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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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45 篇 理学
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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学

主题

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42 篇 薄膜太阳电池
21 篇 微晶硅
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17 篇 甚高频等离子体增...
17 篇 微晶硅薄膜
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16 篇 zno薄膜
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12 篇 硅基
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机构

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62 篇 光电信息技术科学...
59 篇 河北工业大学
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8 篇 南开大学光电子薄...
7 篇 天津新华职工大学
6 篇 南开大学光电子薄...
4 篇 天津大学
3 篇 南开大学光电子薄...
3 篇 仪器科学与动态测...
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2 篇 天津工业大学
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2 篇 浙江大学
2 篇 希腊帕特雷大学
1 篇 暨南大学
1 篇 河北省信息产业厅...

作者

311 篇 赵颖
237 篇 张晓丹
158 篇 耿新华
143 篇 魏长春
130 篇 孙建
101 篇 张德坤
84 篇 陈新亮
65 篇 熊绍珍
65 篇 侯国付
56 篇 薛俊明
47 篇 张建军
43 篇 黄茜
39 篇 倪牮
30 篇 许盛之
29 篇 任慧志
27 篇 白立沙
25 篇 刘伯飞
22 篇 韩晓艳
20 篇 高艳涛
20 篇 朱锋

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384 篇 中文

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单室沉积pin型全硅三叠层薄膜太阳电池的研究

单室沉积pin型全硅三叠层薄膜太阳电池的研究

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：郑新霞张晓丹杨素素魏长春孙建耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

本文在已有的单室VHF-PECVD技术制备pin型单结微晶硅电池的基础上，将产业化低成本单室非晶硅/非晶硅叠层电池升级到单室a-Si：H/a—Si：H/μc-Si：H pin结构的三叠层电池，通过优化隧穿结和底电池，获得了光电转换效率超过9％的单室a-S... 详细信息

本文在已有的单室VHF-PECVD技术制备pin型单结微晶硅电池的基础上，将产业化低成本单室非晶硅/非晶硅叠层电池升级到单室a-Si：H/a—Si：H/μc-Si：H pin结构的三叠层电池，通过优化隧穿结和底电池，获得了光电转换效率超过9％的单室a-Si/a-Si/μc-Si pin结构的三叠层电池。

关键词：单室沉积硅太阳能电池三叠层电池转换效率

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纳米Ag颗粒表面等离子激元对np隧穿结电阻特性的影响研究

纳米Ag颗粒表面等离子激元对np隧穿结电阻特性的影响研究

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：黄茜张晓丹刘阳孙建赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

本文从表面等离子激元对叠层电池电学特性影响方面入手，研究了纳米Ag颗粒表面等离子激元对np隧穿结电阻的影响问题。采用20nm微晶n层/20 nm微晶p层的测试结构对模拟叠层电池np隧穿结特性进行模拟，并在其中引入纳米Ag颗粒作为中间层。... 详细信息

本文从表面等离子激元对叠层电池电学特性影响方面入手，研究了纳米Ag颗粒表面等离子激元对np隧穿结电阻的影响问题。采用20nm微晶n层/20 nm微晶p层的测试结构对模拟叠层电池np隧穿结特性进行模拟，并在其中引入纳米Ag颗粒作为中间层。通过对np结构与n/interlayer/p结构的光态及暗态I-V特性对比分析表明：叠层电池中的np隧穿结具有良好的欧姆接触特性，能够形成载流子的有效隧穿复合;在np隧穿结中引入纳米Ag颗粒作为中间层，纳米Ag颗粒在光照下激发出表面等离子激元，其高能表面电场有利于光照下np结隧穿电阻明显降低。

关键词：纳米Ag颗粒叠层电池 np隧穿结表面等离子激元电学特性欧姆接触特性

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n型氢化微晶硅氧中间反射层的初步研究

n型氢化微晶硅氧中间反射层的初步研究

引用

第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：岳强张晓丹郑新霞魏长春耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

本文初步研究了n型氢化微晶硅氧薄膜作为中间反射层在叠层电池中的应用问题。实验结果表明：μc-SiOχ：H中间反射层的加入使得叠层电池的a-Si：H顶电池对波长在700nm以下入射光的响应有所提高，与此同时μc-Si：H底电池对这部分入射光... 详细信息

本文初步研究了n型氢化微晶硅氧薄膜作为中间反射层在叠层电池中的应用问题。实验结果表明：μc-SiOχ：H中间反射层的加入使得叠层电池的a-Si：H顶电池对波长在700nm以下入射光的响应有所提高，与此同时μc-Si：H底电池对这部分入射光的响应有所降低。同时研究还发现底电池对波长在700nm以上的入射光响应也有一定程度的提高。增加中间层的厚度和降低中间层的折射率均会提高整个叠层电池在550～750 11m波长范围内的EQE响应。从量子效率测量结果来看，目前获得电流匹配最好的电池计算得到的顶、底电池的电流密度分别为：Jtop=12.67mA/cm2、Jbot=12.69mA/cm2，电池的光电转换效率为10.26％。

