检索结果-内蒙古大学图书馆

第13届中国光伏大会

作者：梁雪娇高海波张晓丹白立沙刘伯飞许盛之魏长春侯国付赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

在NIP氢化微晶硅太阳电池(μc-Si:H)中,使用聚苯乙烯微球为模板制备的周期性蜂窝状绒面背电极能够较大的提高电池中的陷光作用,能够改善其红外长波长区的响应,并能够提高转换效率.利用PS微球模板制备的周期绒面背电极在整个波长范围内... 详细信息

在NIP氢化微晶硅太阳电池(μc-Si:H)中,使用聚苯乙烯微球为模板制备的周期性蜂窝状绒面背电极能够较大的提高电池中的陷光作用,能够改善其红外长波长区的响应,并能够提高转换效率.利用PS微球模板制备的周期绒面背电极在整个波长范围内都有较好的散射特性.通过实验得出:当刻蚀后球的大小为P=1.4μm时制备的周期性结构背反射电极具有好的散射特性.此背反射电极在400-1500nm波长范围内散射都在85％左右.

关键词：氢化微晶硅太阳电池绒面背反射电极制备工艺散射特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

N型微晶硅氧薄膜的纵向生长及其太阳电池研究

N型微晶硅氧薄膜的纵向生长及其太阳电池研究

引用

第13届中国光伏大会

作者：顾龙杨恢东倪牮赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 暨南大学电子工程系广州510632

本文研究了采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备的N型微晶硅氧薄膜的纵向均匀性.喇曼测试结果显示:微晶硅氧薄膜存在着生长结构的纵向不均匀,生长初期存在一定的非晶孵化层,随着厚度的增加材料的晶化率逐渐增大,最后趋于稳定.在... 详细信息

本文研究了采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备的N型微晶硅氧薄膜的纵向均匀性.喇曼测试结果显示:微晶硅氧薄膜存在着生长结构的纵向不均匀,生长初期存在一定的非晶孵化层,随着厚度的增加材料的晶化率逐渐增大,最后趋于稳定.在薄膜生长初期通过增加氢稀释率和增加辉光功率可以有效降低孵化层厚度,提高薄膜纵向均匀性.将不同折射率的N型微晶硅氧薄膜应用在电池当中,相比较采用N型非晶硅具有相同厚度N层的非晶硅太阳电池,短路电流密度提高5.7％,电池效率提高3.6％.

关键词：微晶硅氧薄膜等离子体增强化学气相沉积工艺射频技术纵向均匀性太阳电池

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

I/N界面缓冲层对基于N-μc-SiOx的P-I-N型非晶硅太阳电池性能改善的研究

I/N界面缓冲层对基于N-μc-SiOx的P-I-N型非晶硅太阳电池性能改善...

引用

2013广东材料发展论坛——战略性新兴产业发展与新材料科技创新研讨会

作者：顾龙张晓丹倪牮魏长春杨恢东赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室暨南大学暨南大学电子工程系

针对基于N-μc-SiOx的P-I-N型非晶硅薄膜太阳电池,由于本征层(a-Si:H)和掺杂层(N-μc-SiOx)界面缺陷态过多的原因,导致填充因子下降,本文通过在这两层之间引入N-a-Si:H,改善了界面特性,提高了填充因子。但缓冲层的引入,降低了N-μc-SiO... 详细信息

针对基于N-μc-SiOx的P-I-N型非晶硅薄膜太阳电池,由于本征层(a-Si:H)和掺杂层(N-μc-SiOx)界面缺陷态过多的原因,导致填充因子下降,本文通过在这两层之间引入N-a-Si:H,改善了界面特性,提高了填充因子。但缓冲层的引入,降低了N-μc-SiOx的反射效果,需要进一步增加氧含量,降低折射率;然而氧含量的增加一方面会导致短波QE下降,另一方面过高的氧含量还会导致电池无响应。因此设计引入N-μc-Si:H作为籽晶层,通过复合缓冲层(5nmN-a-Si:H+12nmN-μc-Si:H)的作用,有

关键词：非晶硅太阳电池缓冲层 I/N P-I-N 性能改善 c-SiOx

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于纳米氧化锌的硅衬底陷光研究

基于纳米氧化锌的硅衬底陷光研究

引用

第13届中国光伏大会

作者：杨晓平张晓丹赵振越郝秋艳魏长春许盛之赵颖河北工业大学材料科学与工程学院天津300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学材料科学与工程学院天津300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

增强太阳电池的光吸收是提高其效率的关键之一,氧化锌纳米结构的陷光性能是目前研究的热点.本文采用水热法在制绒Si衬底上合成了氧化锌纳米柱及纳米锥结构,形成氧化锌纳米结构和金字塔相结合的新型结构.通过对样品的表面形貌和光学性能... 详细信息

