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- 1 篇 教育学

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17 篇 微晶硅薄膜
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作者

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130 篇 孙建
101 篇 张德坤
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65 篇 侯国付
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27 篇 白立沙
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22 篇 韩晓艳
20 篇 高艳涛
20 篇 朱锋

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384 篇 中文

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基于“类金字塔”绒面构建的复合背反射电极

基于“类金字塔”绒面构建的复合背反射电极

引用

第13届中国光伏大会

作者：陈泽魏长春赵颖张晓丹孙建张德坤赵慧旭陈新亮梁俊辉梁雪娇黄茜南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光学信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

绒面背反射电极的陷光作用对提高NIP型硅基薄膜太阳电池的光电转换效率至关重要.本文研究了一种新型的绒面复合背反射电极,首先采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在玻璃衬底上沉积一层“类金字塔”形貌的绒面Zn0薄膜,然后通过... 详细信息

绒面背反射电极的陷光作用对提高NIP型硅基薄膜太阳电池的光电转换效率至关重要.本文研究了一种新型的绒面复合背反射电极,首先采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在玻璃衬底上沉积一层“类金字塔”形貌的绒面Zn0薄膜,然后通过热蒸发技术在其表面覆盖不同厚度的Ag,最后溅射厚度约100nm的ZnO:Al介质薄膜.通过改变实验条件,得到不同表面粗糙度(RMS)(约30nm～150nm)的复合背反射电极.实验获得的复合背反射电极在600nm～11OOnm波长范围内对光的反射率大于88％,300nm～11OOnm波长范围内的反射绒度(Haze)大于90％.结果表明,这种基于“类金字塔”绒面结构构建的MOCVD-ZnO/Ag/ZnO:Al复合背反射电极,能够有效地增强对反射光的散射,有望提高薄膜太阳电池的短路电流密度(Jsc).

关键词：硅基薄膜太阳电池复合背反射电极金属有机化合物化学气相沉积工艺光电性能

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湿法腐蚀法制备高绒度、高反射复合背电极

湿法腐蚀法制备高绒度、高反射复合背电极

引用

第13届中国光伏大会

作者：索松侯国付赵静魏长春张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光学信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

本文研究了一种用于nip型硅基薄膜太阳电池的高绒度、高反射的复合背电极结构.首先采用溅射ZnO薄膜,采用稀盐酸湿法腐蚀获得大尺寸的绒面结构;然后溅射小尺寸绒面结构的Ag;最后溅射ZnO介质薄膜.这样形成的ZnO/Ag/ZnO背电极在大尺寸绒面... 详细信息

本文研究了一种用于nip型硅基薄膜太阳电池的高绒度、高反射的复合背电极结构.首先采用溅射ZnO薄膜,采用稀盐酸湿法腐蚀获得大尺寸的绒面结构;然后溅射小尺寸绒面结构的Ag;最后溅射ZnO介质薄膜.这样形成的ZnO/Ag/ZnO背电极在大尺寸绒面结构的ZnO中包络着小尺寸绒面结构的Ag,由于后面的ZnO介质薄膜厚度较薄,最后的背电极表面自然复制了这种大小相间隔的绒面结构,能够实现良好的陷光作用,同时抑制背电极与硅薄膜接触面的空洞形成.对于ZnO/Ag/ZnO结构的复合背电极,目前实验获得的背电极在波长500nm～1200nm范围内的总反射大于90％,350nm-1200nm范围内的反射绒度大于90％.

关键词：硅基薄膜太阳电池复合背电极湿法腐蚀工艺光学性能

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效率达13%的a-Si/a-SiGe/μc-Si三结叠层电池的研究

效率达13%的a-Si/a-SiGe/μc-Si三结叠层电池的研究

引用

第13届中国光伏大会

作者：侯国付陈新亮张晓丹赵颖赵静白丽莎马骏杜建倪牮刘伯飞索松魏长春南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光学信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

为了获得高效率的a-Si/a-SiGe/μc-Si三结叠层电池,本文分别对背反射电极、高开路电压a-Si顶电池、高效率a-SiGe中间电池以及μc-Si底电池进行了研究.首先采用溅射绒面金属Ag和平面Zn0的方法获得了高反射和较高绒度的Ag/ZnO复合背电极,... 详细信息

为了获得高效率的a-Si/a-SiGe/μc-Si三结叠层电池,本文分别对背反射电极、高开路电压a-Si顶电池、高效率a-SiGe中间电池以及μc-Si底电池进行了研究.首先采用溅射绒面金属Ag和平面Zn0的方法获得了高反射和较高绒度的Ag/ZnO复合背电极,RMS为40nm,400～1200nm范围内的总反射大于85％,800nm出的反射绒度达50％.为了提高a-Si顶电池的开路电压,提出了一种功率梯度法来制备p-nc-Si:H窗口层,有效提高了电池的填充因子和开路电压,最高的开路电压达到0.995V.对于a-SiGe中间电池,重点研究了本征层的GeH4流量梯度、n/i和i/p缓冲层对太阳电池长波段光谱响应和填充因子的影响,目前得到的在最高转换效率达9.75％.在上述单结子电池的基础上,通过调整电流匹配和隧穿结,a-Si/a-SiGe叠层电池效率达到12.06％,a-Si/a-SiGe/μc-Si三结叠层电池效率达13.O9％.

