检索结果-内蒙古大学图书馆

人工晶体学报 2011年第4期40卷 843-847页

作者：任世荣陈新亮张存善孙建张晓丹耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300130

利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO(In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究。SiO2缓冲层在室温生长。SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜。实验获得的具有SiO2... 详细信息

利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO(In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究。SiO2缓冲层在室温生长。SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜。实验获得的具有SiO2阻挡层的IWO薄膜的电子迁移率μ～54.5 cm.2V-.1s-1,电阻率ρ～5.86×10-4Ω.cm,电子载流子浓度n～1.95×1020 cm-3,400～1600 nm光谱区域内的平均透过率～76%。

关键词：电子束沉积技术 SiO2阻挡层 IWO薄膜高迁移率

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退火对活性层P3HT:PCBM性能的影响

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太阳能学报 2011年第2期32卷 220-224页

作者：张亚萍张建军李文杰耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学材料科学与工程学院天津300130

采用匀胶机旋涂成膜的方法在手套箱中制备了P3HT:PCBM薄膜,详细研究了退火处理对薄膜的吸收、晶体结构以及表面形貌的影响,并全面阐述了它们之间的联系。结果发现退火后薄膜的吸收增强,吸收峰的峰位有所红移,通过XRD测试研究表明是因为... 详细信息

采用匀胶机旋涂成膜的方法在手套箱中制备了P3HT:PCBM薄膜,详细研究了退火处理对薄膜的吸收、晶体结构以及表面形貌的影响,并全面阐述了它们之间的联系。结果发现退火后薄膜的吸收增强,吸收峰的峰位有所红移,通过XRD测试研究表明是因为薄膜出现了不同程度的晶化,主要是P3HT发生了部分晶化。对表面形貌进一步研究发现退火后薄膜的表面粗糙度有所增加,并形成了一定清晰可见的互穿网络,薄膜发生品化,使薄膜性能得到大大改善。将优化得到的材料用于太阳电池中,电池结构为glass/ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/Al,在AM1.5,100mW/cm^2条件下测试获得电池效率1.41%。

关键词： P3HT PCBM 退火吸收晶体结构形貌

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PET柔性衬底上生长绒面ZnO-TCO薄膜及其在薄膜太阳电池中的应用

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光电子．激光 2011年第5期22卷 714-717页

作者：林泉陈新亮倪牮张德坤孙建赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在PET柔性衬底上低温生长绒面结构ZnO-TCO薄膜,DEZn和H2O作为源材料,B2H6作为掺杂剂。详细研究了薄膜掺杂流量对ZnO薄膜微观结构以及光电性能影响。优化获得的PET/ZnO:B薄膜厚约为1500 nm时... 详细信息

利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在PET柔性衬底上低温生长绒面结构ZnO-TCO薄膜,DEZn和H2O作为源材料,B2H6作为掺杂剂。详细研究了薄膜掺杂流量对ZnO薄膜微观结构以及光电性能影响。优化获得的PET/ZnO:B薄膜厚约为1500 nm时,绒面结构PET/ZnO薄膜的方块电阻约为10Ω,可见光及近红外范围平均透过率达80%。初步应用于a-Si薄膜电池,电池结构为PET/ZnO-TCO/pin-a-Si/Al,电池的转换效率可达6.3%。

关键词：金属有机化学气相沉积(MOCVD) PET柔性衬底 ZnO-TCO薄膜薄膜太阳电池

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电子束反应蒸发制备高迁移率IMO薄膜及其性能研究

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光电子．激光 2011年第7期22卷 1022-1025页

作者：陈新亮韩东港张德坤孙建耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

研究了掺杂剂含量对电子束反应蒸发技术生长掺钼氧化铟（In2O3：Mo,IMO）薄膜的微观结构以及光学和电学性能的影响。采用高纯度In2O3：MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。随着MoO3掺杂剂含量的增加,IMO薄膜电阻率先降低而后增加,光学性能呈现... 详细信息

