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- 1 篇 教育学

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42 篇 薄膜太阳电池
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17 篇 甚高频等离子体增...
17 篇 微晶硅薄膜
17 篇 衬底温度
16 篇 zno薄膜
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12 篇 太阳能电池
12 篇 硅基
12 篇 化学气相沉积
12 篇 vhf-pecvd
12 篇 磁控溅射
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9 篇 转换效率
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9 篇 mocvd
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机构

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62 篇 光电信息技术科学...
59 篇 河北工业大学
25 篇 光电子薄膜器件与...
11 篇 天津市光电子薄膜...
8 篇 南开大学光电子薄...
7 篇 天津新华职工大学
6 篇 南开大学光电子薄...
4 篇 天津大学
3 篇 南开大学光电子薄...
3 篇 仪器科学与动态测...
3 篇 天津化学化工协同...
2 篇 中国民航大学
2 篇 天津工业大学
2 篇 天津光电通信技术...
2 篇 香港科技大学
2 篇 浙江大学
2 篇 希腊帕特雷大学
1 篇 暨南大学
1 篇 河北省信息产业厅...

作者

311 篇 赵颖
237 篇 张晓丹
158 篇 耿新华
143 篇 魏长春
130 篇 孙建
101 篇 张德坤
84 篇 陈新亮
65 篇 熊绍珍
65 篇 侯国付
56 篇 薛俊明
47 篇 张建军
43 篇 黄茜
39 篇 倪牮
30 篇 许盛之
29 篇 任慧志
27 篇 白立沙
25 篇 刘伯飞
22 篇 韩晓艳
20 篇 高艳涛
20 篇 朱锋

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384 篇 中文

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氢气引入对宽光谱Mg和Ga共掺杂ZnO-TCO薄膜的特性影响

氢气引入对宽光谱Mg和Ga共掺杂ZnO-TCO薄膜的特性影响

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第13届中国光伏大会

作者：田淙升陈新亮刘杰铭张德坤魏长春赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

为适应宽光谱高效率硅基薄膜太阳电池应用需求,本文采用直流磁控溅射技术在553 K温度下生长太阳电池用氢化Mg和Ga共掺杂Zn0(HMGZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜.通过微观结构、表面形貌、电学及光学性能的测试和分析,详细地研究了氢气流量对... 详细信息

为适应宽光谱高效率硅基薄膜太阳电池应用需求,本文采用直流磁控溅射技术在553 K温度下生长太阳电池用氢化Mg和Ga共掺杂Zn0(HMGZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜.通过微观结构、表面形貌、电学及光学性能的测试和分析,详细地研究了氢气流量对MGZO薄膜结晶特性及光电性能的影响.实验结果表明:生长获得的HMGZO薄膜均为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,择优取向为(002)方向.随着氢气引入,ZnO薄膜电阻率电阻率从177 Ω·cm急剧减小至7.2×10-3Ω·cm,进一步增加氢气流量造成了电阻率的轻微下降.所有生长获得的HMGZO薄膜平均光学透过率在波长λ～320-1100 nm范围内可达87％以上.由于Mg的作用及B-M效应的影响造成了带隙展宽,最高光学带隙Eg可达～3.7 eV.

关键词：氧化锌-透明导电氧化物薄膜直流磁控溅射技术金属元素物理性能

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基于MOCVD ZnO和溅射后腐蚀ZnO衬的高速率单结微晶硅太阳电池的陷光研究

基于MOCVD ZnO和溅射后腐蚀ZnO衬的高速率单结微晶硅太阳电池的陷...

