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- 1 篇 教育学

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17 篇 微晶硅薄膜
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6 篇 南开大学光电子薄...
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3 篇 仪器科学与动态测...
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作者

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130 篇 孙建
101 篇 张德坤
84 篇 陈新亮
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65 篇 侯国付
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47 篇 张建军
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27 篇 白立沙
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22 篇 韩晓艳
20 篇 高艳涛
20 篇 朱锋

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384 篇 中文

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基于微晶硅的双结和三结叠层薄膜太阳电池的研究

基于微晶硅的双结和三结叠层薄膜太阳电池的研究

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：张晓丹黄茜陈新亮侯国付王广才赵颖白立沙刘伯飞杨素素倪牮樊君杨旭赵慧旭魏长春南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

本文围绕着产业化所关注的低成本和高效率两大关键点,开展基于高速、高效的微晶硅叠层薄膜太阳电池的研究.首先,通过调整沉积工艺参数,获得了超过1.5nm/s 高速率沉积的微晶硅材料;然后,基于光管理进行了透明导电前电极陷光性能改善的研... 详细信息

本文围绕着产业化所关注的低成本和高效率两大关键点,开展基于高速、高效的微晶硅叠层薄膜太阳电池的研究.首先,通过调整沉积工艺参数,获得了超过1.5nm/s 高速率沉积的微晶硅材料;然后,基于光管理进行了透明导电前电极陷光性能改善的研究,结合对光的充分利用和对电池有源层材料质量的调控,获得了效率超过9％的单结微晶硅薄膜太阳电池;以此为基础,将其引入到基于微晶硅的双结和三结叠层太阳电池中,同时引入功能层SiOx 以进一步提升电池效率,结果基于微晶硅的叠层太阳电池的光电转换效率超过了12％.

关键词：微晶硅前电极 SiOx功能层非晶硅/微晶硅叠层

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高速率单结微晶硅太阳电池中的陷光研究

高速率单结微晶硅太阳电池中的陷光研究

引用

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：白立沙陈新亮王广才赵颖张晓丹刘伯飞杨素素杨旭赵慧旭黄茜魏长春侯国付南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究了衬底表面绒度和电学特性的变化对微晶硅太阳电池性能的影响.通过对溅射ZnO 衬底进行不同腐蚀时间的实验发现：随衬底腐蚀时间的增加,其表面粗糙度逐渐增大,电池短路电流... 详细信息

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究了衬底表面绒度和电学特性的变化对微晶硅太阳电池性能的影响.通过对溅射ZnO 衬底进行不同腐蚀时间的实验发现：随衬底腐蚀时间的增加,其表面粗糙度逐渐增大,电池短路电流逐渐增加,开压也有所增加,但填充因子逐渐减小.对相同腐蚀时间的衬底,通过改变本征层硅烷浓度,研究其对微晶硅电池光谱响应的影响,实验发现硅烷浓度会对电池的短波响应造成很大的影响.通过对衬底陷光结构和电池工艺的进一步调整,获得了初始效率达到9.87％的单结微晶硅薄膜太阳电池(沉积速率达1.5nm/s).

关键词：微晶硅薄膜太阳电池 VHF-PECVD 衬底陷光高速

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衬底温度对超薄Cu(In, Ga)Se2 材料及电池性能的影响

衬底温度对超薄Cu(In, Ga)Se2 材料及电池性能的影响

引用

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：韩安军孙云李博研何静靖李志国张毅刘玮南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津 300071

衬底温度保持恒定,在Se 气氛下按照一定的元素配比顺序蒸发Ga、In、Cu 制备厚度约为0.7 μm 的CuIn0.3Ga0.7Se2(CIGS)薄膜.利用X 射线衍射仪分析衬底温度对薄膜晶体结构及物相组成的影响,扫描电子显微镜表征薄膜形貌及结晶状态的变化,... 详细信息

