检索结果-内蒙古大学图书馆

薄膜太阳电池系列讲座(14) 硅基薄膜太阳电池(六)

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太阳能 2012年第13期 17-19页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

下面分别对a—SiC：H、a—SiO：H和a-SiGe：H三种合金材料进行介绍。

关键词：薄膜太阳电池硅基合金材料 SiC SiO

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薄膜太阳电池系列讲座(18) 硅基薄膜太阳电池(十)

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太阳能 2012年第21期 14-16页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

单结硅基薄膜太阳电池的Ｖoc、Jsc。与带隙之间的实验结果如图48所示。由图中可知，晶体材料基本符合Green的半经验极限，据Kiess的理论数值有一个近乎平行的整体位移，而薄膜电池中多晶CdTe电池离Green极限有一定差距，而无定形非晶硅... 详细信息

单结硅基薄膜太阳电池的Ｖoc、Jsc。与带隙之间的实验结果如图48所示。由图中可知，晶体材料基本符合Green的半经验极限，据Kiess的理论数值有一个近乎平行的整体位移，而薄膜电池中多晶CdTe电池离Green极限有一定差距，而无定形非晶硅电池则差距较大，这与薄膜材料的结构、性能、制备工艺成熟程度明显相关。该数据对非晶硅电池的数据显得陈旧，目前Koc达到1V并非难事。

关键词：薄膜太阳电池硅基 Green 非晶硅电池晶体材料整体位移 CdTe 薄膜电池

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薄膜太阳电池系列讲座(9) 硅基薄膜太阳电池(一)

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太阳能 2012年第3期 10-12,16页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

概述了硅基薄膜太阳电池所涉及的关键材料及其结构、电学和光学特性,同时结合高效率电池发展的趋势,对多结硅基薄膜太阳电池的结构设计、子电池带隙选择和影响其效率的隧穿结和陷光等方面进行了深入阐述,拟为获得高效率的硅基薄膜多结... 详细信息

概述了硅基薄膜太阳电池所涉及的关键材料及其结构、电学和光学特性,同时结合高效率电池发展的趋势,对多结硅基薄膜太阳电池的结构设计、子电池带隙选择和影响其效率的隧穿结和陷光等方面进行了深入阐述,拟为获得高效率的硅基薄膜多结电池提供一定的技术资料。

关键词：硅基薄膜太阳电池多结陷光

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硅基薄膜太阳电池(一)

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太阳能 2012年第3期 10-12页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

概述了硅基薄膜太阳电池所涉及的关键材料及其结构、电学和光学特性,同时结合高效率电池发展的趋势,对多结硅基薄膜太阳电池的结构设计、子电池带隙选择和影响其效率的隧穿结和陷光等方面进行了深入阐述,拟为获得高效率的硅基薄膜多结电池提供一定的技术资料.

关键词：硅基薄膜太阳电池多结陷光

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硅基薄膜太阳电池(九)

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太阳能 2012年第19期 15-18,8页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

三单结硅基薄膜太阳电池的结构和工作原理1硅基薄膜太阳电池结构在常规的单晶和多晶太阳电池中，通常用p-n结结构。但对于硅基薄膜电池，所用的材料通常是非晶和微晶材料，由于非晶硅内存在大量尾态和悬挂键等缺陷态，载流子的迁移率很... 详细信息

三单结硅基薄膜太阳电池的结构和工作原理 1硅基薄膜太阳电池结构在常规的单晶和多晶太阳电池中，通常用p-n结结构。但对于硅基薄膜电池，所用的材料通常是非晶和微晶材料，由于非晶硅内存在大量尾态和悬挂键等缺陷态，载流子的迁移率很低，扩散系数也很低。

关键词：薄膜太阳电池硅基薄膜电池结构微晶材料工作原理 p-n结薄膜电池扩散系数

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薄膜太阳电池系列讲座(12) 硅基薄膜太阳电池(四)

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太阳能 2012年第9期 9-12页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

图16为以等离子体内SiH3为生长前驱物模式的硅薄膜沉积示意图。此模型中假设在SiH3离子落向衬底之前，表面将被H覆盖。首先SiH4在等离子体内与电子发生碰撞，（1）电子将自己的动能给予SiH4，使其分解成SiH3和H原子；（2）SiH3附着于衬... 详细信息

