检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2012年第15期61卷 476-481页

作者：黄茜熊绍珍赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文采用热蒸发法制备得到纳米Ag颗粒作为增强拉曼衬底,利用入射光子与纳米颗粒表面价电子的相互作用机理,激发出高能表面等离子激元,其表面等离子形成的高能"热点"起到表面增强拉曼散射效果.通过比较不同入射光强下的拉曼峰... 详细信息

本文采用热蒸发法制备得到纳米Ag颗粒作为增强拉曼衬底,利用入射光子与纳米颗粒表面价电子的相互作用机理,激发出高能表面等离子激元,其表面等离子形成的高能"热点"起到表面增强拉曼散射效果.通过比较不同入射光强下的拉曼峰强,指出纳米Ag颗粒的增强拉曼散射效果可以实现低探测光强下的高散射强度,即纳米Ag颗粒的表面等离子激元具有非线性的表面增强拉曼散射效果,可降低对样品的光、热损伤,以利于拓展拉曼散射光谱的应用范围.同时比较不同纳米Ag颗粒衬底的表面增强拉曼散射效果表明,采用的热蒸发工艺具有较大的工艺域度,具有较强的工艺兼容性.

关键词：纳米Ag薄膜表面等离子激元表面增强拉曼散射非线性特性

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IWO缓冲层对MOCVD-ZnO：B薄膜性能的影响研究

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光电子．激光 2012年第4期23卷 697-702页

作者：闫聪博陈新亮陈雪莲孙建张德坤魏长春张晓丹赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的绒面ZnO透明导电(ZnO-TCO)薄膜应用于Si基薄膜太阳电池上能够形成"陷光结构",以提高薄膜太阳电池效率和稳定性。本文将电子束反应蒸发技术生长的掺W的In2O3(In2O3:W,(IWO)薄膜作为缓冲... 详细信息

金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的绒面ZnO透明导电(ZnO-TCO)薄膜应用于Si基薄膜太阳电池上能够形成"陷光结构",以提高薄膜太阳电池效率和稳定性。本文将电子束反应蒸发技术生长的掺W的In2O3(In2O3:W,(IWO)薄膜作为缓冲层,应用于MOCVD-ZnO:B薄膜与玻璃之间,可促进ZnO:B薄膜的生长,并且有效提升薄膜的光散射特性。当IWO缓冲层厚度为20nm时,获得的IWO/ZnO:B薄膜的电阻率为2.07×10-3Ω.cm,迁移率为20.9cm2.V-1.s-1,载流子浓度为1.44×1020 cm-3;同时,薄膜具有的透过率大于85%,且在550nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约9.5%,在800nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约4.5%。

关键词： MOCVD ZnO:B薄膜透明导电氧化物(TCO) 薄膜太阳电池电子束蒸发掺W的In2O3(In2O3:W,IWO)薄膜绒度

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梯度掺杂生长绒面结构ZnO:B-TCO薄膜及其特性研究

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光电子．激光 2012年第2期23卷 280-285页

作者：闫聪博陈新亮耿新华张德坤魏长春张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用新的金属有机化学气相淀积(MOCVD)-ZnO镀膜工艺技术-梯度掺杂技术生长绒面结构。研究ZnO:B-TCO薄膜。结果表明,梯度掺杂技术可有效增加薄膜晶粒尺寸和提高光散射作用。并且,梯度掺杂技术有效地提高了薄膜在近红外区域的光学透过率,... 详细信息

采用新的金属有机化学气相淀积(MOCVD)-ZnO镀膜工艺技术-梯度掺杂技术生长绒面结构。研究ZnO:B-TCO薄膜。结果表明,梯度掺杂技术可有效增加薄膜晶粒尺寸和提高光散射作用。并且,梯度掺杂技术有效地提高了薄膜在近红外区域的光学透过率,有利于应用于宽谱域薄膜太阳电池。生长获得的MOCVD-ZnO薄膜,其薄膜电子迁移率为24 cm2/V,电阻率为2.17×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.20×1020cm-3,且在小于1 000 nm波长范围内的平均透过率大于85%。

关键词：金属有机化学气相淀积(MOCVD) 绒面结构ZnO:B薄膜 TCO 梯度掺杂技术薄膜太阳电池

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CIGS薄膜太阳电池产业化的最新进展及发展趋势

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人工晶体学报 2012年第S1期41卷 189-195页