关键词：三结叠层电池制备工艺电学性能产品质量

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利用直流磁控溅射方法制备高迁移率ZnO:H薄膜

利用直流磁控溅射方法制备高迁移率ZnO:H薄膜

引用

第13届中国光伏大会

作者：梁俊辉张晓丹王延峰黄茜魏长春张德坤赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光学信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

要实现太阳电池的最大转换效率必须要满足三个要素:入射光必须尽可能多的被吸收;被吸收的光子必须尽可能多的转化成电子;被转化的电子必须尽可能多的被抽取到器件两端.对于太阳电池来说要满足这几个条件前电极就显得格外的重要.本文所... 详细信息

要实现太阳电池的最大转换效率必须要满足三个要素:入射光必须尽可能多的被吸收;被吸收的光子必须尽可能多的转化成电子;被转化的电子必须尽可能多的被抽取到器件两端.对于太阳电池来说要满足这几个条件前电极就显得格外的重要.本文所研究的氢掺杂氧化锌透明导电氧化物薄膜正是基于以上考量,通过在室温下引入氢气作为掺杂源溅射生长ZOH,然后在氢气氛下退火,在维持电学性能不变的前提下降低载流子浓度提高迁移率,进而实现减少对近红外光的吸收(迁移率为49.8cm2/Vs,载流子浓度1.05×1020cm-3,且在400-1000nm波长范围内的平均透过率可80％以上),实现了有更多的光的透过进入电池的吸收层.

关键词：掺氢氧化锌薄膜直流磁控溅射工艺光学性能产品质量

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界面输运特性对n-i-p型非晶硅太阳电池性能的影响

界面输运特性对n-i-p型非晶硅太阳电池性能的影响

引用

第13届中国光伏大会

作者：马峻倪牮张建军刘群耿新华张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071

本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对比研究了多种p型窗口层(包括p-a-SiC:H,p-u c-Si:H,p-nc-Si:H,混合相p-a-SiC:H/nc-Si:H)结构特征以及相关界面输运特性对n-i-p型非晶硅太阳电池性能的影响.通过对比不同p型窗口... 详细信息

本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对比研究了多种p型窗口层(包括p-a-SiC:H,p-u c-Si:H,p-nc-Si:H,混合相p-a-SiC:H/nc-Si:H)结构特征以及相关界面输运特性对n-i-p型非晶硅太阳电池性能的影响.通过对比不同p型窗口层的纵向输运特性和非晶硅电池的光态暗态曲线,发现p-a-SiC:H和p-nc-Si:H纵向电导率低、电学输运性能较差,而p-uc-Si:H在i/p界面处能带和晶格结构不匹配,增加界面处的载流子复合.将优化的混合相p-a-SiC:H/nc-Si:H薄膜作为p型窗口层用于n-i-p型非晶硅电池,通过i/p界面处理技术及缓冲层工艺的优化,使非晶硅薄膜电池的性能,尤其是界面复合得到明显改善,最终获得了高效非晶硅电池(Voc=0.95V,Jsc=11.3 mA/cm2,FF=73％,Eff=7.8％).

关键词：非晶硅太阳电池等离子体增强化学气相沉积工艺射频技术光电性能

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柔性不锈钢电沉积Cu-In-Ga金属预置层后硒化

柔性不锈钢电沉积Cu-In-Ga金属预置层后硒化

引用

第13届中国光伏大会

作者：毕金莲敖建平张超姚立勇孙国忠周志强何青孙云南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津3000711

以柔性不锈钢材料为衬底,在室温下用电沉积的方法从酸性水溶液中,利用恒电流沉积制备Cu/In/Ga叠层预制层,研究了预制层固态Se源硒化制备CIGS薄膜,主要讨论了衬底粗糙度对Mo背电极及CIGS薄膜的影响.分别利用XRD、XRF和SEM表征薄膜的晶向... 详细信息

以柔性不锈钢材料为衬底,在室温下用电沉积的方法从酸性水溶液中,利用恒电流沉积制备Cu/In/Ga叠层预制层,研究了预制层固态Se源硒化制备CIGS薄膜,主要讨论了衬底粗糙度对Mo背电极及CIGS薄膜的影响.分别利用XRD、XRF和SEM表征薄膜的晶向、组分和形貌.XRD测试发现,存在CIS和CGS两相分离,即Ga聚集在背电极处,扩散不均匀.从SEM图中观察到,薄膜底部晶粒尺寸比表面小,表明其底部为富Ga相,与XRD测试结果一致.在此基础上制备的CIGS薄膜太阳电池的转换效率达到5.5％.