衬底温度保持恒定,在Se 气氛下按照一定的元素配比顺序蒸发Ga、In、Cu 制备厚度约为0.7 μm 的CuIn0.3Ga0.7Se2(CIGS)薄膜.利用X 射线衍射仪分析衬底温度对薄膜晶体结构及物相组成的影响,扫描电子显微镜表征薄膜形貌及结晶状态的变化,分光光度计与积分球测量衬底温度对薄膜光学性能的影响.研究发现衬底温度为450℃时,薄膜呈现单一的Cu(In0.7Ga0.3)Se2 相.衬底温度低于450℃,CIGS 薄膜存在严重的Ga 的两相分离.薄膜表层的高Ga 含量以小颗粒形式存在,均匀分布于薄膜表面,增加了薄膜表面的粗糙度,提高了超薄CIGS 材料对光的吸收.通过对电池性能的分析发现,低温制备的超薄CIGS 电池,短路电流密度相对较高,CIGS 电池可实现低温、超薄、高效.

关键词： Cu(In,Ga)Se2 衬底温度超薄太阳电池

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梯度掺杂技术生长绒面结构ZnO-TCO 薄膜及其特性研究

梯度掺杂技术生长绒面结构ZnO-TCO 薄膜及其特性研究

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：陈新亮闫聪博耿新华杨旭张德坤魏长春赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所& 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室& 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

研究适合高效率率宽谱域太阳电池用透明导电氧化物(TCO)薄膜材料是当前光伏领域的研究热点及重点.MOCVD 技术是一种生长太阳电池用绒面结构ZnO-TCO 薄膜的主流技术,绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性,从而降低生产成本.实验中... 详细信息

研究适合高效率率宽谱域太阳电池用透明导电氧化物(TCO)薄膜材料是当前光伏领域的研究热点及重点.MOCVD 技术是一种生长太阳电池用绒面结构ZnO-TCO 薄膜的主流技术,绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性,从而降低生产成本.实验中源材料采用二乙基锌(DEZn)和水(H2O),而掺杂剂硼烷(B2H6)气体.MOCVD 制备绒面ZnO-TCO 薄膜过程中提出一种梯度B 掺杂生长技术,即通过逐渐改变B2H6 的掺杂量改善ZnO 薄膜的在可见光及近红外区域(~380-1500nm)的光学透过特性,并维持较好的电学性能.此外,梯度掺杂技术可以调整ZnO 薄膜的晶粒特征,改善薄膜的光散射特性.通过优化薄膜生长过程,在掺杂量为(0+3.0)sccm 时获得薄膜综合性能相对较好的ZnO:B 薄膜,此时薄膜的方块电阻为~11.9Ω,晶粒尺寸为~500 nm,可见光透过率>85％,近红外区域透过率>80％.此种新型梯度掺杂技术具有良好的工艺兼容性,可适用于于产业化推广应用.

关键词： MOCVD ZnO-TCO 薄膜绒面结构梯度掺杂技术薄膜太阳电池

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VHF VHF-PECVD 技术制备平米级非晶硅硅/非晶硅锗锗/微晶硅电池的研究

VHF VHF-PECVD 技术制备平米级非晶硅硅/非晶硅锗锗/微晶硅电池的...

引用

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：任慧志赵颖许盛之王宗畔张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

本文报道了对于生产线上基于单室多片技术制备的a-Si/a-SiGe 电池作为三结电池的顶电池和中间电池,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积μc-Si 底电池,制备出大面积a-Si/a-SiGe/μc-Si 三结电池组件.研究了对a-Si/a-... 详细信息

本文报道了对于生产线上基于单室多片技术制备的a-Si/a-SiGe 电池作为三结电池的顶电池和中间电池,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积μc-Si 底电池,制备出大面积a-Si/a-SiGe/μc-Si 三结电池组件.研究了对a-Si/a-SiGe/μc-Si 中a-SiGe 电池的n 层H 离子处理、加入n 型微晶硅薄膜材料的方法改善叠层电池的np 隧穿结;采用沉积过程中氢稀释率梯度调制技术提高微晶硅电池本征层的微结构均匀性.通过优化上述实验参数,获得初始功率71W,转换效率9.5％,面积为0.79m2的a-Si/a-SiGe/μc-Si 三结电池组件.

