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358 篇 工学
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- 1 篇 纺织科学与工程
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45 篇 理学
- 42 篇 物理学
- 9 篇 化学
- 1 篇 数学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学

主题

59 篇 太阳电池
42 篇 薄膜太阳电池
21 篇 微晶硅
18 篇 绒面结构
18 篇 衬底温度
17 篇 甚高频等离子体增...
17 篇 微晶硅薄膜
16 篇 zno薄膜
12 篇 高速沉积
12 篇 太阳能电池
12 篇 硅基
12 篇 化学气相沉积
12 篇 vhf-pecvd
12 篇 磁控溅射
12 篇 硅基薄膜太阳电池
10 篇 光电性能
9 篇 转换效率
9 篇 电学特性
9 篇 陷光结构
9 篇 mocvd

机构

372 篇 南开大学
64 篇 光电信息技术科学...
60 篇 河北工业大学
25 篇 光电子薄膜器件与...
11 篇 天津市光电子薄膜...
8 篇 南开大学光电子薄...
7 篇 天津新华职工大学
6 篇 南开大学光电子薄...
4 篇 天津大学
3 篇 南开大学光电子薄...
3 篇 仪器科学与动态测...
3 篇 深圳市力伟数码技...
3 篇 天津化学化工协同...
3 篇 希腊帕特雷大学
2 篇 中国民航大学
2 篇 天津工业大学
2 篇 天津光电通信技术...
2 篇 香港科技大学
2 篇 浙江大学
1 篇 暨南大学

作者

314 篇 赵颖
239 篇 张晓丹
159 篇 耿新华
144 篇 魏长春
132 篇 孙建
101 篇 张德坤
85 篇 陈新亮
65 篇 熊绍珍
65 篇 侯国付
56 篇 薛俊明
47 篇 张建军
43 篇 黄茜
39 篇 倪牮
30 篇 许盛之
29 篇 任慧志
27 篇 白立沙
25 篇 刘伯飞
22 篇 韩晓艳
20 篇 高艳涛
20 篇 朱锋

语言

391 篇 中文

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界面输运特性对n-i-p型非晶硅太阳电池性能的影响

界面输运特性对n-i-p型非晶硅太阳电池性能的影响

引用

第13届中国光伏大会

作者：马峻倪牮张建军刘群耿新华张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071

本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对比研究了多种p型窗口层(包括p-a-SiC:H,p-u c-Si:H,p-nc-Si:H,混合相p-a-SiC:H/nc-Si:H)结构特征以及相关界面输运特性对n-i-p型非晶硅太阳电池性能的影响.通过对比不同p型窗口... 详细信息

本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对比研究了多种p型窗口层(包括p-a-SiC:H,p-u c-Si:H,p-nc-Si:H,混合相p-a-SiC:H/nc-Si:H)结构特征以及相关界面输运特性对n-i-p型非晶硅太阳电池性能的影响.通过对比不同p型窗口层的纵向输运特性和非晶硅电池的光态暗态曲线,发现p-a-SiC:H和p-nc-Si:H纵向电导率低、电学输运性能较差,而p-uc-Si:H在i/p界面处能带和晶格结构不匹配,增加界面处的载流子复合.将优化的混合相p-a-SiC:H/nc-Si:H薄膜作为p型窗口层用于n-i-p型非晶硅电池,通过i/p界面处理技术及缓冲层工艺的优化,使非晶硅薄膜电池的性能,尤其是界面复合得到明显改善,最终获得了高效非晶硅电池(Voc=0.95V,Jsc=11.3 mA/cm2,FF=73％,Eff=7.8％).

关键词：非晶硅太阳电池等离子体增强化学气相沉积工艺射频技术光电性能

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柔性不锈钢电沉积Cu-In-Ga金属预置层后硒化

柔性不锈钢电沉积Cu-In-Ga金属预置层后硒化

引用

第13届中国光伏大会

作者：毕金莲敖建平张超姚立勇孙国忠周志强何青孙云南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津3000711

以柔性不锈钢材料为衬底,在室温下用电沉积的方法从酸性水溶液中,利用恒电流沉积制备Cu/In/Ga叠层预制层,研究了预制层固态Se源硒化制备CIGS薄膜,主要讨论了衬底粗糙度对Mo背电极及CIGS薄膜的影响.分别利用XRD、XRF和SEM表征薄膜的晶向... 详细信息

以柔性不锈钢材料为衬底,在室温下用电沉积的方法从酸性水溶液中,利用恒电流沉积制备Cu/In/Ga叠层预制层,研究了预制层固态Se源硒化制备CIGS薄膜,主要讨论了衬底粗糙度对Mo背电极及CIGS薄膜的影响.分别利用XRD、XRF和SEM表征薄膜的晶向、组分和形貌.XRD测试发现,存在CIS和CGS两相分离,即Ga聚集在背电极处,扩散不均匀.从SEM图中观察到,薄膜底部晶粒尺寸比表面小,表明其底部为富Ga相,与XRD测试结果一致.在此基础上制备的CIGS薄膜太阳电池的转换效率达到5.5％.