增强太阳电池的光吸收是提高其效率的关键之一,氧化锌纳米结构的陷光性能是目前研究的热点.本文采用水热法在制绒Si衬底上合成了氧化锌纳米柱及纳米锥结构,形成氧化锌纳米结构和金字塔相结合的新型结构.通过对样品的表面形貌和光学性能的测试分析,详细的研究了氧化锌纳米结构的陷光作用.结果表明:在波长λ～300-1100 nm范围内,氧化锌纳米柱与Si金字塔结合形成的新结构比Si金字塔结构的平均反射率降低了约45.1％,而氧化锌纳米锥与Si金字塔结合形成的新结构比Si金字塔结构的反射降低了约60.2％.这一结果对提高基于硅衬底的太阳电池的转换效率具有很大的潜在应用价值.

关键词：增强太阳电池硅衬底结构陷光性能纳米氧化锌

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

磁控反应溅射直接生长绒面H化Ga掺杂ZnO-TCO薄膜及其特性研究

引用

光电子．激光 2012年第4期23卷 724-729页

作者：王斐陈新亮耿新华黄茜张德坤孙建魏长春张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上直接生长出了具有绒面结构的H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜。研究了H2流量对薄膜结构、表面形貌及光电特性的影响。实验表明,在溅射过程中引入H2明显改善HGZO薄膜电学性能,并且能够直接获得具有绒面结构的... 详细信息

采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上直接生长出了具有绒面结构的H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜。研究了H2流量对薄膜结构、表面形貌及光电特性的影响。实验表明,在溅射过程中引入H2明显改善HGZO薄膜电学性能,并且能够直接获得具有绒面结构的薄膜。在H2流量为2.0sccm时,所制备的HGZO薄膜具有特征尺寸约200nm的类金字塔状表面形貌,同时薄膜方阻为4.8Ω,电阻率达到8.77×10-4Ω.cm。H2的引入可以明显改善薄膜短波区域的光学透过,生长获得的HGZO薄膜可见光区域平均透过率优于85%,近红外区域波长到1 100nm时仍可达80%。为了进一步提高薄膜光散射能力和光学透过率,根据不同H2流量下HGZO薄膜性能的优点,提出了梯度H2技术生长HGZO薄膜;采用梯度H2工艺生长获得的HGZO薄膜长波区域透过率有了一定的提高,薄膜具有弹坑状表面形貌,并且其光散射能力有了明显提高。

关键词： H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜磁控溅射绒面结构梯度H2技术薄膜太阳能电池

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

衬底温度对反应磁控溅射W掺杂ZnO薄膜的微观结构及光电性能的影响

引用

物理学报 2012年第23期61卷 498-504页

作者：张翅陈新亮王斐闫聪博黄茜赵颖张晓丹耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO(WZO)透明导电氧化物薄膜并研究了衬底温度对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响.实验结果表明,WZO薄膜具有良好的(002)晶面择优取向,且适当的衬底温度是制备优质WZO薄膜的关键因... 详细信息

采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO(WZO)透明导电氧化物薄膜并研究了衬底温度对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响.实验结果表明,WZO薄膜具有良好的(002)晶面择优取向,且适当的衬底温度是制备优质WZO薄膜的关键因素.随着衬底温度升高,薄膜表面粗糙度先增大后减小;衬底温度较高时,薄膜的结构致密,结晶质量好,电子迁移率高.当衬底温度为325℃时,WZO薄膜获得最低电阻率9.25×10^(-3)Ω·cm,方块电阻为56.24Ω/□,迁移率为11.8 cm^2 V^(-1)·s^(-1),其在可见光及近红外区域(400—1500 nm)范围的平均透过率达到85.7%.

关键词：反应磁控溅射 ZnO薄膜 W掺杂衬底温度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

WZO薄膜生长及氧流量对其特性的影响

引用

光电子．激光 2012年第7期23卷 1319-1326页

作者：张翅陈新亮王斐闫聪博黄茜赵颖张晓丹耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO(ZnO:W,即WZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜并研究了氧气流量对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响。实验结果表明,WZO薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,且适当的氧气流量是制备... 详细信息

采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO(ZnO:W,即WZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜并研究了氧气流量对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响。实验结果表明,WZO薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,且适当的氧气流量是制备优质WZO薄膜的关键因素。WZO薄膜表面形貌受薄膜结晶质量的影响。当氧气流量为2.08×10-7 m3/s时,WZO薄膜在400～1 500nm透过率达到84.5%,电阻率为4.61×10-3Ω.cm,迁移率为20.5cm2v-1s-1。XPS测试表明WZO薄膜中Zn和W均处于氧化态,其中W元素呈现W6+价态。