关键词：铜铟镓硒薄膜电沉积工艺硒化技术不锈钢材料

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基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计

基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计

引用

第13届中国光伏大会

作者：刘伯飞张晓丹白立沙张德坤魏长春孙建黄茜陈新亮王广才赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究.通过优化溅射后腐蚀ZnO:Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,有效提升了非晶硅锗电池的长波响应.针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充... 详细信息

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究.通过优化溅射后腐蚀ZnO:Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,有效提升了非晶硅锗电池的长波响应.针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充因子差的问题,通过对非晶硅锗本征层设计合适的梯度带隙,有效改善了本征层空穴输运特性,电池填充因子显著提高.在优化的光电结构设计基础上,单结非晶硅锗电池转换效率达9.07％,而与之对应的a-Si:H/a-SiGe:H双叠电池效率则达到12.03％.

关键词：非晶硅锗薄膜太阳电池光电结构优化设计光电性能

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电沉积Cu/Sn/Zn金属预制层后硒化制备CZTSe薄膜太阳电池

电沉积Cu/Sn/Zn金属预制层后硒化制备CZTSe薄膜太阳电池

引用

第13届中国光伏大会

作者：姚立勇敖建平毕金莲张超孙国忠周志强何青孙云南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

重点研究电沉积Cu/Sn/Zn金属预制层后硒化制备CZTSe薄膜太阳电池.以酸性水溶液为电解液,在Glass/Mo衬底上分层顺序电沉积Cu、Sn、Zn金属预制层,通过XRD测试确定其物相为Cu、Sn、Zn金属单质.通过惰性气体环境合金化处理,预制层中Cu单质... 详细信息

重点研究电沉积Cu/Sn/Zn金属预制层后硒化制备CZTSe薄膜太阳电池.以酸性水溶液为电解液,在Glass/Mo衬底上分层顺序电沉积Cu、Sn、Zn金属预制层,通过XRD测试确定其物相为Cu、Sn、Zn金属单质.通过惰性气体环境合金化处理,预制层中Cu单质与Sn、Zn生成相应的合金相CuSn、Cu11Sn39、Cu52n8,Cu在整个预制层中的分布更加均匀.对合金化后的金属预制层进行两步硒化,得到较好的器件级的CZTSe薄膜,通过XRD和拉曼测试,确定其主要为结晶良好的CZTSe,含有少量的ZnSe.将CZTSe薄膜制备成电池,转换效率达到2.98％.

关键词：薄膜太阳电池电沉积工艺硒化技术理化性质

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非晶硅锗单结电池本征层指数型带隙梯度设计以及其对电池性能的影响

非晶硅锗单结电池本征层指数型带隙梯度设计以及其对电池性能的影...

引用

第13届中国光伏大会

作者：刘伯飞白立沙赵慧旭魏长春孙建张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津3000711

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于三叠层中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究.针对本征层锗含量提高造成其缺陷密度增大,电池的开路电压和填充因子随之下降的问题,通过对吸收层带隙梯度进行优化设计来改... 详细信息

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于三叠层中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究.针对本征层锗含量提高造成其缺陷密度增大,电池的开路电压和填充因子随之下降的问题,通过对吸收层带隙梯度进行优化设计来改善限制载流子输运特性.

关键词：非晶硅锗薄膜太阳电池带隙梯度优化设计电学性能

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单结微晶硅锗电池的光电模拟研究

单结微晶硅锗电池的光电模拟研究

引用

第13届中国光伏大会

作者：黄振华张建军倪牮曹宇王昊赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文采用ASA(advanced semiconductor analysis)软件,对单结PIN型微晶硅锗电池进行光电模拟研究,分析了P/I、N/I处缺陷分布以及本征层载流子迁移率这三个因素,对量子效率谱(QE)的影响,并结合反偏压量子效率谱进行了实验方面的验证.通过... 详细信息

本文采用ASA(advanced semiconductor analysis)软件,对单结PIN型微晶硅锗电池进行光电模拟研究,分析了P/I、N/I处缺陷分布以及本征层载流子迁移率这三个因素,对量子效率谱(QE)的影响,并结合反偏压量子效率谱进行了实验方面的验证.通过对这三个因素的实验优化,在锗含量约为35％的情况下获得了效率为4.63％的单结电池.

关键词：单结微晶硅锗电池光电性能数值模拟

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