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中国可再生能源学会2011年学术年会

作者：王利张晓丹赵颖刘伯飞杨素素魏长春孙建张德坤耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

本文提出了一种测试短波光子在光损耗层（P 层，PI-buffer 层）的吸收损失的方法，从而弥补了量子效率测试无法将吸收损失和输运损失分开的不足。对不同P 层厚度和 PI-buffer 厚度对短波光子的吸收实验结果显示，P 层厚度在10nm 左右时... 详细信息

本文提出了一种测试短波光子在光损耗层（P 层，PI-buffer 层）的吸收损失的方法，从而弥补了量子效率测试无法将吸收损失和输运损失分开的不足。对不同P 层厚度和 PI-buffer 厚度对短波光子的吸收实验结果显示，P 层厚度在10nm 左右时对短波光子吸收较明显，而PI-buffer 层则不仅引起短波光子吸收损失严重，而且影响的波段的范围更广.

关键词：吸收损失挡光片非晶硅太阳电池量子效率短波光子

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采用VHF-PECVD技术制备大面积PPPP型微晶硅材料

采用VHF-PECVD技术制备大面积PPPP型微晶硅材料

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中国可再生能源学会2011年学术年会

作者：任慧志赵颖张晓丹葛洪王宗畔南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备高电导率、高晶化率的P 型大面积微晶硅材料。研究了硼掺杂比、硅烷浓度和辉光功率对P 型微晶硅材料微结构和电学特性的影响。实验结果表明，P 型微晶硅材料微结构和电... 详细信息

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备高电导率、高晶化率的P 型大面积微晶硅材料。研究了硼掺杂比、硅烷浓度和辉光功率对P 型微晶硅材料微结构和电学特性的影响。实验结果表明，P 型微晶硅材料微结构和电学特性与沉积参数密切相关。通过优化沉积参数，在厚度为31nm 时，获得了晶化率67％，电导率0.68S/cm的大面积P 型微晶硅材料。

关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积 P型微晶硅太阳电池不均匀性电学特性

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大面积VHF-PECVD沉积系统的研制及其微晶硅薄膜电池工艺研发

大面积VHF-PECVD沉积系统的研制及其微晶硅薄膜电池工艺研发

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中国可再生能源学会2011年学术年会

作者：张晓丹任慧志魏长春许盛之张德坤王宗畔赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071

针对国际硅薄膜太阳电池的发展趋势，本文进行了可进行大面积微晶硅薄膜沉积的 VHF-PECVD 沉积系统的研发。首次在国内获得了具有自主知识产权的大面积微晶硅薄膜沉积系统。同时通过对工艺参数的优化，获得了大面积电学特性、结构特性... 详细信息

针对国际硅薄膜太阳电池的发展趋势，本文进行了可进行大面积微晶硅薄膜沉积的 VHF-PECVD 沉积系统的研发。首次在国内获得了具有自主知识产权的大面积微晶硅薄膜沉积系统。同时通过对工艺参数的优化，获得了大面积电学特性、结构特性均匀的微晶硅薄膜。为了检测制备薄膜的特性，将生产线上单室沉积的非晶硅/非晶硅锗叠层电池进行了技术升级，获得了效率达到9.2％的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三叠层薄膜太阳电池。

关键词：微晶硅三叠层电池薄膜电池沉积系统电学特性

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高速沉积微晶硅本征层的纵向结构的改善

高速沉积微晶硅本征层的纵向结构的改善

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中国可再生能源学会2011年学术年会

作者：李双亮李杨张晓丹许盛之赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室

与低速沉积的微晶硅薄膜相比，高速沉积的微晶硅薄膜具有非晶孵化层厚、纵向结构均匀性差等特点,导致电池的填充因子和短路电流密度降低,使得电池的效率不太理想[1]。本文采用传统方法和后通硅烷法高速沉积了两组不同厚度的本征硅薄膜... 详细信息

与低速沉积的微晶硅薄膜相比，高速沉积的微晶硅薄膜具有非晶孵化层厚、纵向结构均匀性差等特点,导致电池的填充因子和短路电流密度降低,使得电池的效率不太理想[1]。本文采用传统方法和后通硅烷法高速沉积了两组不同厚度的本征硅薄膜材料。采用原子力显微镜研究了薄膜的表面形貌演化，并对其进行生长速率和晶化率的观察，发现后通硅烷法很好地减薄了非晶孵化层，提高了薄膜的纵向结构特性，原子力显微镜结果显示后通硅烷法有助于提高薄膜的成核密度。

