检索结果-内蒙古大学图书馆

物理化学学报 2011年第2期27卷 425-431页

作者：陈东坡张晓丹魏长春刘彩池赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息功能材料研究所天津300130

通过不同浓度的TiCl4溶液水解,在光阳极导电玻璃(FTO)基底上制备了阻挡层薄膜,以此来抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应,采用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射分别测试了阻挡层薄膜的组成,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和紫外... 详细信息

通过不同浓度的TiCl4溶液水解,在光阳极导电玻璃(FTO)基底上制备了阻挡层薄膜,以此来抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应,采用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射分别测试了阻挡层薄膜的组成,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和紫外-可见(UV-Vis)分光光度计测试了阻挡层的形貌和对光的透过率,在AM1.5和暗环境下分别测试了染料敏化太阳能电池(DSSC)的光电性能.实验结果表明:用此方法可以获得由TiO2粒子组成的阻挡层薄膜;阻挡层薄膜的形貌随着TiCl4溶液浓度的增加而改变,它的厚度随着TiCl4溶液浓度的增加而增加;引入阻挡层后,FTO对光的透过率都会下降;这一薄膜的引入可以提高电池的光电性能,用0.04 mo·lL-1的TiCl4溶液制备的阻挡层对暗电流的抑制作用最为明显,电池在AM1.5的条件下测试,转换效率最高7.84%.

关键词：染料敏化太阳能电池阻挡层 TiO2薄膜暗电流 TiCl4

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VHF-PECVD法制备μc-SiGe薄膜的研究

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光电子．激光 2011年第3期22卷 382-386页

作者：敦亚琳张建军张丽平张鑫曹宇郝秋艳耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 河北工业大学信息功能材料研究所天津300130

分别以Si2H6和GeH4及SiH4和GeH4两种组合气体为源气体,用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备μc-SiGe薄膜,用Raman散射光谱和原子力显微镜(AFM)对薄膜的结构进行研究。结果表明:与SiH4和GeH4制备的薄膜系列相比,Si2H6和GeH4... 详细信息

分别以Si2H6和GeH4及SiH4和GeH4两种组合气体为源气体,用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备μc-SiGe薄膜,用Raman散射光谱和原子力显微镜(AFM)对薄膜的结构进行研究。结果表明:与SiH4和GeH4制备的薄膜系列相比,Si2H6和GeH4制备的薄膜中Ge的融入速率相对较慢;用Si2H6和GeH4制备的μc-SiGe薄膜,随着GeH4浓度的增加,薄膜结构始终保持一定的有序度;随着H2稀释率、辉光功率的增大,薄膜结构趋于有序。

关键词： μc-SiGe薄膜甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) Raman光谱原子力显微镜(AFM)

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电子束沉积In_2O_3基W-Mo共掺薄膜的特性研究

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光电子．激光 2011年第4期22卷 550-554页

作者：任世荣陈新亮张存善李林娜张德坤孙建耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300130

利用电子束反应沉积技术制备了高迁移率In2O3基W-Mo共掺(IMWO,In2O3:WO3/MoO3)薄膜,研究了不同等量WO3-MoO3掺杂浓度对薄膜的微观结构、光学性能和电学性能的影响。IMWO薄膜的表面形貌呈现"类金字塔"型。随着WO3-MoO3共掺量... 详细信息

利用电子束反应沉积技术制备了高迁移率In2O3基W-Mo共掺(IMWO,In2O3:WO3/MoO3)薄膜,研究了不同等量WO3-MoO3掺杂浓度对薄膜的微观结构、光学性能和电学性能的影响。IMWO薄膜的表面形貌呈现"类金字塔"型。随着WO3-MoO3共掺量的增加,IMWO薄膜的电阻率依次下降,载流子浓度逐渐增加,在共掺量为1.0%时制得相对较高电子迁移率的薄膜,电子迁移率约为45.5 cm2.V-1.s-1,电阻率约为3.66×10-4Ω.cm,电子的载流子浓度约为3.74×1020cm-3,方块电阻约为22.88Ω/□,400~1 100 nm光谱区域内的平均透过率约为76%(含玻璃衬底,即glass/IMWO薄膜)。

