检索结果-内蒙古大学图书馆

太阳能 2012年第5期 13-16页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

2掺杂问题掺杂是决定材料和器件电学性能的关键之一，希望材料的电导特性能够有序调制，即能够按照需要调节导电类型及其电导率，以满足器件性能要求。在晶体硅器件中，它的基本材料是事先预定的，随后掺杂形成的P-n结，也有成熟的工艺... 详细信息

2掺杂问题掺杂是决定材料和器件电学性能的关键之一，希望材料的电导特性能够有序调制，即能够按照需要调节导电类型及其电导率，以满足器件性能要求。在晶体硅器件中，它的基本材料是事先预定的，随后掺杂形成的P-n结，也有成熟的工艺予以调制，因此器件的重复性可得到保证。但在薄膜硅基器件中，器件的形成伴随着材料的生长同步完成。

关键词：薄膜太阳电池硅基电学性能硅器件导电类型性能要求 P-n结电导率

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薄膜太阳电池系列讲座(13) 硅基薄膜太阳电池(五)

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太阳能 2012年第11期 11-14页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

上述光诱导的衰退经过150℃、几个小时或250℃、几分钟的热退火处理，对新产生的悬挂键进行钝化后，又会回到其起始值。退火后的状态称为“退火（annealing）”态。退火态类似于刚沉积的材料，即未经受“光诱导蜕化”前所处的状态。

关键词：薄膜太阳电池热退火处理硅基光诱导悬挂键起始值退火态状态

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薄膜太阳电池系列讲座(16) 硅基薄膜太阳电池(八)

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太阳能 2012年第17期 20-21页

作者：张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

调制材料的光电性能对于吸收层更为重要。CO2浓度比与缺陷态密度及带隙宽度的关系见图38a^[35]。带隙宽度最大可达到2．02eV，而缺陷态从10^16cm^-3增加到2．5×10^17cm^-3左右，增加了一个多数量级（缺陷态的测量通过CPM测量得到... 详细信息

调制材料的光电性能对于吸收层更为重要。CO2浓度比与缺陷态密度及带隙宽度的关系见图38a^[35]。带隙宽度最大可达到2．02eV，而缺陷态从10^16cm^-3增加到2．5×10^17cm^-3左右，增加了一个多数量级（缺陷态的测量通过CPM测量得到）。可见，

关键词：薄膜太阳电池硅基带隙宽度缺陷态光电性能吸收层态密度浓度比

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电沉积Cu-In-Ga 金属预制层合金化对CIGS 薄膜的影响

电沉积Cu-In-Ga 金属预制层合金化对CIGS 薄膜的影响

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：张超敖建平孙顶孙国忠何青周志强孙云南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

在Mo/玻璃衬底上顺序电沉积得到Cu-In-Ga 金属预制层进行硒化处理时,发现在硒化前进行无硒热处理,可以明显改善硒化后的薄膜结合力.本文研究了硒化前不同热处理温度对Cu-In-Ga 金属预置层以及硒化后Cu(In1-x,Gax)Se2 薄膜的影响,通过XRD... 详细信息

在Mo/玻璃衬底上顺序电沉积得到Cu-In-Ga 金属预制层进行硒化处理时,发现在硒化前进行无硒热处理,可以明显改善硒化后的薄膜结合力.本文研究了硒化前不同热处理温度对Cu-In-Ga 金属预置层以及硒化后Cu(In1-x,Gax)Se2 薄膜的影响,通过XRD、SEM对薄膜结构与形貌进行表征和分析发现,金属预制层在热退火过程中合金化,使得硒化处理时Cu、In、Ga、Se 的反应路径发生变化,从而增强了薄膜的结合力.对硒化后的CIGS 薄膜进行了电池制备,电池最高效率达到了8.9％.

关键词： Cu(In1-x,Gax)Se2 金属预置层硒化处理太阳电池

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CO2 掺杂对本征非晶硅氧材料特性影响的研究

CO2 掺杂对本征非晶硅氧材料特性影响的研究

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：王烁王菁张晓丹熊绍珍赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

为更为合理的分配硅基薄膜叠层太阳电池的光谱响应,提高电池效率,需要采用光学带隙较非晶硅更宽的材料作为顶电池吸收层.本文中采用VHF-PECVD 技术,以CO2 作为氧掺杂源,制备了用于硅基薄膜电池本征吸收层的非晶硅氧材料,以期提高电池的... 详细信息

为更为合理的分配硅基薄膜叠层太阳电池的光谱响应,提高电池效率,需要采用光学带隙较非晶硅更宽的材料作为顶电池吸收层.本文中采用VHF-PECVD 技术,以CO2 作为氧掺杂源,制备了用于硅基薄膜电池本征吸收层的非晶硅氧材料,以期提高电池的开路电压.研究发现,提高CO2 的掺杂能够使材料的光学带隙明显提高,并且其与薄膜中的氧含量近似呈现线性关系;同时Raman 测试显示,随着CO2 掺杂的提高,材料的中程有序度下降,缺陷态增多,表现为材料的光电导下降,光敏性降低.通过OES 对等离子体进行检测,发现随着CO2 掺杂的增大,等离子体中Hα 对应的谱线的强度降低,表明等离子体中原子H 减少,钝化作用降低,是造成材料质量下降的原因之一.