作者：敖建平南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071

Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池已经进入产业化快速发展阶段,显示出良好的发展趋势。本文就近年来CIGS薄膜太阳电池基础研究和产业化技术所取得重大突破性进展及产业化现状进行了概述。在基础研究方面,共蒸发法制备的小面积电池效率达... 详细信息

Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池已经进入产业化快速发展阶段,显示出良好的发展趋势。本文就近年来CIGS薄膜太阳电池基础研究和产业化技术所取得重大突破性进展及产业化现状进行了概述。在基础研究方面,共蒸发法制备的小面积电池效率达到20.3%,非真空低成本涂覆法制备的电池效率达到17.1%。在产业化方面,商品化组件效率与小面积电池效率差距大幅度缩小,30 cm×30 cm电池组件效率达到17.8%,160 cm×66 cm大面积组件效率达到15.7%,产量和产能大幅增长。CIGS太阳电池产业化的技术路线很多,发展的重点各不相同,但最终也许会有一种解决方案集中所有技术的优点,成为产业化的主流,为未来世界能源供应和制造工业做出巨大贡献。

关键词： CIGS薄膜产业化大面积组件太阳电池

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反应磁控溅射直接生长绒面结构ZnO：Al-TCO薄膜及其特性研究

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光电子．激光 2012年第5期23卷 910-914页

作者：陈新亮王斐耿新华黄茜张德坤魏长春张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

利用反应磁控溅射技术,在玻璃衬底上直接生长获得了"弹坑状"绒面结构的ZnO:Al-TCO薄膜。通过梯度O2生长(GOG,gradual oxygen growth)方法改善ZnO薄膜的透过率和绒度特性,并且具有较好的电学性能。通过优化实验,GOG方法生长ZnO... 详细信息

利用反应磁控溅射技术,在玻璃衬底上直接生长获得了"弹坑状"绒面结构的ZnO:Al-TCO薄膜。通过梯度O2生长(GOG,gradual oxygen growth)方法改善ZnO薄膜的透过率和绒度特性,并且具有较好的电学性能。通过优化实验,GOG方法生长ZnO:Al薄膜(薄膜结构:11.0sccm/10R+9.5sccm/15R)的"弹坑状"特征尺寸为300～500nm,可见光范围透过率达到90%,方块电阻约为4.0Ω/□,电子迁移率为17.4cm2/V-1.s-1。大面积镀制的ZnO:Al具有良好的绒面结构和电学均匀性,可应用于光伏(PV)产业化推广应用。

关键词：磁控溅射技术 ZnO薄膜绒面结构梯度O2生长(GDG) 太阳电池

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IWO缓冲层对磁控溅射生长绒面HGZO薄膜性能的影响

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光电子．激光 2012年第6期23卷 1098-1102页

作者：王斐陈新亮张翅黄茜张德坤孙建魏长春张晓丹赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

研究了W掺In2O3(IWO)缓冲层(buffer layer)对磁控溅射直接生长绒面结构H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。实验发现,加入IWO缓冲层能够有效地增大薄膜表面粗糙度,提高了薄膜光散射能力,薄膜绒度(550nm波长处)由7.05%... 详细信息

研究了W掺In2O3(IWO)缓冲层(buffer layer)对磁控溅射直接生长绒面结构H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。实验发现,加入IWO缓冲层能够有效地增大薄膜表面粗糙度,提高了薄膜光散射能力,薄膜绒度(550nm波长处)由7.05%提高至18.37%;具有IWO缓冲层的HGZO(IWO/HGZO)薄膜的电学性能稍微提升。通过优化工艺条件,当IWO缓冲层厚为10nm时,生长获得的IWO/HGZO复合薄膜方块电阻为3.6Ω,电阻率为6.21×10-4Ωcm,可见光及近红外区域透过率(400～1 100nm)为82.18%,薄膜绒度(550nm波长处)为18.37%。

关键词：磁控溅射 H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜 W掺In2O3(IWO)缓冲层绒面结构薄膜太阳能电池

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W-Ti共掺杂ZnO靶材的烧结及其特性

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材料科学与工程学报 2012年第4期30卷 493-496,555页

作者：乔薇陈新亮张存善张德坤魏长春张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300130

本文根据高价态差掺杂原理,采用常压烧结技术制备了低电阻率的W-Ti共掺杂ZnO陶瓷靶材(WTZO),并研究了烧结温度及烧结气氛对靶材特性的影响。结果表明:当烧结温度为1200℃时,WTZO靶材的特性较好。随着烧结温度的升高,WTZO靶材的相对致密... 详细信息

