n型a-Si:H界面层，则由本征层与宽带隙硅氧材料间的带隙不连续得以补偿，从而提高载流子收集，提高电池性能，最终得到初始效率高达10.54％的单结微晶硅太阳电池。

关键词：硅太阳电池 I/N界面带隙补偿载流子收集

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

微纳复合结构硅异质结太阳电池的研究

微纳复合结构硅异质结太阳电池的研究

引用

2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

作者：王奉友姜元建李天天杜荣池魏长春张德坤孙建赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 天津化学化工协同创新中心天津300072 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本研究通过溅射Ag薄膜及热退火处理实现尺寸随机分布的Ag纳米颗粒自组装，而后采用干法刻蚀工艺获得微纳复合结构，具有明显的陷光增强效果。基于该结构制备硅异质结太阳电池的开路电压为611mV,转换效率为16.3％。

关键词：硅太阳电池微纳复合结构开路电压转换效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种基于LCoS时序彩色显示降低SDRAM时钟频率的方法

引用

光电子技术 2015年第3期35卷 204-207页

作者：李明代永平南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

提出了一种3W_FIFO+1SDRAM+1R_FIFO架构的LCoS时序彩色显示系统,降低了对SDRAM时钟频率的要求,提高了系统稳定性。分析了常规LCoS时序彩色显示和本文研究的改进型硬件架构上的不同,改进型通过3个W_FIFO将RGB数据分开存储到SDRAM不同位置... 详细信息

提出了一种3W_FIFO+1SDRAM+1R_FIFO架构的LCoS时序彩色显示系统,降低了对SDRAM时钟频率的要求,提高了系统稳定性。分析了常规LCoS时序彩色显示和本文研究的改进型硬件架构上的不同,改进型通过3个W_FIFO将RGB数据分开存储到SDRAM不同位置,再通过R_FIFO从SDRAM不同位置读出分离的RGB信号,以此来提高数据传输效率;接着通过理论计算和Modelsim软件仿真,来验证系统在降低SDRAM的时钟频率情况下,也能够正常稳定工作。

关键词：时序彩色时钟频率硅基液晶显示同步动态随机存取内存

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Ag纳米颗粒在p/AZO界面辅助空穴传输中的应用

Ag纳米颗粒在p/AZO界面辅助空穴传输中的应用

引用

2015第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

作者：李天天张奇星倪牮白立沙方家王奉友张德坤孙健魏长春王广才赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

内容大纲1.研究背景与内容2.研究内容与讨论2.1 基于AZO溅射后腐蚀衬底的Ag 纳米颗粒高功函数界面制备2.2 Ag纳米颗粒对a-Si:H 及a-Si:H/μc-Si:H电池影响2.3 Ag纳米颗粒辅助空穴传输机理研究3.结论

关键词：

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

吸收层厚度仅为20nm效率超过5%的非晶硅电池

吸收层厚度仅为20nm效率超过5%的非晶硅电池

引用

2015第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

作者：方家李天天李宝璋侯国付陈新亮魏长春王广才赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

目录1.背景2.高效超薄非晶硅电池2.1 基于不同衬底的超薄非晶硅电池2.2 制备超薄高效非晶硅电池的关键因素2.3 基于BZO衬底及n-μc-SiOx:H电阻层的高效超薄非晶硅电池3.结论1.1 径向结超薄太阳电池

关键词：

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

硅氧材料及其在硅薄膜和硅异质结太阳电池中的应用研究

硅氧材料及其在硅薄膜和硅异质结太阳电池中的应用研究

引用

2015第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

作者：张晓丹刘伯飞白立沙方家王硕王奉友黄茜倪牮魏长春张德坤孙建陈新亮任慧志侯国付许盛之王广才赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

主要内容背景介绍掺杂及本征SiOx 材料特性SiOx先进功能层在太阳电池中的应用I.光学耦合***/P 接触特性调节III.带阶失配补偿IV.改善沟道漏电

关键词：

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

硅异质结电池衬底形貌的修饰及其在电池中的应用研究

引用

物理学报 2014年第13期63卷 313-319页

作者：赵振越张晓丹王奉友姜元建杜建高海波赵颖刘彩池南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息功能材料研究所天津300130

对单晶硅衬底制绒可有效增强其陷光作用,提高硅异质结太阳电池的短路电流.但在沉积非晶硅的过程中,制绒衬底的金字塔沟壑处易出现两相式外延生长,降低电池输出特性参数.对此本文采用两种方法修饰制绒衬底的微观形貌,并将其分别应用到硅... 详细信息

对单晶硅衬底制绒可有效增强其陷光作用,提高硅异质结太阳电池的短路电流.但在沉积非晶硅的过程中,制绒衬底的金字塔沟壑处易出现两相式外延生长,降低电池输出特性参数.对此本文采用两种方法修饰制绒衬底的微观形貌,并将其分别应用到硅异质结太阳电池的制备当中.通过混酸溶液对碱制绒后的衬底进行平滑处理,使金字塔形貌更加平滑,电池开路电压由564.6 mV提高到609.4 mV.此外,采用四甲基氢氧化铵替代碱溶液,发现制绒后的衬底不仅具有良好的陷光效果,且其形貌更为平滑,使得电池的开路电压和转换效率均有明显提升.

关键词： TMAH制绒 HIT太阳电池金字塔反射率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

两步法沉积本征层改善非晶硅/晶体硅界面钝化

两步法沉积本征层改善非晶硅/晶体硅界面钝化

引用

第13届全国博士生学术年会——新能源专题

作者：姜元建张晓丹王奉友方家魏长春赵颖南开大学电子信息与光学工程学院光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

一种新奇的两步法本征(i)层生长工艺被应用来改善非晶硅/晶体硅(a-Si∶H/c-Si)界面钝化.研究了不同H2稀释流量比率R(R=[H2/SiH4])下的非晶硅薄膜的体材料的光电特性和其应用于非晶硅/晶体硅界面钝化后的钝化效果之间的关系,并做了比较,... 详细信息

一种新奇的两步法本征(i)层生长工艺被应用来改善非晶硅/晶体硅(a-Si∶H/c-Si)界面钝化.研究了不同H2稀释流量比率R(R=[H2/SiH4])下的非晶硅薄膜的体材料的光电特性和其应用于非晶硅/晶体硅界面钝化后的钝化效果之间的关系,并做了比较,结果表明对于钝化效果来说,非晶硅/晶体硅界面的影响是主要的,要大于非晶硅体材料特性的对钝化的影响.但是,在非晶硅/晶体硅界面没有出现外延生长的情况下,非晶硅薄膜的体材料特性会对钝化有显著的影响.优化后的两步法工艺设计如下:在本征层生长的初始阶段,H2稀释流量比率R要比非晶硅体材料生长所采用的比率要低,以保证界面处的非晶硅仍然处于非晶相,第二阶段用最优的非晶硅体材料生长工艺,以获得最佳质量的钝化薄膜.虽然在抛光的直拉单晶硅片仅用5纳米的非晶硅薄膜来钝化,得到的有效少子寿命却达到了1.7毫秒.退火后,少子寿命达到了2.5毫秒,与之相对应的暗含的开压理论值达到了0.724V.

关键词：半导体材料非晶硅晶体硅界面钝化

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：