关键词：硅叠层太阳电池中间反射层微晶硅氧薄膜光电转换率

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纳米Ag颗粒表面高能电场对硅基薄膜拉曼散射信号的增强效应研究

纳米Ag颗粒表面高能电场对硅基薄膜拉曼散射信号的增强效应研究

引用

第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：黄茜张晓丹孙建刘阳赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

本文将纳米Ag颗粒的SERS效应扩展应用于硅基薄膜材料的拉曼散射光谱中，以展示其高能电场对固态硅基薄膜材料的作用能力。研究表明纳米Ag颗粒的表面高能电场能够显著增强非晶硅及硅锗薄膜材料的拉曼光谱信号强度，得到了非晶硅薄膜TO模... 详细信息

本文将纳米Ag颗粒的SERS效应扩展应用于硅基薄膜材料的拉曼散射光谱中，以展示其高能电场对固态硅基薄膜材料的作用能力。研究表明纳米Ag颗粒的表面高能电场能够显著增强非晶硅及硅锗薄膜材料的拉曼光谱信号强度，得到了非晶硅薄膜TO模增益13.76、TA模增益23.89以及非晶硅锗薄膜Ge-Ge键增益10.58的结果。该结果表明，纳米Ag颗粒的表面高能电场对硅基薄膜材料同样具有显著的表面增强拉曼散射效应，能够提高硅基薄膜中弱峰的探测精度，为硅基薄膜精细的结构分析提供了一个有力的工具。

关键词：纳米Ag颗粒拉曼散射光谱高能电场硅基薄膜增强效应

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降低表面等离子激元在薄膜电池中引入寄生损失的途径研究

降低表面等离子激元在薄膜电池中引入寄生损失的途径研究

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第十一届中国光伏大会暨展览会

本文从纳米Ag颗粒表面等离子激元光学及表面高能电场特性两方面入手，较为系统地研究了周围介质的导电特性对表面等离子激元特性的影响问题。通过对复合薄膜的紫外-可见-近红外光谱及表面增强拉曼散射光谱的分析，指出具有绝缘性的A12O... 详细信息

本文从纳米Ag颗粒表面等离子激元光学及表面高能电场特性两方面入手，较为系统地研究了周围介质的导电特性对表面等离子激元特性的影响问题。通过对复合薄膜的紫外-可见-近红外光谱及表面增强拉曼散射光谱的分析，指出具有绝缘性的A12O3介质薄膜能够起到良好的表面电场定域效果，且不会引入附加的光吸收损失;而导电性的ITO薄膜则会引入表面价电子的溢出损失，促进了表面电场的衰逝，同时引起长波方向上显著的光学损失。该研究还表明致密的AlzO3介质薄膜能够起到良好的阻挡作用，且被包裹的纳米Ag颗粒表面等离子激元特性仅受最近邻的A12O3薄膜特性的影响。以上研究结果为实现在硅基薄膜太阳电池中对纳米Ag颗粒的阻挡、寄生光吸收损失的降低以及表面高能电场的利用，提供了一条有效的解决途径。

关键词：等离子体激元薄膜电池寄生损失电场特性

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多晶硅薄膜电池的二维模型结构模拟

多晶硅薄膜电池的二维模型结构模拟

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：王烁刘会刚倪牮岳强李娟丁思唯张晓丹赵颖熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

对于多晶硅薄膜电池进行计算机模拟时，由于多晶硅薄膜中晶粒间界的存在，一维条件下的电池模型已不再能满足要求。因而本文中采用sILVAC0公司的TcAD仿真软件构建二维多晶硅薄膜电池模型，对电池吸收层中的晶粒内部及晶粒间界的材料特... 详细信息

对于多晶硅薄膜电池进行计算机模拟时，由于多晶硅薄膜中晶粒间界的存在，一维条件下的电池模型已不再能满足要求。因而本文中采用sILVAC0公司的TcAD仿真软件构建二维多晶硅薄膜电池模型，对电池吸收层中的晶粒内部及晶粒间界的材料特性分别进行定义，研究了晶粒间界处缺陷态密度与晶粒尺寸对于多晶硅薄膜电池性能的影响。

关键词：薄膜电池计算机模拟多晶硅薄膜模型结构电池性能

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功率梯度法制备微晶硅锗太阳电池

功率梯度法制备微晶硅锗太阳电池

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：曹宇张建军倪牮王先宝黄振华孙健耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECvD)技术，采用适当比例的硅烷、锗烷、氢气作为反应气源，在衬底温度为200℃条件下制备微晶硅锗薄膜。首先研究了辉光功率对微晶硅锗薄膜材料结构特征和光电特性的影响。结果表明。由于锗... 详细信息

