检索结果-内蒙古大学图书馆

液晶与显示 2012年第6期27卷 780-784页

作者：耿卫东王立萍王俊周锎李响南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 天津光电通信技术有限公司技术中心天津300211

基于高稳定性单片机PIC18F97J60设计了一种独立运行光伏发电控制器。该控制器采用串口LCD作为显示界面,能够实时显示太阳能电池的电压和输出电流、负载用电情况和控制器运行状态。控制器能够通过以太网与上位机通信。给出了光伏控制器... 详细信息

基于高稳定性单片机PIC18F97J60设计了一种独立运行光伏发电控制器。该控制器采用串口LCD作为显示界面,能够实时显示太阳能电池的电压和输出电流、负载用电情况和控制器运行状态。控制器能够通过以太网与上位机通信。给出了光伏控制器液晶显示模块的硬件结构设计和软件流程设计。实验结果表明,该液晶显示模块接口简单,抗干扰性强,工作稳定,能够满足光伏控制器实时显示的要求。

关键词： PIC18F97J60 液晶显示模块光伏控制器 SPI接口

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纳米Ag颗粒表面等离子激元对上转换材料光致发光性能影响的研究

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物理学报 2012年第4期61卷 442-448页

作者：佟建波黄茜张晓丹张存善赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300130 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027

本文采用共烧结工艺将纳米Ag颗粒引入Yb^(3+),Er^(3+)共掺的NaYF_4上转换材料中,利用X射线衍射及扫描电子显微镜技术对制备的NaYF_4材料进行结构特性和表面形貌的表征,通过吸收谱及荧光光谱测试技术对NaYF_4材料光吸收及光发射特性进行... 详细信息

本文采用共烧结工艺将纳米Ag颗粒引入Yb^(3+),Er^(3+)共掺的NaYF_4上转换材料中,利用X射线衍射及扫描电子显微镜技术对制备的NaYF_4材料进行结构特性和表面形貌的表征,通过吸收谱及荧光光谱测试技术对NaYF_4材料光吸收及光发射特性进行表征.通过对纳米Ag颗粒引入量的优化,获得了Yb^(3+),Er^(3+)共掺的NaYF_4上转换材料荧光发射峰的增强,300—800 nm全光谱范围内增益达28%,在544 nm处获得最大增益55%,具有显著的荧光增强效果.同时分析了不同数量纳米Ag颗粒的引入对NaYF_4材料吸收谱及光致发光特性影响,指出了表面等离子激元的光猝灭及共振吸收增强作用机理.

关键词：纳米Ag溶胶表面等离子激元上转换材料共振吸收

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薄膜太阳电池系列讲座(15) 硅基薄膜太阳电池(七)

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太阳能 2012年第15期 16-17页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

（3）非晶硅氧（a－SiO：H）合金[34,35］以H稀释硅烷添加CO2作混合气源，控制衬底温度、沉积气压及C02浓度比C02／（C02＋SiH4）（其中硅烷用氢稀释浓度比SiH。／（SiH4＋H2）表示），在等离子体放电作用下，C02、SiH4、H2之间将产生... 详细信息

（3）非晶硅氧（a－SiO：H）合金[34,35］以H稀释硅烷添加CO2作混合气源，控制衬底温度、沉积气压及C02浓度比C02／（C02＋SiH4）（其中硅烷用氢稀释浓度比SiH。／（SiH4＋H2）表示），在等离子体放电作用下，C02、SiH4、H2之间将产生以下反应：SiH44＋C02＋H2→a-SiO：H，生成非（或微）晶硅氧合金薄膜。

关键词：薄膜太阳电池硅基等离子体放电 SiH4 合金薄膜 C02 衬底温度浓度比

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薄膜太阳电池系列讲座(14) 硅基薄膜太阳电池(六)

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太阳能 2012年第13期 17-19页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

下面分别对a—SiC：H、a—SiO：H和a-SiGe：H三种合金材料进行介绍。

关键词：薄膜太阳电池硅基合金材料 SiC SiO

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薄膜太阳电池系列讲座(18) 硅基薄膜太阳电池(十)

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太阳能 2012年第21期 14-16页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

单结硅基薄膜太阳电池的Ｖoc、Jsc。与带隙之间的实验结果如图48所示。由图中可知，晶体材料基本符合Green的半经验极限，据Kiess的理论数值有一个近乎平行的整体位移，而薄膜电池中多晶CdTe电池离Green极限有一定差距，而无定形非晶硅... 详细信息

单结硅基薄膜太阳电池的Ｖoc、Jsc。与带隙之间的实验结果如图48所示。由图中可知，晶体材料基本符合Green的半经验极限，据Kiess的理论数值有一个近乎平行的整体位移，而薄膜电池中多晶CdTe电池离Green极限有一定差距，而无定形非晶硅电池则差距较大，这与薄膜材料的结构、性能、制备工艺成熟程度明显相关。该数据对非晶硅电池的数据显得陈旧，目前Koc达到1V并非难事。

关键词：薄膜太阳电池硅基 Green 非晶硅电池晶体材料整体位移 CdTe 薄膜电池

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硅基薄膜太阳电池(九)