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第13届中国光伏大会

作者：白立沙刘伯飞赵慧旭张德坤魏长春孙建赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备高速率微晶硅太阳电池,分别采用MOCVD ZnO:B以及溅射后腐蚀Zn0:Al作为衬底,研究其对微晶硅太阳电池的陷光增强作用.通过对衬底表面形貌、光学特性以及μc-Si:H电池特性的分析表明... 详细信息

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备高速率微晶硅太阳电池,分别采用MOCVD ZnO:B以及溅射后腐蚀Zn0:Al作为衬底,研究其对微晶硅太阳电池的陷光增强作用.通过对衬底表面形貌、光学特性以及μc-Si:H电池特性的分析表明,MOCVD ZnO:B表面小横向尺寸结构可有效增强微晶硅太阳电池的短波响应,而溅射后腐蚀ZnO:Al表面的大横向尺寸结构则可显著提升其长波响应.

关键词：微晶硅薄膜太阳电池等离子体增强化学气相沉积工艺甚高频技术陷光结构物理性能

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Ga含量对不同厚度CIGS薄膜及电池的影响

Ga含量对不同厚度CIGS薄膜及电池的影响

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第13届中国光伏大会

作者：韩安军孙云张毅刘玮南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071

本文采用蒸发法分别制备1μm和2μm左右的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,通过改变Ga蒸发源的温度来获得不同的Ga含量.采用扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应测试仪(Hall)、量子效率(QE)的微分计算,分别比较研究了Ga含量对不同厚度Cu(In,Ga)Se2吸... 详细信息

本文采用蒸发法分别制备1μm和2μm左右的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,通过改变Ga蒸发源的温度来获得不同的Ga含量.采用扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应测试仪(Hall)、量子效率(QE)的微分计算,分别比较研究了Ga含量对不同厚度Cu(In,Ga)Se2吸收层结晶质量、电学特性和最小带隙值影响的差异.实验表明Ga/(Ga+In)在0.20-0.36之间的变化,对1μm Cu(In,Ga)Se2薄膜结晶质量影响不大,而2μm的薄膜晶粒尺寸随Ga含量的增加而明显减小,其电阻率变化也与2μm薄膜相反,呈逐渐减小趋势;在相同Ga比例的情况下,1μm薄膜的最小带隙高于2μm薄膜,随Ga比例的增加而提高更快;对于不同吸收层厚度CIGS电池性能比较,吸收层Ga比例的增加使1μm厚度电池开路电压快速增加,引起电池转化效率变化明显,由此表明Ga含量对超薄电池性能的影响更为敏感.在现有的实验条件下制备的CIGS电池统计结果来看,Ga/(Ga+In)约为0.37时,1μm的超薄Cu(In,Ga)Se2吸收层,其电池转换效率为最高.

关键词：铜铟镓硒薄膜蒸发工艺硒含量太阳电池电学性能

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太阳电池用绒面结构ZnO-TCO薄膜及光管理研究进展

太阳电池用绒面结构ZnO-TCO薄膜及光管理研究进展

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第13届中国光伏大会

作者：陈新亮田淙升赵慧旭杜建张德坤魏长春耿新华赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文主要阐述了近年来薄膜太阳电池用绒面结构氧化锌(ZnO)透明导电氧化物(transparent conductive oxides-TCO)薄膜以及光管理设计方面的研究进展.主要内容有湿法刻蚀技术,等离子体刻蚀玻璃衬底技术,等离子体处理修饰ZnO薄膜表面技术、... 详细信息

本文主要阐述了近年来薄膜太阳电池用绒面结构氧化锌(ZnO)透明导电氧化物(transparent conductive oxides-TCO)薄膜以及光管理设计方面的研究进展.主要内容有湿法刻蚀技术,等离子体刻蚀玻璃衬底技术,等离子体处理修饰ZnO薄膜表面技术、缓冲层生长ZnO薄膜技术和修饰层改善ZnO薄膜表面技术,多层膜生长设计以及直接生长绒面结构ZnO薄膜技术和宽光谱ZnO薄膜生长设计等.此外,对薄膜太阳电池中的先进光管理(light management)结构设计及新材料应用进行了探讨和展望.