关键词： VHF-PECVD 非晶硅锗电池微晶硅电池

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反应磁控溅射技术生长W掺杂ZnO(WZO)薄膜及其特性研究

反应磁控溅射技术生长W掺杂ZnO(WZO)薄膜及其特性研究

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：张翅陈新亮王斐黄茜赵颖张晓丹耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO (ZnO:W,即WZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜并研究了氧气流量对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响.实验结果表明,WZO 薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,且适当的氧气流量是制... 详细信息

采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO (ZnO:W,即WZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜并研究了氧气流量对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响.实验结果表明,WZO 薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,且适当的氧气流量是制备优质WZO 薄膜的关键因素.WZO 薄膜表面形貌受薄膜结晶质量的影响.当氧气流量为11.5sccm 时,WZO 薄膜在400-1500nm 透过率达到~87.3％,方块电阻~43.89Ω,电阻率~5.12×10-3Ωcm,迁移率为21.3cm2v-1s-1.

关键词：反应磁控溅射 ZnO薄膜 W掺杂 TCO薄膜氧气流量

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磁控溅射技术生长绒面结构氢化Ga 掺杂ZnO-TCO 薄膜及其特性研究+

磁控溅射技术生长绒面结构氢化Ga 掺杂ZnO-TCO 薄膜及其特性研究+

引用

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：陈新亮王斐耿新华张翅张德坤魏长春黄茜赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所& 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室& 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

磁控溅射技术是一种生长太阳电池用绒面结构ZnO-TCO 薄膜的主流技术.绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性,从而降低生产成本.实验中溅射靶材为陶瓷靶ZnO:Ga2O3,工作气体采用Ar 和H2 气体,利用磁控溅射技术直接生长获得了太阳电池... 详细信息

磁控溅射技术是一种生长太阳电池用绒面结构ZnO-TCO 薄膜的主流技术.绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性,从而降低生产成本.实验中溅射靶材为陶瓷靶ZnO:Ga2O3,工作气体采用Ar 和H2 气体,利用磁控溅射技术直接生长获得了太阳电池用绒面结构氢化Ga 掺杂ZnO 薄膜,并研究了其微观结构和光电性能.具体内容：1)通过调节沉积参数,生长获得了绒面结构HGZO 薄膜,薄膜表面呈现“弹坑状”形貌,方块电阻~4.0-7.0.,可见光及近红外区域透过率~85％.2)为了进一步提高薄膜光散射能力和光学透过率,根据不同H2 流量下HGZO 薄膜性能的优点,提出了梯度H2 技术生长HGZO 薄膜;采用梯度H2 工艺生长获得的HGZO 薄膜长波区域透过率有了一定的提高,薄膜具有弹坑状表面形貌,并且其光散射能力有了明显提高.3)采用缓冲层技术生长绒面结构HGZO 薄膜,生长获得的IWO/HGZO 薄膜方块电阻为~3.6.,可见光及近红外区域透过率(400-1100nm)为82.18％,薄膜绒度(550nm 波长处)为18.37％.

关键词：磁控溅射技术 ZnO-TCO薄膜绒面结构梯度生长缓冲层薄膜太阳电池

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缓冲层对太阳电池用绒面结构MOCVD-ZnO薄膜光电性能的影响

缓冲层对太阳电池用绒面结构MOCVD-ZnO薄膜光电性能的影响

引用

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：杨旭陈新亮张建军闫聪博赵慧旭高海波耿新华赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

宽光谱透明导电氧化物(TCO)材料及其在薄膜太阳电池上的应用已成为新的研究热点.增加TCO 薄膜在近红外区域的光学透过对于提高太阳电池效率具有重要意义.本文通过优化ZnO 缓冲层(buffer layer),有效地改善了MOCVD-ZnO:B 的光电特性.结... 详细信息

