检索结果-内蒙古大学图书馆

光电子．激光 2012年第6期23卷 1098-1102页

作者：王斐陈新亮张翅黄茜张德坤孙建魏长春张晓丹赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

研究了W掺In2O3(IWO)缓冲层(buffer layer)对磁控溅射直接生长绒面结构H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。实验发现,加入IWO缓冲层能够有效地增大薄膜表面粗糙度,提高了薄膜光散射能力,薄膜绒度(550nm波长处)由7.05%... 详细信息

研究了W掺In2O3(IWO)缓冲层(buffer layer)对磁控溅射直接生长绒面结构H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。实验发现,加入IWO缓冲层能够有效地增大薄膜表面粗糙度,提高了薄膜光散射能力,薄膜绒度(550nm波长处)由7.05%提高至18.37%;具有IWO缓冲层的HGZO(IWO/HGZO)薄膜的电学性能稍微提升。通过优化工艺条件,当IWO缓冲层厚为10nm时,生长获得的IWO/HGZO复合薄膜方块电阻为3.6Ω,电阻率为6.21×10-4Ωcm,可见光及近红外区域透过率(400～1 100nm)为82.18%,薄膜绒度(550nm波长处)为18.37%。

关键词：磁控溅射 H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜 W掺In2O3(IWO)缓冲层绒面结构薄膜太阳能电池

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W掺杂ZnO透明导电薄膜的理论及实验研究

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物理学报 2012年第13期61卷 481-486页

作者：王延峰黄茜宋庆功刘阳魏长春赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室南开大学天津300071 中国民航大学理学院天津300300

本文从理论与实验两方面入手,对高价态差金属W掺杂ZnO（WZO）薄膜材料的特性进行分析讨论.采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对WZO材料特性进行理论分析,计算结果表明：W以替位形式掺入ZnO六角纤锌矿晶格结构中,由于W—O键的键长较... 详细信息

本文从理论与实验两方面入手,对高价态差金属W掺杂ZnO（WZO）薄膜材料的特性进行分析讨论.采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对WZO材料特性进行理论分析,计算结果表明：W以替位形式掺入ZnO六角纤锌矿晶格结构中,由于W—O键的键长较长引起晶格常数增加,产生晶格畸变;掺杂后费米能级进入导带,其附近的导电电子主要由W 5d,O 2p及Zn 3d电子轨道提供,材料表现出n型半导体的特性;同时能带简并效应使其光学带隙展宽.为进一步验证该理论分析结果的适用性,本文采用脉冲直流磁控溅射技术进行了本征ZnO及WZO薄膜的实验研究,结果表明：W掺入未改变ZnO的生长方式,但引起薄膜的晶格常数增加,电阻率由本征ZnO的1.35×10~（-2）Ω·cm减小到1.55×10~（-3）Ω·cm,光学带隙由3.27 eV展宽到3.48 eV.制备的WZO薄膜在400-1100 nm的平均透过率大于83%.实验结果对理论计算结果进行了验证,表明WZO薄膜作为透明导电薄膜的应用潜力.

关键词： WZO薄膜第一性原理磁控溅射太阳电池

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降低表面等离子激元寄生吸收损失的途径研究

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物理学报 2012年第21期61卷 399-404页

作者：黄茜张德坤熊绍珍赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、光电信息技术科学教育部重点实验室、光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071

从纳米Ag颗粒表面等离子激元光学及表面高能电场特性两方面入手,较为系统地研究了周围介质的导电特性对表面等离子激元的影响.通过对复合薄膜紫外-可见-近红外光谱及表面增强拉曼散射光谱的分析,指出绝缘性的Al_2O_3介质薄膜能够起到良... 详细信息

从纳米Ag颗粒表面等离子激元光学及表面高能电场特性两方面入手,较为系统地研究了周围介质的导电特性对表面等离子激元的影响.通过对复合薄膜紫外-可见-近红外光谱及表面增强拉曼散射光谱的分析,指出绝缘性的Al_2O_3介质薄膜能够起到良好的表面电场定域效果,且不会引入附加的光吸收损失;而导电性的ITO薄膜则会引入表面价电子的溢出损失,加速了表面电场的衰逝,同时引起长波方向上显著的光吸收损失.研究还表明致密的Al_2O_3介质薄膜能够起到良好的屏蔽作用,且纳米Ag颗粒表面等离子激元特性仅受最近邻材料特性的影响.研究结果为在硅基薄膜太阳电池中实现对纳米Ag颗粒的阻挡、寄生光吸收损失的降低以及表面高能电场的利用,提供了一条有效的解决途径.