关键词：铜铟镓硒薄膜电沉积工艺硒化技术不锈钢材料

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基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计

基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计

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第13届中国光伏大会

作者：刘伯飞张晓丹白立沙张德坤魏长春孙建黄茜陈新亮王广才赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究.通过优化溅射后腐蚀ZnO:Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,有效提升了非晶硅锗电池的长波响应.针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充... 详细信息

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究.通过优化溅射后腐蚀ZnO:Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,有效提升了非晶硅锗电池的长波响应.针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充因子差的问题,通过对非晶硅锗本征层设计合适的梯度带隙,有效改善了本征层空穴输运特性,电池填充因子显著提高.在优化的光电结构设计基础上,单结非晶硅锗电池转换效率达9.07％,而与之对应的a-Si:H/a-SiGe:H双叠电池效率则达到12.03％.

关键词：非晶硅锗薄膜太阳电池光电结构优化设计光电性能

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电沉积Cu/Sn/Zn金属预制层后硒化制备CZTSe薄膜太阳电池

电沉积Cu/Sn/Zn金属预制层后硒化制备CZTSe薄膜太阳电池

引用

第13届中国光伏大会

作者：姚立勇敖建平毕金莲张超孙国忠周志强何青孙云南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

重点研究电沉积Cu/Sn/Zn金属预制层后硒化制备CZTSe薄膜太阳电池.以酸性水溶液为电解液,在Glass/Mo衬底上分层顺序电沉积Cu、Sn、Zn金属预制层,通过XRD测试确定其物相为Cu、Sn、Zn金属单质.通过惰性气体环境合金化处理,预制层中Cu单质... 详细信息

重点研究电沉积Cu/Sn/Zn金属预制层后硒化制备CZTSe薄膜太阳电池.以酸性水溶液为电解液,在Glass/Mo衬底上分层顺序电沉积Cu、Sn、Zn金属预制层,通过XRD测试确定其物相为Cu、Sn、Zn金属单质.通过惰性气体环境合金化处理,预制层中Cu单质与Sn、Zn生成相应的合金相CuSn、Cu11Sn39、Cu52n8,Cu在整个预制层中的分布更加均匀.对合金化后的金属预制层进行两步硒化,得到较好的器件级的CZTSe薄膜,通过XRD和拉曼测试,确定其主要为结晶良好的CZTSe,含有少量的ZnSe.将CZTSe薄膜制备成电池,转换效率达到2.98％.

关键词：薄膜太阳电池电沉积工艺硒化技术理化性质

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非晶硅锗单结电池本征层指数型带隙梯度设计以及其对电池性能的影响

非晶硅锗单结电池本征层指数型带隙梯度设计以及其对电池性能的影...

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第13届中国光伏大会

作者：刘伯飞白立沙赵慧旭魏长春孙建张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津3000711

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于三叠层中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究.针对本征层锗含量提高造成其缺陷密度增大,电池的开路电压和填充因子随之下降的问题,通过对吸收层带隙梯度进行优化设计来改... 详细信息

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于三叠层中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究.针对本征层锗含量提高造成其缺陷密度增大,电池的开路电压和填充因子随之下降的问题,通过对吸收层带隙梯度进行优化设计来改善限制载流子输运特性.

关键词：非晶硅锗薄膜太阳电池带隙梯度优化设计电学性能

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单结微晶硅锗电池的光电模拟研究

单结微晶硅锗电池的光电模拟研究

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第13届中国光伏大会

作者：黄振华张建军倪牮曹宇王昊赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文采用ASA(advanced semiconductor analysis)软件,对单结PIN型微晶硅锗电池进行光电模拟研究,分析了P/I、N/I处缺陷分布以及本征层载流子迁移率这三个因素,对量子效率谱(QE)的影响,并结合反偏压量子效率谱进行了实验方面的验证.通过... 详细信息

本文采用ASA(advanced semiconductor analysis)软件,对单结PIN型微晶硅锗电池进行光电模拟研究,分析了P/I、N/I处缺陷分布以及本征层载流子迁移率这三个因素,对量子效率谱(QE)的影响,并结合反偏压量子效率谱进行了实验方面的验证.通过对这三个因素的实验优化,在锗含量约为35％的情况下获得了效率为4.63％的单结电池.