关键词：电子束沉积技术 In2O3:WO3/MoO3(IMWO)薄膜共掺技术高迁移率

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电子束沉积技术生长WZO-TCO薄膜及其特性研究

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光电子．激光 2011年第11期22卷 1655-1659页

作者：陈雪莲陈新亮张存善张德坤魏长春张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300130

采用电子束沉积技术生长W掺ZnO(WZO,ZnO:W)透明导电氧化物(TCO)薄膜(即WZO-TCO薄膜)并研究了衬底温度(100～350℃)对薄膜微观结构、表面形貌以及光电性能的影响。实验表明,随着衬底温度的升高,薄膜的晶体质量取得明显改善(从非晶化状态... 详细信息

采用电子束沉积技术生长W掺ZnO(WZO,ZnO:W)透明导电氧化物(TCO)薄膜(即WZO-TCO薄膜)并研究了衬底温度(100～350℃)对薄膜微观结构、表面形貌以及光电性能的影响。实验表明,随着衬底温度的升高,薄膜的晶体质量取得明显改善(从非晶化状态转变到结晶状态),生长的WZO薄膜呈现c轴择优取向[即(002)晶面]的六角纤锌矿结构。提高衬底温度后,薄膜的光电性能得到了显著改善。霍尔(Hall)迁移率随着衬底温度增加而单调升高,从100℃时的0.1cm2.V-1.s-1提高到350℃时的15.4cm2.V-1.s-1。在衬底温度200℃时获得WZO薄膜最低电阻率2.6×10-3Ω.cm。实验结果还表明,在350℃条件下获得的WZO薄膜性能相对较好,其典型Hall迁移率为15.4cm2.V-1.s-1,载流子浓度为1.2×1020 cm-3,可见光和近红外区域内的平均透过率为82.27%(含2mm玻璃衬底)。

关键词：电子束沉积技术 W掺ZnO(WZO,ZnO:W)薄膜透明导电氧化物(TCO)膜光电性能太阳电池

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SiO2阻挡层对电子束沉积法生长高迁移率IWO薄膜性能的影响

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人工晶体学报 2011年第4期40卷 843-847页

作者：任世荣陈新亮张存善孙建张晓丹耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300130

利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO(In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究。SiO2缓冲层在室温生长。SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜。实验获得的具有SiO2... 详细信息

利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO(In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究。SiO2缓冲层在室温生长。SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜。实验获得的具有SiO2阻挡层的IWO薄膜的电子迁移率μ～54.5 cm.2V-.1s-1,电阻率ρ～5.86×10-4Ω.cm,电子载流子浓度n～1.95×1020 cm-3,400～1600 nm光谱区域内的平均透过率～76%。

关键词：电子束沉积技术 SiO2阻挡层 IWO薄膜高迁移率

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退火对活性层P3HT:PCBM性能的影响

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太阳能学报 2011年第2期32卷 220-224页

作者：张亚萍张建军李文杰耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学材料科学与工程学院天津300130

采用匀胶机旋涂成膜的方法在手套箱中制备了P3HT:PCBM薄膜,详细研究了退火处理对薄膜的吸收、晶体结构以及表面形貌的影响,并全面阐述了它们之间的联系。结果发现退火后薄膜的吸收增强,吸收峰的峰位有所红移,通过XRD测试研究表明是因为... 详细信息

采用匀胶机旋涂成膜的方法在手套箱中制备了P3HT:PCBM薄膜,详细研究了退火处理对薄膜的吸收、晶体结构以及表面形貌的影响,并全面阐述了它们之间的联系。结果发现退火后薄膜的吸收增强,吸收峰的峰位有所红移,通过XRD测试研究表明是因为薄膜出现了不同程度的晶化,主要是P3HT发生了部分晶化。对表面形貌进一步研究发现退火后薄膜的表面粗糙度有所增加,并形成了一定清晰可见的互穿网络,薄膜发生品化,使薄膜性能得到大大改善。将优化得到的材料用于太阳电池中,电池结构为glass/ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/Al,在AM1.5,100mW/cm^2条件下测试获得电池效率1.41%。