关键词：表面等离子激元介质薄膜光学特性表面电场

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高压射频等离子体增强化学气相沉积制备高效率硅薄膜电池的若干关键问题研究

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物理学报 2012年第5期61卷 493-498页

作者：侯国付薛俊明袁育杰张晓丹孙建陈新亮耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071

报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)制备高效率单结微晶硅电池和非晶硅/微晶硅叠层电池时几个关键问题的研究结果,主要包括:1)器件质量级本征微晶硅材料工艺窗口的确定及其结构和光电性能表征;2)孵化层的形成机理以... 详细信息

报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)制备高效率单结微晶硅电池和非晶硅/微晶硅叠层电池时几个关键问题的研究结果,主要包括:1)器件质量级本征微晶硅材料工艺窗口的确定及其结构和光电性能表征;2)孵化层的形成机理以及减小孵化层的有效方法;3)氢稀释调制技术对本征层晶化率分布及其对提高电池性能的作用;4)高电导、高晶化率的微晶硅p型窗口层材料的获得,及其对减小微晶硅电池p/i界面孵化层厚度和提高电池性能的作用等.在解决上述问题的基础上,采用高压RF-PECVD制备的单结微晶硅电池效率达8.16%,非晶硅/微晶硅叠层电池效率11.61%.

关键词：高压射频等离子体增强化学气相沉积微晶硅孵化层氢稀释调制

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表面等离子激元非线性表面增强拉曼散射效应

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物理学报 2012年第15期61卷 476-481页

作者：黄茜熊绍珍赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文采用热蒸发法制备得到纳米Ag颗粒作为增强拉曼衬底,利用入射光子与纳米颗粒表面价电子的相互作用机理,激发出高能表面等离子激元,其表面等离子形成的高能"热点"起到表面增强拉曼散射效果.通过比较不同入射光强下的拉曼峰... 详细信息

本文采用热蒸发法制备得到纳米Ag颗粒作为增强拉曼衬底,利用入射光子与纳米颗粒表面价电子的相互作用机理,激发出高能表面等离子激元,其表面等离子形成的高能"热点"起到表面增强拉曼散射效果.通过比较不同入射光强下的拉曼峰强,指出纳米Ag颗粒的增强拉曼散射效果可以实现低探测光强下的高散射强度,即纳米Ag颗粒的表面等离子激元具有非线性的表面增强拉曼散射效果,可降低对样品的光、热损伤,以利于拓展拉曼散射光谱的应用范围.同时比较不同纳米Ag颗粒衬底的表面增强拉曼散射效果表明,采用的热蒸发工艺具有较大的工艺域度,具有较强的工艺兼容性.

关键词：纳米Ag薄膜表面等离子激元表面增强拉曼散射非线性特性

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CIGS薄膜太阳电池产业化的最新进展及发展趋势

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人工晶体学报 2012年第S1期41卷 189-195页

作者：敖建平南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071

Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池已经进入产业化快速发展阶段,显示出良好的发展趋势。本文就近年来CIGS薄膜太阳电池基础研究和产业化技术所取得重大突破性进展及产业化现状进行了概述。在基础研究方面,共蒸发法制备的小面积电池效率达... 详细信息

Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池已经进入产业化快速发展阶段,显示出良好的发展趋势。本文就近年来CIGS薄膜太阳电池基础研究和产业化技术所取得重大突破性进展及产业化现状进行了概述。在基础研究方面,共蒸发法制备的小面积电池效率达到20.3%,非真空低成本涂覆法制备的电池效率达到17.1%。在产业化方面,商品化组件效率与小面积电池效率差距大幅度缩小,30 cm×30 cm电池组件效率达到17.8%,160 cm×66 cm大面积组件效率达到15.7%,产量和产能大幅增长。CIGS太阳电池产业化的技术路线很多,发展的重点各不相同,但最终也许会有一种解决方案集中所有技术的优点,成为产业化的主流,为未来世界能源供应和制造工业做出巨大贡献。

关键词： CIGS薄膜产业化大面积组件太阳电池

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W-Ti共掺杂ZnO靶材的烧结及其特性

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材料科学与工程学报 2012年第4期30卷 493-496,555页

作者：乔薇陈新亮张存善张德坤魏长春张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300130

本文根据高价态差掺杂原理,采用常压烧结技术制备了低电阻率的W-Ti共掺杂ZnO陶瓷靶材(WTZO),并研究了烧结温度及烧结气氛对靶材特性的影响。结果表明:当烧结温度为1200℃时,WTZO靶材的特性较好。随着烧结温度的升高,WTZO靶材的相对致密... 详细信息