关键词：单结微晶硅锗电池光电性能数值模拟

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氢气引入对宽光谱Mg和Ga共掺杂ZnO-TCO薄膜的特性影响

氢气引入对宽光谱Mg和Ga共掺杂ZnO-TCO薄膜的特性影响

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第13届中国光伏大会

作者：田淙升陈新亮刘杰铭张德坤魏长春赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

为适应宽光谱高效率硅基薄膜太阳电池应用需求,本文采用直流磁控溅射技术在553 K温度下生长太阳电池用氢化Mg和Ga共掺杂Zn0(HMGZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜.通过微观结构、表面形貌、电学及光学性能的测试和分析,详细地研究了氢气流量对... 详细信息

为适应宽光谱高效率硅基薄膜太阳电池应用需求,本文采用直流磁控溅射技术在553 K温度下生长太阳电池用氢化Mg和Ga共掺杂Zn0(HMGZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜.通过微观结构、表面形貌、电学及光学性能的测试和分析,详细地研究了氢气流量对MGZO薄膜结晶特性及光电性能的影响.实验结果表明:生长获得的HMGZO薄膜均为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,择优取向为(002)方向.随着氢气引入,ZnO薄膜电阻率电阻率从177 Ω·cm急剧减小至7.2×10-3Ω·cm,进一步增加氢气流量造成了电阻率的轻微下降.所有生长获得的HMGZO薄膜平均光学透过率在波长λ～320-1100 nm范围内可达87％以上.由于Mg的作用及B-M效应的影响造成了带隙展宽,最高光学带隙Eg可达～3.7 eV.

关键词：氧化锌-透明导电氧化物薄膜直流磁控溅射技术金属元素物理性能

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衬底温度和溅射类型对Ag/ZnO背电极性能的影响

衬底温度和溅射类型对Ag/ZnO背电极性能的影响

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第13届中国光伏大会

作者：赵静侯国付索松魏长春张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光学信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

采用磁控溅射设备溅射Ag/Zn0背电极,背电极的金属层的表面粗糙度,散射和Haze随着衬底温度的增大呈现增大的趋势.改变磁控溅射类型,得出在射频磁控溅射下比在直流磁控溅射下得到的金属层在长波段的表面粗糙度,散射和Haze有所增大.选用射... 详细信息

采用磁控溅射设备溅射Ag/Zn0背电极,背电极的金属层的表面粗糙度,散射和Haze随着衬底温度的增大呈现增大的趋势.改变磁控溅射类型,得出在射频磁控溅射下比在直流磁控溅射下得到的金属层在长波段的表面粗糙度,散射和Haze有所增大.选用射频磁控溅射在250℃的衬底上溅射Ag/Zn0背电极,将优化的的背电极应用到nip电池中,得到在a-SiGe/a-Si双结叠层电池中效率达到9.45％,其中Jsc=9.37mA/cm2,FF=O.616,Voc=1.637V.

关键词：硅基薄膜太阳电池金属银氧化锌背电极磁控溅射工艺温度效应物理性能

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基于MOCVD ZnO和溅射后腐蚀ZnO衬的高速率单结微晶硅太阳电池的陷光研究

基于MOCVD ZnO和溅射后腐蚀ZnO衬的高速率单结微晶硅太阳电池的陷...

引用

第13届中国光伏大会

作者：白立沙刘伯飞赵慧旭张德坤魏长春孙建赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备高速率微晶硅太阳电池,分别采用MOCVD ZnO:B以及溅射后腐蚀Zn0:Al作为衬底,研究其对微晶硅太阳电池的陷光增强作用.通过对衬底表面形貌、光学特性以及μc-Si:H电池特性的分析表明... 详细信息

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备高速率微晶硅太阳电池,分别采用MOCVD ZnO:B以及溅射后腐蚀Zn0:Al作为衬底,研究其对微晶硅太阳电池的陷光增强作用.通过对衬底表面形貌、光学特性以及μc-Si:H电池特性的分析表明,MOCVD ZnO:B表面小横向尺寸结构可有效增强微晶硅太阳电池的短波响应,而溅射后腐蚀ZnO:Al表面的大横向尺寸结构则可显著提升其长波响应.

关键词：微晶硅薄膜太阳电池等离子体增强化学气相沉积工艺甚高频技术陷光结构物理性能

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利用直流控射方法制备具有高迁移率、高红外透过的ZnO:H薄膜

利用直流控射方法制备具有高迁移率、高红外透过的ZnO:H薄膜

引用

第13届中国光伏大会

作者：梁俊辉陈泽梁雪娇赵颖张晓丹黄茜张德坤孙建魏长春王延峰田淙升刘杰铭南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光学信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

对于传统的AZO、GZO来说要想实现其高电导就必须提高掺杂浓度来提高载流子浓度,然而过高的载流子浓度对红外光的吸收异常严重.本文通过引入氢气作为掺杂源,利用磁控溅射方法生长ZnO:H薄膜,在维持电学性能不变的前提下降低载流子浓度提... 详细信息

对于传统的AZO、GZO来说要想实现其高电导就必须提高掺杂浓度来提高载流子浓度,然而过高的载流子浓度对红外光的吸收异常严重.本文通过引入氢气作为掺杂源,利用磁控溅射方法生长ZnO:H薄膜,在维持电学性能不变的前提下降低载流子浓度提高迁移率,减少对近红外光的吸收,以此来权衡光学与电学特性,实现让更多的光尤其是红外光透过并进入吸收层来提升电池效率.

关键词：掺氢氧化锌薄膜直流控射工艺电学性能数值分析

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