关键词：非晶硅氧薄膜 CO2掺杂宽带隙材料 OES

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电极间距对微晶硅薄膜沉积速率及性能的影响*

电极间距对微晶硅薄膜沉积速率及性能的影响*

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：杨素素张晓丹白立沙杨旭魏长春侯国付陈新亮王广才赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

本文在平板电极结构的腔室中,研究了电极间距的变化对微晶硅材料的沉积速率、晶化率和电学性能的影响.研究发现,在一定范围内,通过适当增大电极间距可以有效提高沉积速率,但微晶硅材料的电学性能却受到较大的影响.综合考虑沉积速率和材... 详细信息

本文在平板电极结构的腔室中,研究了电极间距的变化对微晶硅材料的沉积速率、晶化率和电学性能的影响.研究发现,在一定范围内,通过适当增大电极间距可以有效提高沉积速率,但微晶硅材料的电学性能却受到较大的影响.综合考虑沉积速率和材料性能,在沉积速率为1.5nm/s、电池厚度为1.2μm时,获得转换效率为8.17％单结微晶硅电池.

关键词：微晶硅电池平板电极沉积速率

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非晶硅/晶体硅异质结太阳电池钝化技术的初步研究

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池钝化技术的初步研究

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：王菁王烁张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜.研究了非晶硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池中硅片表面钝化方法,分析了少数载流子寿命随本征层氢稀释率、辉光功率、以及H 等离子体处理时间的变化趋势,并从材... 详细信息

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜.研究了非晶硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池中硅片表面钝化方法,分析了少数载流子寿命随本征层氢稀释率、辉光功率、以及H 等离子体处理时间的变化趋势,并从材料微结构的角度分析了钝化材料如何影响钝化效果.太阳电池中本征非晶硅层应厚度适中,保证电池同时具有高开路电压和填充因子.

关键词：非晶硅异质结太阳电池少子寿命表面钝化

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非晶硅锗单结电池长波响应提升的初步研究

非晶硅锗单结电池长波响应提升的初步研究

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：刘伯飞张晓丹白立沙王利魏长春孙建侯国付赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于中间电池的非晶硅锗P/I/N 型单结电池进行研究.针对中间电池需要较高的长波响应,以实现太阳光谱的合理分配的问题,采用各种工艺优化手段来提升非晶硅锗电池的长波响应.通过对锗... 详细信息

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于中间电池的非晶硅锗P/I/N 型单结电池进行研究.针对中间电池需要较高的长波响应,以实现太阳光谱的合理分配的问题,采用各种工艺优化手段来提升非晶硅锗电池的长波响应.通过对锗硅气体流量比、以及采用锗流量梯度对本征层带隙分布等进行调控,有效提高了电池的长波响应.以Al 为接触电极的单结非晶硅锗长波典型波段800 nm 量子效率达到10％,>530nm 积分电流密度达到10.14mA/cm2,并保持较高的Voc 和FF;a-Si:H/a-SiGe:H 双叠层的800 nm 量子效率达到20％,a-SiGe:H 子电池短路电流密度达9.77mA/cm2,效率达8.6％.

关键词：非晶硅锗薄膜太阳电池长波响应射频锗流量梯度中间电池

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光子晶体陷光结构的陷光性能模拟研究

光子晶体陷光结构的陷光性能模拟研究

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：侯国付王正刚赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

本文首先设计了一种由一维光子晶体(1D-PC)和二维光栅构成的周期性绒面陷光结构,然后着重模拟研究了各介质层厚度对光子禁带宽度和禁带位置的影响,以及光栅高度、光栅周期和占空比对二维光栅散射能力的影响关系,并给出了最佳的结构参数... 详细信息

本文首先设计了一种由一维光子晶体(1D-PC)和二维光栅构成的周期性绒面陷光结构,然后着重模拟研究了各介质层厚度对光子禁带宽度和禁带位置的影响,以及光栅高度、光栅周期和占空比对二维光栅散射能力的影响关系,并给出了最佳的结构参数,为实验加工制作相应的周期性绒面陷光结构提供了指导.

关键词：一维光子晶体光栅光子禁带陷光结构

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高锗含量微晶硅锗材料及其太阳电池的优化

高锗含量微晶硅锗材料及其太阳电池的优化

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：曹宇张建军李天微黄振华马俊倪牮耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对高锗含量微晶硅锗材料的特性和电池的结构均进行了优化.首先,通过对衬底温度的调节,在衬底温度为200 °C 的情况下,获得了光电特性和结构特性较优的高锗含量微晶硅锗材料;其... 详细信息

本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对高锗含量微晶硅锗材料的特性和电池的结构均进行了优化.首先,通过对衬底温度的调节,在衬底温度为200 °C 的情况下,获得了光电特性和结构特性较优的高锗含量微晶硅锗材料;其次,对高锗含量微晶硅锗电池的结构进行优化,有效的改善了电池的界面特性,减少漏电流的产生.基于上述优化,在本征层锗含量为53％,厚度为600 nm 的情况下,制备出了短路电流密度为22.5 mA/cm2的微晶硅锗电池,微晶硅锗电池在较薄本征层厚度下显示出了优异的长波光谱响应,体现了其作为叠层电池中底电池的优势和潜力.

关键词：微晶硅锗衬底温度太阳电池长波响应

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