本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECvD)技术，采用适当比例的硅烷、锗烷、氢气作为反应气源，在衬底温度为200℃条件下制备微晶硅锗薄膜。首先研究了辉光功率对微晶硅锗薄膜材料结构特征和光电特性的影响。结果表明。由于锗烷的优先耗尽，随着功率的增加，微晶硅锗薄膜中的锗含量有不断降低的趋势。在此基础上，引入功率梯度的方法用于微晶硅锗本征层的制备，在沉积本征层的过程中分阶段降低功率。不仅优化了微晶硅锗材料晶化状况的纵向均匀性，而且使微晶硅锗电池本征层的带隙得到调控，减少了p/i界面带隙失配的影响。将此方法应用到微晶硅锗太阳电池中，电池性能一定程度上得到了改善，将其应用于非晶硅/微晶硅锗叠层电池，转换效率达到7.7％。

关键词：微晶硅锗辉光功率带隙调节太阳能电池功率梯度法

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低成本硅薄膜太阳电池制造技术研究

低成本硅薄膜太阳电池制造技术研究

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：耿新华赵颖张晓丹侯国付陈新亮魏长春孙健张德坤任慧志张建军南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室\南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

硅薄膜电池具有原材料丰富、低能耗、工艺简单等优势，然而其较低的转换效率和较差的稳定性使其在发电成本上并不具备优势。为此，国内外发展了新一代硅薄膜太阳电池技术——非晶硅/微晶硅叠层电池，以提高效率和稳定性。本文介绍了南... 详细信息

硅薄膜电池具有原材料丰富、低能耗、工艺简单等优势，然而其较低的转换效率和较差的稳定性使其在发电成本上并不具备优势。为此，国内外发展了新一代硅薄膜太阳电池技术——非晶硅/微晶硅叠层电池，以提高效率和稳定性。本文介绍了南开大学在新型非晶硅/微晶硅叠层电池研究方面的新进展。实现非晶硅/微晶硅叠层电池低成本制造的关键技术主要是高速沉积技术、陷光结构和提高效率的技术。本文研究了高速优质硅薄膜材料的获得，陷光材料结构对硅薄膜材料特性及电池性能的影响，提高非晶硅顶电池、微晶硅底电池及其叠层电池效率的途径等。在研究基础上使5.03mm×5.03 mm非晶硅电池效率在沉积速率15 A/s下达到9.37％，微晶硅电池效率在沉积速率12 A/s下达到9.36％，非晶硅/微晶硅叠层电池的效率达到11.79％，100 mm×100 mm非晶硅/微晶硅叠层电池组件的效率达到10.68％。

关键词：硅薄膜陷光结构电池效率太阳能电池制造技术

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MOCVD技术生长薄膜电池用绒面结构IMO/ZnO薄膜

MOCVD技术生长薄膜电池用绒面结构IMO/ZnO薄膜

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第十一届全国MOCVD学术会议

作者：林泉陈新亮韩东港孙建赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室

本文利用MOCVD技术在缓冲层IMO薄膜上生长绒面结构ZnO-TCO薄膜。相比于通常直接生长的ZnO薄膜,IMO缓冲层的应用可有效提高绒面ZnO薄膜晶体质量,薄膜方块电阻可从8Ω降低至6Ω,薄膜电子迁移率从20.1 cm/Vs提高至31.7cm/Vs;光学透过率测... 详细信息

本文利用MOCVD技术在缓冲层IMO薄膜上生长绒面结构ZnO-TCO薄膜。相比于通常直接生长的ZnO薄膜,IMO缓冲层的应用可有效提高绒面ZnO薄膜晶体质量,薄膜方块电阻可从8Ω降低至6Ω,薄膜电子迁移率从20.1 cm/Vs提高至31.7cm/Vs;光学透过率测试表明,复合结构IMO/ZnO薄膜在可见光和近红外区域展现平均透过率～85%;此种新型TCO薄膜适合a-Si/uc-Si薄膜太阳电池应用。

关键词： MOCVD技术 ZnO薄膜 IMO薄膜高迁移率太阳电池

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低温RF-PECVD沉积非晶硅锗及其太阳电池的研究

低温RF-PECVD沉积非晶硅锗及其太阳电池的研究

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：王先宝张建军倪牮曹字李超耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，衬底温度在180℃沉积非晶硅锗薄膜材料及太阳电池。本文研究了反应气体中的锗。

关键词：非晶硅锗低温沉积锗烷浓度太阳电池化学气相沉积衬底温度薄膜材料

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