研究了掺杂剂含量对电子束反应蒸发技术生长掺钼氧化铟（In2O3：Mo,IMO）薄膜的微观结构以及光学和电学性能的影响。采用高纯度In2O3：MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。随着MoO3掺杂剂含量的增加,IMO薄膜电阻率先降低而后增加,光学性能呈现薄膜透过率下降的趋势。在1.0 wt.%MoO3掺杂剂含量时,获得最佳薄膜性能,薄膜电阻率ρ约为1.97×10^-4Ω.cm,方块电阻Rs约为18Ω/□,载流子浓度n约为6.85×1020cm^-3,电子迁移率μ约为46.3 cm2.V^-1.s^-1,可见光和近红外区域透过率T约为75%-85%（含玻璃衬底）。这种高迁移率的IMO薄膜有望应用于μc-Si：H薄膜太阳电池以及a-Si：H/μc-Si：H硅叠层薄膜太阳电池。

关键词：电子束反应蒸发技术掺钼氧化铟(In2O3:Mo,IMO)薄膜高迁移率太阳电池

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引入微晶硅底电池的PIN型三结Si基薄膜太阳电池的制备

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光电子．激光 2011年第4期22卷 495-498页

作者：张鹤郑新霞张晓丹刘伯飞林泉樊正海魏长春孙建耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071

为充分利用太阳光谱能量,在玻璃衬底的PIN型a-Si/a-SiGe电池中直接引入了微晶硅(μc-Si:H)底电池。从透明导电氧化物(TCO)衬底的光透过率估算了PIN型a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池实现高转化效率的可行性。通过调整μc-Si:H底电池... 详细信息

为充分利用太阳光谱能量,在玻璃衬底的PIN型a-Si/a-SiGe电池中直接引入了微晶硅(μc-Si:H)底电池。从透明导电氧化物(TCO)衬底的光透过率估算了PIN型a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池实现高转化效率的可行性。通过调整μc-Si:H底电池厚度考察三结电池的性能变化,结果发现,受中间电池的限制,该系列电池性能无显著变化。μc-Si:H电池量子效率(QE)测试结果表明,ZnO背反射层(BR)主要辅助800 nm以上波长光吸收。初步制备的a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池的转换效率(Eff)约为6.5%(Isc=4.75 mA/cm2,Voc=2V,FF=0.71)。

关键词： PIN型Si基薄膜太阳电池三结电池透明导电氧化物(TCO)衬底微晶硅(μc-Si:H)电池 ZnO背反射层(BR)

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Si基薄膜叠层太阳电池中顶底电池电流匹配的实现

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光电子．激光 2011年第6期22卷 868-871页

作者：陈培专陈新亮蔡宁韩晓艳李娟任慧志李阳张晓丹熊绍珍赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

以中间层对非晶硅/微晶硅(a-Si/μc-Si)叠层太阳电池电学特性的影响为研究对象,运用太阳能电池模拟软件,计算了中间层折射率和厚度的变化对顶/底电池电流的影响。针对当前Si基薄膜叠层太阳电池中存在的顶、底电池电流不匹配的问题,提供... 详细信息

以中间层对非晶硅/微晶硅(a-Si/μc-Si)叠层太阳电池电学特性的影响为研究对象,运用太阳能电池模拟软件,计算了中间层折射率和厚度的变化对顶/底电池电流的影响。针对当前Si基薄膜叠层太阳电池中存在的顶、底电池电流不匹配的问题,提供了解决方案。结果表明,应选用折射率小于3.1的材料作中间层;顶、底电池电流完全匹配的中间层折射率增大所需厚度随之增厚,折射率由1.4增大到2.0,最佳中间层厚则由34 nm增加到63 nm。

关键词：非晶硅/微晶硅叠层太阳电池中间层电学模拟顶底电池电流匹配

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薄膜太阳电池用TCO薄膜制造技术及其特性研究

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材料导报 2011年第18期25卷 73-77页

作者：陈新亮王斐闫聪博李林娜林泉倪牮张晓丹耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构... 详细信息

阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如"弹坑"状和"类金字塔"状表面)的主流生长技术;高迁移率TCO薄膜(IMO、IWO、ZnO∶Ga等)以及柔性衬底TCO薄膜是研究开发的重点。

关键词：镀膜技术 TCO薄膜绒面结构高迁移率缓冲层梯度掺杂薄膜太阳电池

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掺杂PEDOT∶PSS对聚合物太阳能电池性能影响的研究

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物理学报 2011年第11期60卷 548-554页

作者：郝志红胡子阳张建军郝秋艳赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息功能材料研究所天津300130

研究了掺杂后poly(3,4-ethylene dioxythiophene):poly(styrenesulphonic acid)(PEDOT∶PSS)电导率的变化以及掺杂PEDOT∶PSS薄膜对聚合物太阳能电池器件性能的影响.实验发现,向PEDOT∶PSS中掺入极性溶剂二甲基亚砜(DMSO)明显提高了薄膜的电导率,掺杂后的电导率最大值达到1.25S/cm,比未掺杂时提高了3个数量级.将掺杂的PEDOT∶PSS薄膜作为缓冲层应用于聚合物电池(ITO/PEDOT∶PSS/P3HT∶PCBM/LiF/Al)中,发现高电导率的PEDOT∶PSS降低了器件的串联电阻,增加了器件的短路电流,从而提高了器件的性能.最好的聚合物太阳能电池在100mW/cm2的光照下,开路电压(Voc)为0.63V,短路电流密度(Jsc)为11.09mA·cm-2,填充因子(FF)为63.7%,能量转换效率(η)达到4.45%.

关键词： PEDOT∶PSS 电导率聚合物太阳能电池能量转换效率

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嵌入式人脸识别系统的硬件方案设计

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南开大学学报（自然科学版） 2011年第4期44卷 35-40页

作者：全治臻周锎耿卫东胡思捷南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光信息技术科学教育部重点实验室天津300071 天津光电通信技术有限公司技术中心天津300211

提出了基于S3C2440和DSP TMS320DM642的双核人脸识别系统的硬件方案,根据系统的功能需求给出了系统的总体框图和各功能模块的实现方案.系统的存储模块、视频采集模块、音频处理模块和USB接口扩展模块的设计原理进行了详细的介绍.此外还... 详细信息

提出了基于S3C2440和DSP TMS320DM642的双核人脸识别系统的硬件方案,根据系统的功能需求给出了系统的总体框图和各功能模块的实现方案.系统的存储模块、视频采集模块、音频处理模块和USB接口扩展模块的设计原理进行了详细的介绍.此外还针对系统的电源需求特点做出了系统的供电方案设计.最后移植人脸识别程序对实现的核心系统进行了性能测试.

关键词：人脸识别嵌入式 S3C2440 DM642

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VHF-PECVD法制备μc-SiGe薄膜的研究

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光电子．激光 2011年第3期22卷 382-386页

作者：敦亚琳张建军张丽平张鑫曹宇郝秋艳耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 河北工业大学信息功能材料研究所天津300130

分别以Si2H6和GeH4及SiH4和GeH4两种组合气体为源气体,用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备μc-SiGe薄膜,用Raman散射光谱和原子力显微镜(AFM)对薄膜的结构进行研究。结果表明:与SiH4和GeH4制备的薄膜系列相比,Si2H6和GeH4... 详细信息

分别以Si2H6和GeH4及SiH4和GeH4两种组合气体为源气体,用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备μc-SiGe薄膜,用Raman散射光谱和原子力显微镜(AFM)对薄膜的结构进行研究。结果表明:与SiH4和GeH4制备的薄膜系列相比,Si2H6和GeH4制备的薄膜中Ge的融入速率相对较慢;用Si2H6和GeH4制备的μc-SiGe薄膜,随着GeH4浓度的增加,薄膜结构始终保持一定的有序度;随着H2稀释率、辉光功率的增大,薄膜结构趋于有序。

关键词： μc-SiGe薄膜甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) Raman光谱原子力显微镜(AFM)

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