关键词：反应磁控溅射 ZnO薄膜 W掺杂 TCO薄膜氧气流量太阳电池

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Ga和Cu／In衬底上电沉积金属Ga

引用

物理化学学报 2012年第8期28卷 1913-1922页

作者：张超敖建平王利姜韬孙国忠何青周志强孙云南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

在酸性水溶液中,分别在金属Ga和Cu/In衬底上进行了Ga电沉积的研究.用循环伏安法研究了导电盐、pH值对电沉积Ga的影响.系统研究了Ga的沉积过程,发现Ga会逐渐向薄膜内部扩散,在Cu/In界面上与CuIn合金反应生成CuGa2合金.针对Cu/In薄膜和Ga... 详细信息

在酸性水溶液中,分别在金属Ga和Cu/In衬底上进行了Ga电沉积的研究.用循环伏安法研究了导电盐、pH值对电沉积Ga的影响.系统研究了Ga的沉积过程,发现Ga会逐渐向薄膜内部扩散,在Cu/In界面上与CuIn合金反应生成CuGa2合金.针对Cu/In薄膜和Ga薄膜是活泼金属的特点,在溶液中加入三乙醇胺有效地保护了Cu/In薄膜和Ga金属薄膜不被氧化,并且提高了Ga沉积的电流效率.在Cu/In薄膜上制备出了均匀光亮的金属Ga薄膜.对电沉积出Cu-In-Ga预置层进行了硒化处理,得到了质量较好的Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜,并制备了太阳电池.电池效率达到了9.42%.

关键词：电化学沉积 Cu(In1-xGax)Se2 循环伏安法金属预置层太阳电池

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

IWO缓冲层对MOCVD-ZnO：B薄膜性能的影响研究

引用

光电子．激光 2012年第4期23卷 697-702页

作者：闫聪博陈新亮陈雪莲孙建张德坤魏长春张晓丹赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的绒面ZnO透明导电(ZnO-TCO)薄膜应用于Si基薄膜太阳电池上能够形成"陷光结构",以提高薄膜太阳电池效率和稳定性。本文将电子束反应蒸发技术生长的掺W的In2O3(In2O3:W,(IWO)薄膜作为缓冲... 详细信息

金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的绒面ZnO透明导电(ZnO-TCO)薄膜应用于Si基薄膜太阳电池上能够形成"陷光结构",以提高薄膜太阳电池效率和稳定性。本文将电子束反应蒸发技术生长的掺W的In2O3(In2O3:W,(IWO)薄膜作为缓冲层,应用于MOCVD-ZnO:B薄膜与玻璃之间,可促进ZnO:B薄膜的生长,并且有效提升薄膜的光散射特性。当IWO缓冲层厚度为20nm时,获得的IWO/ZnO:B薄膜的电阻率为2.07×10-3Ω.cm,迁移率为20.9cm2.V-1.s-1,载流子浓度为1.44×1020 cm-3;同时,薄膜具有的透过率大于85%,且在550nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约9.5%,在800nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约4.5%。

关键词： MOCVD ZnO:B薄膜透明导电氧化物(TCO) 薄膜太阳电池电子束蒸发掺W的In2O3(In2O3:W,IWO)薄膜绒度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

缓冲层对太阳电池用ZnO:B薄膜结构及其光电性能的影响

引用

光电子．激光 2012年第12期23卷 2337-2342页

作者：杨旭陈新亮张建军闫聪博赵慧旭高海波耿新华赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

通过优化ZnO缓冲层(buffer layer),有效地改善了由金属有机化学气相沉积(MOVCD)法制备的ZnO:B薄膜的光电特性。结果表明,"富氧"的缓冲层有效增加了ZnO:B-TCO的近红外区域透过率,使其更适应宽光谱薄膜太阳电池的发展要求。经... 详细信息

通过优化ZnO缓冲层(buffer layer),有效地改善了由金属有机化学气相沉积(MOVCD)法制备的ZnO:B薄膜的光电特性。结果表明,"富氧"的缓冲层有效增加了ZnO:B-TCO的近红外区域透过率,使其更适应宽光谱薄膜太阳电池的发展要求。经过优化的ZnO:B,"类金字塔"状晶粒尺寸约300～500nm,波长550nm处绒度(haze)为10.8%,薄膜电子迁移率为20.7cm2/Vs,电阻率为2.14×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.41×1020cm-3,且在400～1 500nm波长范围内的平均透过率为83%(含2mm厚玻璃衬底)。

关键词：金属有机化学气相沉积(MOCVD) ZnO B薄膜透明导电氧化物(TCO) 缓冲层薄膜太阳电池

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：