关键词：绒面结构氧化锌透明导电氧化物薄膜生长机理太阳电池

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微球组装技术在三维电池衬底中的应用研究

微球组装技术在三维电池衬底中的应用研究

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第13届中国光伏大会

作者：高海波张晓丹梁雪娇赵慧旭刘伯飞白立沙陈泽梁俊辉赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

以非晶硅薄膜和聚苯乙烯微球为原料,采用自组装方法和反应离子刻蚀技术制备非晶硅维纳结构,以期应用于三维电池银背电极的制作之中.实验表明,对微球的刻蚀时间进行控制、对非晶硅的刻蚀气压时间进行控制可以获得三维微纳结构.采用合适... 详细信息

以非晶硅薄膜和聚苯乙烯微球为原料,采用自组装方法和反应离子刻蚀技术制备非晶硅维纳结构,以期应用于三维电池银背电极的制作之中.实验表明,对微球的刻蚀时间进行控制、对非晶硅的刻蚀气压时间进行控制可以获得三维微纳结构.采用合适的工艺条件可以获得梯形、锥状结构,蒸镀银薄膜后能够获得95％左右的可见光、近红外光散射比例,为三维电池提供了一种新的衬底实现方法.

关键词：非晶硅薄膜电池衬底结构微球自组装工艺产品质量

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薄膜太阳电池用绒面结构ZnO-TCO薄膜及光管理研究进展

薄膜太阳电池用绒面结构ZnO-TCO薄膜及光管理研究进展

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第13届中国光伏大会

本文主要阐述了近年来薄膜太阳电池用绒面结构氧化锌(Zn0)透明导电氧化物(transparent conductive oxides-TCO)薄膜以及光管理设计方面的研究进展.主要内容有等离子体刻蚀玻璃衬底技术,等离子体处理修饰Zn0薄膜表面技术、缓冲层生长Zn0... 详细信息

本文主要阐述了近年来薄膜太阳电池用绒面结构氧化锌(Zn0)透明导电氧化物(transparent conductive oxides-TCO)薄膜以及光管理设计方面的研究进展.主要内容有等离子体刻蚀玻璃衬底技术,等离子体处理修饰Zn0薄膜表面技术、缓冲层生长Zn0薄膜技术和修饰层改善Zn0薄膜表面技术,多层膜生长设计以及直接生长绒面结构Zn0薄膜技术等.此外,对薄膜太阳电池中的先进光管理(light management)结构设计及新材料应用进行了探讨和展望.

关键词：绒面结构氧化锌透明导电氧化物薄膜制备工艺薄膜太阳电池

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Ar等离子体刻蚀绒面结构ZnO:B-TCO薄膜研究

Ar等离子体刻蚀绒面结构ZnO:B-TCO薄膜研究

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第13届中国光伏大会

作者：赵慧旭陈新亮白立沙陈泽赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

MOCVD生长的掺硼氧化锌(ZnO:B)透明导电薄膜,具有天然的“类金字塔”绒面结构,作为硅基薄膜太阳电池的前电极具有良好的“陷光”作用.本文采用Ar等离子体轰击薄膜表面,使其形貌得到改善,“类金字塔”形貌的尖峰在Ar等离子体的轰击下变... 详细信息

MOCVD生长的掺硼氧化锌(ZnO:B)透明导电薄膜,具有天然的“类金字塔”绒面结构,作为硅基薄膜太阳电池的前电极具有良好的“陷光”作用.本文采用Ar等离子体轰击薄膜表面,使其形貌得到改善,“类金字塔”形貌的尖峰在Ar等离子体的轰击下变得相对比较平滑,并证明了ZnO:B薄膜的表面特性与刻蚀条件密切相关.