本文根据高价态差掺杂原理,采用常压烧结技术制备了低电阻率的W-Ti共掺杂ZnO陶瓷靶材(WTZO),并研究了烧结温度及烧结气氛对靶材特性的影响。结果表明:当烧结温度为1200℃时,WTZO靶材的特性较好。随着烧结温度的升高,WTZO靶材的相对致密度先快速增大后缓慢减小,方块电阻先降低后升高。烧结气氛对WTZO靶材特性的影响显著,烧结气氛为空气时,靶材的方块电阻为12.18Ω/□,相对致密度为94.3%;当烧结气氛为高纯Ar气时,靶材的方块电阻为1.253Ω/□,相对致密度为96.7%。

关键词： WTZO靶材烧结温度烧结气氛相对致密度方块电阻

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光伏发电控制器的液晶显示设计

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液晶与显示 2012年第6期27卷 780-784页

作者：耿卫东王立萍王俊周锎李响南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 天津光电通信技术有限公司技术中心天津300211

基于高稳定性单片机PIC18F97J60设计了一种独立运行光伏发电控制器。该控制器采用串口LCD作为显示界面,能够实时显示太阳能电池的电压和输出电流、负载用电情况和控制器运行状态。控制器能够通过以太网与上位机通信。给出了光伏控制器... 详细信息

基于高稳定性单片机PIC18F97J60设计了一种独立运行光伏发电控制器。该控制器采用串口LCD作为显示界面,能够实时显示太阳能电池的电压和输出电流、负载用电情况和控制器运行状态。控制器能够通过以太网与上位机通信。给出了光伏控制器液晶显示模块的硬件结构设计和软件流程设计。实验结果表明,该液晶显示模块接口简单,抗干扰性强,工作稳定,能够满足光伏控制器实时显示的要求。

关键词： PIC18F97J60 液晶显示模块光伏控制器 SPI接口

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纳米Ag颗粒表面等离子激元对上转换材料光致发光性能影响的研究

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物理学报 2012年第4期61卷 442-448页

作者：佟建波黄茜张晓丹张存善赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300130 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027

本文采用共烧结工艺将纳米Ag颗粒引入Yb^(3+),Er^(3+)共掺的NaYF_4上转换材料中,利用X射线衍射及扫描电子显微镜技术对制备的NaYF_4材料进行结构特性和表面形貌的表征,通过吸收谱及荧光光谱测试技术对NaYF_4材料光吸收及光发射特性进行... 详细信息

本文采用共烧结工艺将纳米Ag颗粒引入Yb^(3+),Er^(3+)共掺的NaYF_4上转换材料中,利用X射线衍射及扫描电子显微镜技术对制备的NaYF_4材料进行结构特性和表面形貌的表征,通过吸收谱及荧光光谱测试技术对NaYF_4材料光吸收及光发射特性进行表征.通过对纳米Ag颗粒引入量的优化,获得了Yb^(3+),Er^(3+)共掺的NaYF_4上转换材料荧光发射峰的增强,300—800 nm全光谱范围内增益达28%,在544 nm处获得最大增益55%,具有显著的荧光增强效果.同时分析了不同数量纳米Ag颗粒的引入对NaYF_4材料吸收谱及光致发光特性影响,指出了表面等离子激元的光猝灭及共振吸收增强作用机理.

关键词：纳米Ag溶胶表面等离子激元上转换材料共振吸收

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薄膜太阳电池系列讲座(15) 硅基薄膜太阳电池(七)

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太阳能 2012年第15期 16-17页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

（3）非晶硅氧（a－SiO：H）合金[34,35］以H稀释硅烷添加CO2作混合气源，控制衬底温度、沉积气压及C02浓度比C02／（C02＋SiH4）（其中硅烷用氢稀释浓度比SiH。／（SiH4＋H2）表示），在等离子体放电作用下，C02、SiH4、H2之间将产生... 详细信息

（3）非晶硅氧（a－SiO：H）合金[34,35］以H稀释硅烷添加CO2作混合气源，控制衬底温度、沉积气压及C02浓度比C02／（C02＋SiH4）（其中硅烷用氢稀释浓度比SiH。／（SiH4＋H2）表示），在等离子体放电作用下，C02、SiH4、H2之间将产生以下反应：SiH44＋C02＋H2→a-SiO：H，生成非（或微）晶硅氧合金薄膜。

关键词：薄膜太阳电池硅基等离子体放电 SiH4 合金薄膜 C02 衬底温度浓度比

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