关键词： P3HT PCBM 退火吸收晶体结构形貌

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薄膜太阳电池用TCO薄膜制造技术及其特性研究

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材料导报 2011年第18期25卷 73-77页

作者：陈新亮王斐闫聪博李林娜林泉倪牮张晓丹耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构... 详细信息

阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如"弹坑"状和"类金字塔"状表面)的主流生长技术;高迁移率TCO薄膜(IMO、IWO、ZnO∶Ga等)以及柔性衬底TCO薄膜是研究开发的重点。

关键词：镀膜技术 TCO薄膜绒面结构高迁移率缓冲层梯度掺杂薄膜太阳电池

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嵌入式人脸识别系统的硬件方案设计

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南开大学学报（自然科学版） 2011年第4期44卷 35-40页

作者：全治臻周锎耿卫东胡思捷南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光信息技术科学教育部重点实验室天津300071 天津光电通信技术有限公司技术中心天津300211

提出了基于S3C2440和DSP TMS320DM642的双核人脸识别系统的硬件方案,根据系统的功能需求给出了系统的总体框图和各功能模块的实现方案.系统的存储模块、视频采集模块、音频处理模块和USB接口扩展模块的设计原理进行了详细的介绍.此外还... 详细信息

提出了基于S3C2440和DSP TMS320DM642的双核人脸识别系统的硬件方案,根据系统的功能需求给出了系统的总体框图和各功能模块的实现方案.系统的存储模块、视频采集模块、音频处理模块和USB接口扩展模块的设计原理进行了详细的介绍.此外还针对系统的电源需求特点做出了系统的供电方案设计.最后移植人脸识别程序对实现的核心系统进行了性能测试.

关键词：人脸识别嵌入式 S3C2440 DM642

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掺杂PEDOT∶PSS对聚合物太阳能电池性能影响的研究

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物理学报 2011年第11期60卷 548-554页

作者：郝志红胡子阳张建军郝秋艳赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息功能材料研究所天津300130

研究了掺杂后poly(3,4-ethylene dioxythiophene):poly(styrenesulphonic acid)(PEDOT∶PSS)电导率的变化以及掺杂PEDOT∶PSS薄膜对聚合物太阳能电池器件性能的影响.实验发现,向PEDOT∶PSS中掺入极性溶剂二甲基亚砜(DMSO)明显提高了薄膜的电导率,掺杂后的电导率最大值达到1.25S/cm,比未掺杂时提高了3个数量级.将掺杂的PEDOT∶PSS薄膜作为缓冲层应用于聚合物电池(ITO/PEDOT∶PSS/P3HT∶PCBM/LiF/Al)中,发现高电导率的PEDOT∶PSS降低了器件的串联电阻,增加了器件的短路电流,从而提高了器件的性能.最好的聚合物太阳能电池在100mW/cm2的光照下,开路电压(Voc)为0.63V,短路电流密度(Jsc)为11.09mA·cm-2,填充因子(FF)为63.7%,能量转换效率(η)达到4.45%.

关键词： PEDOT∶PSS 电导率聚合物太阳能电池能量转换效率

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硅基薄膜太阳电池技术的发展

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太阳能 2011年第16期 32-35,51页

作者：耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

本文综述了硅基薄膜太阳电池技术的发展历程。在分析光伏产品现状基础上指出硅基薄膜太阳电池当前面临的挑战主要是稳定效率较低,面临大幅降价的晶硅电池,其发电成本不具备优势,导致其市场份额不高。详细分析了影响硅基薄膜太阳电池效... 详细信息

本文综述了硅基薄膜太阳电池技术的发展历程。在分析光伏产品现状基础上指出硅基薄膜太阳电池当前面临的挑战主要是稳定效率较低,面临大幅降价的晶硅电池,其发电成本不具备优势,导致其市场份额不高。详细分析了影响硅基薄膜太阳电池效率的原因,阐述了提高硅基薄膜太阳电池稳定效率的主要技术途径是:发展新型高吸收系数宽带隙和窄带隙光伏材料、采用多结叠层电池结构和光管理设计。

关键词：硅基薄膜电池稳定效率多结叠层结构新型光伏材料光管理设计

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