本文根据高价态差掺杂原理,采用常压烧结技术制备了低电阻率的W-Ti共掺杂ZnO陶瓷靶材(WTZO),并研究了烧结温度及烧结气氛对靶材特性的影响。结果表明:当烧结温度为1200℃时,WTZO靶材的特性较好。随着烧结温度的升高,WTZO靶材的相对致密度先快速增大后缓慢减小,方块电阻先降低后升高。烧结气氛对WTZO靶材特性的影响显著,烧结气氛为空气时,靶材的方块电阻为12.18Ω/□,相对致密度为94.3%;当烧结气氛为高纯Ar气时,靶材的方块电阻为1.253Ω/□,相对致密度为96.7%。

关键词： WTZO靶材烧结温度烧结气氛相对致密度方块电阻

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光伏发电控制器的液晶显示设计

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液晶与显示 2012年第6期27卷 780-784页

作者：耿卫东王立萍王俊周锎李响南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 天津光电通信技术有限公司技术中心天津300211

基于高稳定性单片机PIC18F97J60设计了一种独立运行光伏发电控制器。该控制器采用串口LCD作为显示界面,能够实时显示太阳能电池的电压和输出电流、负载用电情况和控制器运行状态。控制器能够通过以太网与上位机通信。给出了光伏控制器... 详细信息

基于高稳定性单片机PIC18F97J60设计了一种独立运行光伏发电控制器。该控制器采用串口LCD作为显示界面,能够实时显示太阳能电池的电压和输出电流、负载用电情况和控制器运行状态。控制器能够通过以太网与上位机通信。给出了光伏控制器液晶显示模块的硬件结构设计和软件流程设计。实验结果表明,该液晶显示模块接口简单,抗干扰性强,工作稳定,能够满足光伏控制器实时显示的要求。

关键词： PIC18F97J60 液晶显示模块光伏控制器 SPI接口

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纳米Ag颗粒表面等离子激元对上转换材料光致发光性能影响的研究

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物理学报 2012年第4期61卷 442-448页

作者：佟建波黄茜张晓丹张存善赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300130 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027

本文采用共烧结工艺将纳米Ag颗粒引入Yb^(3+),Er^(3+)共掺的NaYF_4上转换材料中,利用X射线衍射及扫描电子显微镜技术对制备的NaYF_4材料进行结构特性和表面形貌的表征,通过吸收谱及荧光光谱测试技术对NaYF_4材料光吸收及光发射特性进行... 详细信息

本文采用共烧结工艺将纳米Ag颗粒引入Yb^(3+),Er^(3+)共掺的NaYF_4上转换材料中,利用X射线衍射及扫描电子显微镜技术对制备的NaYF_4材料进行结构特性和表面形貌的表征,通过吸收谱及荧光光谱测试技术对NaYF_4材料光吸收及光发射特性进行表征.通过对纳米Ag颗粒引入量的优化,获得了Yb^(3+),Er^(3+)共掺的NaYF_4上转换材料荧光发射峰的增强,300—800 nm全光谱范围内增益达28%,在544 nm处获得最大增益55%,具有显著的荧光增强效果.同时分析了不同数量纳米Ag颗粒的引入对NaYF_4材料吸收谱及光致发光特性影响,指出了表面等离子激元的光猝灭及共振吸收增强作用机理.

关键词：纳米Ag溶胶表面等离子激元上转换材料共振吸收

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薄膜太阳电池系列讲座(15) 硅基薄膜太阳电池(七)

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太阳能 2012年第15期 16-17页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

（3）非晶硅氧（a－SiO：H）合金[34,35］以H稀释硅烷添加CO2作混合气源，控制衬底温度、沉积气压及C02浓度比C02／（C02＋SiH4）（其中硅烷用氢稀释浓度比SiH。／（SiH4＋H2）表示），在等离子体放电作用下，C02、SiH4、H2之间将产生... 详细信息

（3）非晶硅氧（a－SiO：H）合金[34,35］以H稀释硅烷添加CO2作混合气源，控制衬底温度、沉积气压及C02浓度比C02／（C02＋SiH4）（其中硅烷用氢稀释浓度比SiH。／（SiH4＋H2）表示），在等离子体放电作用下，C02、SiH4、H2之间将产生以下反应：SiH44＋C02＋H2→a-SiO：H，生成非（或微）晶硅氧合金薄膜。

关键词：薄膜太阳电池硅基等离子体放电 SiH4 合金薄膜 C02 衬底温度浓度比

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