图16为以等离子体内SiH3为生长前驱物模式的硅薄膜沉积示意图。此模型中假设在SiH3离子落向衬底之前，表面将被H覆盖。首先SiH4在等离子体内与电子发生碰撞，（1）电子将自己的动能给予SiH4，使其分解成SiH3和H原子；（2）SiH3附着于衬底表面；

关键词：薄膜太阳电池硅基 SiH3 衬底表面 SiH4 等离子薄膜沉积示意图

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薄膜太阳电池系列讲座(11) 硅基薄膜太阳电池(三)

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太阳能 2012年第7期 8-10,37页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

4非晶硅中氢（H）的作用（1）钝化悬挂键实际上早期采用蒸发方法制备的非晶硅材料并不含有氢（H）,所以写成a-Si。缺陷态密度很高,很难制备出性能优良的器件。自从1969年Chitick等人发明了用辉光放电法（GD）制备氢化非晶硅（a-Si：H）[... 详细信息

4非晶硅中氢（H）的作用（1）钝化悬挂键实际上早期采用蒸发方法制备的非晶硅材料并不含有氢（H）,所以写成a-Si。缺陷态密度很高,很难制备出性能优良的器件。自从1969年Chitick等人发明了用辉光放电法（GD）制备氢化非晶硅（a-Si：H）[15],以非晶硅作有源层的器件才成为可能。

关键词：薄膜太阳电池非晶硅材料氢化非晶硅讲座硅基辉光放电法 a-Si 制备

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薄膜太阳电池系列讲座(19) 硅基薄膜太阳电池(十一)

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太阳能 2012年第23期 21-23,20页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

热动力学损失：光照产生的光生非平衡载流子，即使电子和空穴回到其能带底或顶的稳定位置，但系统仍处于非平衡态，系统将通过载流子的产生、输运、复合才达到动态平衡。

关键词：薄膜太阳电池非平衡载流子硅基热动力学非平衡态系统

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硅基薄膜太阳电池(三)

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太阳能 2012年第7期 8-10页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

4 非晶硅中氢(H)的作用(1)钝化悬挂键实际上早期采用蒸发方法制备的非晶硅材料并不含有氢(H),所以写成a-Si.缺陷态密度很高,很难制备出性能优良的器件.自从1969年Chitick等人发明了用辉光放电法(GD)制备氢化非晶硅(a-Si:H)[15],以非晶... 详细信息

4 非晶硅中氢(H)的作用(1)钝化悬挂键实际上早期采用蒸发方法制备的非晶硅材料并不含有氢(H),所以写成a-Si.缺陷态密度很高,很难制备出性能优良的器件.自从1969年Chitick等人发明了用辉光放电法(GD)制备氢化非晶硅(a-Si:H)[15],以非晶硅作有源层的器件才成为可能.硅烷的辉光放电是硅烷(SiH4)在一定氢气(H2)稀释下通过射频(RF)激发产生等离子体的辉光放电,将硅烷分解制备成非晶硅.它有以下最简单的反应表达式:

关键词：氢化非晶硅辉光放电法法制备硅烷缺陷态密度器件等离子体有源层悬挂键硅材料表达式蒸发性能稀释射频氢气激发分解反应发明

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硅基薄膜太阳电池(十一)

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太阳能 2012年第23期 21-23，20页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

热动力学损失:光照产生的光生非平衡载流子,即使电子和空穴回到其能带底或顶的稳定位置,但系统仍处于非平衡态,系统将通过载流子的产生、输运、复合才达到动态平衡.此时的状态使用电子或空穴的最大化学势μe和μh来描述.最大化学势可在... 详细信息

热动力学损失:光照产生的光生非平衡载流子,即使电子和空穴回到其能带底或顶的稳定位置,但系统仍处于非平衡态,系统将通过载流子的产生、输运、复合才达到动态平衡.此时的状态使用电子或空穴的最大化学势μe和μh来描述.最大化学势可在开态下得到,即(μe+μh)oc=eVoc,它与电子空穴对的自由能之比即为热动力学损失,记作:ηthermodynamic=eVoc/<εe+εh>.能量传递损失:系统处于开路或短路对外并不做功,只能算是能量储存器.电池对外做功的最大输出与其极端状态(开路电压与短路电流)下所做最大功(Voc×Isc)的比值,即为其对外输出能量的传递损失FF=JmpVmp/JscVoc.

关键词：热动力学传递损失载流子系统输出能量空穴对化学势非平衡电子极端状态开路电压对外做功短路电流动态平衡自由能平衡态储存器位置输运描述

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