宽光谱透明导电氧化物(TCO)材料及其在薄膜太阳电池上的应用已成为新的研究热点.增加TCO 薄膜在近红外区域的光学透过对于提高太阳电池效率具有重要意义.本文通过优化ZnO 缓冲层(buffer layer),有效地改善了MOCVD-ZnO:B 的光电特性.结果表明：“富氧”的缓冲层有效地增加了ZnO:B-TCO 的近红外区域透过率,使其更适应宽光谱薄膜太阳电池的发展要求.经过优化的ZnO:B 特性如下：“类金字塔”状晶粒尺寸~300nm-500nm,波长550nm 处绒度(Haze) 值为10.8％, 薄膜电子迁移率为20.7cm2/Vs , 电阻率为2.14×***,载流子浓度为1.41×1020cm-3,且在400nm-1500nm 波长范围内的平均透过率为83％(含2mm 厚玻璃衬底).

关键词： MOCVD ZnO:B 薄膜 TCO 缓冲层薄膜太阳电池

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基于n型SiOx功能层的非晶硅薄膜太阳电池的研究

基于n型SiOx功能层的非晶硅薄膜太阳电池的研究

引用

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：樊君张存善倪牮魏长春王广才赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室（南开大学天津大学）天津 300071 河北工业大学信息学院天津 30013 河北工业大学信息学院天津 300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室（南开大学天津大学）天津 300071

本文主要借助于传统的PECVD 技术实现了功能层n 型SiOx 材料的制备.并且通过O 含量的有效控制,获得了折射率可调的系列n 型SiOx 材料.为提高电池的效率,我们将设计制备的功能层SiOx 材料应用于传统的非晶硅薄膜太阳电池中,I-V 和QE 测... 详细信息

本文主要借助于传统的PECVD 技术实现了功能层n 型SiOx 材料的制备.并且通过O 含量的有效控制,获得了折射率可调的系列n 型SiOx 材料.为提高电池的效率,我们将设计制备的功能层SiOx 材料应用于传统的非晶硅薄膜太阳电池中,I-V 和QE 测试结果表明：该层的引入不仅可以起到传统n 层材料的电学作用,而且最为重要的是可有效提高电池的光利用.基于该功能层材料制备的电池效率较传统的n 层材料提高了近10％.由于该功能层材料是基于生产线上成熟的PECVD 技术,因此该研究成果对于产业化的硅基薄膜太阳电池具有重要的意义.

关键词：硅基薄膜太阳电池 n 型SiOx 材料型功能层光管理

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三维纳米陷光结构的设计、制备及其在太阳电池中的应用研究

三维纳米陷光结构的设计、制备及其在太阳电池中的应用研究

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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

作者：贾志楠刘彩池魏长春赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室（南开大学天津大学）天津 300071 河北工业大学材料学院天津 3001 河北工业大学材料学院天津 300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室（南开大学天津大学）天津 300071

对于薄膜太阳电池,在保证材料电特性前提下,通过合适的光学设计,达到“电薄”而“光厚”的效果,是提高电池效率、最大限度地扩大其低成本优势的关键因素之一.陷光作用是增加入射光在电池中传播光程的重要手段.而基于三维纳米结构的前电... 详细信息

对于薄膜太阳电池,在保证材料电特性前提下,通过合适的光学设计,达到“电薄”而“光厚”的效果,是提高电池效率、最大限度地扩大其低成本优势的关键因素之一.陷光作用是增加入射光在电池中传播光程的重要手段.而基于三维纳米结构的前电极陷光,利用纳米结构的优势将太阳电池的光吸收和输运进行有效控制,可以有效提高电池的短路电流密度,进而获得高的电池转换效率.本文主要是借助于水热技术进行基于ZnO 的三维纳米陷光结构的制备,并将其应用到硅薄膜电池中,明显提高了电池的短路电流密度和光电转换效率.这种方法操作简单,不需要光刻技术等,制备出的衬底面积大,成本也非常的低廉,非常有利于产业化大面积应用.

关键词：硅薄膜 ZnO 纳米柱三维

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