关键词：掺硼氧化锌薄膜绒面结构氩等离子体刻蚀工艺物理性能

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高散射的周期性结构绒面背反射电极

高散射的周期性结构绒面背反射电极

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第13届中国光伏大会

作者：梁雪娇高海波张晓丹白立沙刘伯飞许盛之魏长春侯国付赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

在NIP氢化微晶硅太阳电池(μc-Si:H)中,使用聚苯乙烯微球为模板制备的周期性蜂窝状绒面背电极能够较大的提高电池中的陷光作用,能够改善其红外长波长区的响应,并能够提高转换效率.利用PS微球模板制备的周期绒面背电极在整个波长范围内... 详细信息

在NIP氢化微晶硅太阳电池(μc-Si:H)中,使用聚苯乙烯微球为模板制备的周期性蜂窝状绒面背电极能够较大的提高电池中的陷光作用,能够改善其红外长波长区的响应,并能够提高转换效率.利用PS微球模板制备的周期绒面背电极在整个波长范围内都有较好的散射特性.通过实验得出:当刻蚀后球的大小为P=1.4μm时制备的周期性结构背反射电极具有好的散射特性.此背反射电极在400-1500nm波长范围内散射都在85％左右.

关键词：氢化微晶硅太阳电池绒面背反射电极制备工艺散射特性

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N型微晶硅氧薄膜的纵向生长及其太阳电池研究

N型微晶硅氧薄膜的纵向生长及其太阳电池研究

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第13届中国光伏大会

作者：顾龙杨恢东倪牮赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 暨南大学电子工程系广州510632

本文研究了采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备的N型微晶硅氧薄膜的纵向均匀性.喇曼测试结果显示:微晶硅氧薄膜存在着生长结构的纵向不均匀,生长初期存在一定的非晶孵化层,随着厚度的增加材料的晶化率逐渐增大,最后趋于稳定.在... 详细信息

本文研究了采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备的N型微晶硅氧薄膜的纵向均匀性.喇曼测试结果显示:微晶硅氧薄膜存在着生长结构的纵向不均匀,生长初期存在一定的非晶孵化层,随着厚度的增加材料的晶化率逐渐增大,最后趋于稳定.在薄膜生长初期通过增加氢稀释率和增加辉光功率可以有效降低孵化层厚度,提高薄膜纵向均匀性.将不同折射率的N型微晶硅氧薄膜应用在电池当中,相比较采用N型非晶硅具有相同厚度N层的非晶硅太阳电池,短路电流密度提高5.7％,电池效率提高3.6％.

关键词：微晶硅氧薄膜等离子体增强化学气相沉积工艺射频技术纵向均匀性太阳电池

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I/N界面缓冲层对基于N-μc-SiOx的P-I-N型非晶硅太阳电池性能改善的研究

I/N界面缓冲层对基于N-μc-SiOx的P-I-N型非晶硅太阳电池性能改善...

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2013广东材料发展论坛——战略性新兴产业发展与新材料科技创新研讨会

作者：顾龙张晓丹倪牮魏长春杨恢东赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室暨南大学暨南大学电子工程系

针对基于N-μc-SiOx的P-I-N型非晶硅薄膜太阳电池,由于本征层(a-Si:H)和掺杂层(N-μc-SiOx)界面缺陷态过多的原因,导致填充因子下降,本文通过在这两层之间引入N-a-Si:H,改善了界面特性,提高了填充因子。但缓冲层的引入,降低了N-μc-SiO... 详细信息

针对基于N-μc-SiOx的P-I-N型非晶硅薄膜太阳电池,由于本征层(a-Si:H)和掺杂层(N-μc-SiOx)界面缺陷态过多的原因,导致填充因子下降,本文通过在这两层之间引入N-a-Si:H,改善了界面特性,提高了填充因子。但缓冲层的引入,降低了N-μc-SiOx的反射效果,需要进一步增加氧含量,降低折射率;然而氧含量的增加一方面会导致短波QE下降,另一方面过高的氧含量还会导致电池无响应。因此设计引入N-μc-Si:H作为籽晶层,通过复合缓冲层(5nmN-a-Si:H+12nmN-μc-Si:H)的作用,有

关键词：非晶硅太阳电池缓冲层 I/N P-I-N 性能改善 c-SiOx

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