关键词：高速沉积后通硅烷法原子力显微镜非晶孵化层微晶硅薄膜成核密度

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大面积非晶硅/微晶硅叠层薄膜太阳电池的激光划线研究

大面积非晶硅/微晶硅叠层薄膜太阳电池的激光划线研究

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中国可再生能源学会2011年学术年会

作者：张德坤任慧志魏长春许盛之王宗畔赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071

本文主要对大面积非晶硅/微晶硅薄膜太阳电池的第二道和第三道激光切割进行了研究。针对微晶硅薄膜厚度增加、硅材料也更为致密，从而使得其对激光设备及工艺提出了更高的要求。通过我们对激光切割中的电流、频率以及电池有无背反射ZnO... 详细信息

本文主要对大面积非晶硅/微晶硅薄膜太阳电池的第二道和第三道激光切割进行了研究。针对微晶硅薄膜厚度增加、硅材料也更为致密，从而使得其对激光设备及工艺提出了更高的要求。通过我们对激光切割中的电流、频率以及电池有无背反射ZnO的研究，对非晶硅/微晶硅薄膜太阳电池的切割工艺有了一定的深入认识。为获得高效率大面积的非晶硅/微晶硅叠层电池的激光切割工艺提供了很好的数据基础。

关键词：非晶硅微晶硅激光切割薄膜太阳电池

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非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的光稳定性

非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的光稳定性

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中国可再生能源学会2011年学术年会

作者：侯国付卢鹏韩晓艳李贵君张晓丹魏长春张建军耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

如何提高硅基薄膜太阳电池的稳定性是硅基薄膜太阳电池研究和产业化过程中非常重要的问题。为了提高非晶硅/微晶硅叠层电池的光稳定性，本文重点研究了N/P 隧穿结和微晶硅底电池本征层氢稀释率梯度对叠层电池光稳定性的影响。经过初步... 详细信息

如何提高硅基薄膜太阳电池的稳定性是硅基薄膜太阳电池研究和产业化过程中非常重要的问题。为了提高非晶硅/微晶硅叠层电池的光稳定性，本文重点研究了N/P 隧穿结和微晶硅底电池本征层氢稀释率梯度对叠层电池光稳定性的影响。经过初步的优化，连续光照 1000 小时后非晶硅/微晶硅叠层电池的最小光致衰退率只有7％。

关键词：非晶硅微晶硅叠层太阳电池光致衰退氢稀释率梯度隧穿结

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微晶硅锗薄膜作为硅基三结叠层电池底电池吸收层的研究

微晶硅锗薄膜作为硅基三结叠层电池底电池吸收层的研究

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中国可再生能源学会2011年学术年会

作者：曹宇张建军李天微李超黄振华倪牮耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

本文把具有窄带隙高吸收系数特性的微晶硅锗材料引入三结叠层电池的底电池中，采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，制备出了初始效率为12.09％的高效 p-i-n 型非晶硅/非晶硅锗/微晶硅锗三结叠层电池。在本征层Ge 含量为1... 详细信息

本文把具有窄带隙高吸收系数特性的微晶硅锗材料引入三结叠层电池的底电池中，采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，制备出了初始效率为12.09％的高效 p-i-n 型非晶硅/非晶硅锗/微晶硅锗三结叠层电池。在本征层Ge 含量为10％，厚度仅为1200nm的情况下，就可以使底电池电流与前两节子电池电流相匹配，效率优于本征层厚度为2000nm的微晶硅底电池，体现了微晶硅锗这一新型硅基薄膜光伏材料作为叠层电池底电池的优势。

关键词：带隙调节叠层太阳电池微晶硅锗薄膜吸收系数射频等离子体增强化学气相沉积

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溅射气氛对氧化锌透明导电薄膜光学特性的影响

溅射气氛对氧化锌透明导电薄膜光学特性的影响

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中国可再生能源学会2011年学术年会

作者：黄茜张晓丹王延峰刘阳熊绍珍赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071

本文采用磁控溅射技术进行硼掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备工作，通过在溅射气氛中引入氧气与氢气两种不同的反应气氛，分别获得了长波上的高透过率与高光学带隙，同时较为系统地分析了不同溅射气氛对氧化锌透明导电薄膜光学特性的影... 详细信息

本文采用磁控溅射技术进行硼掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备工作，通过在溅射气氛中引入氧气与氢气两种不同的反应气氛，分别获得了长波上的高透过率与高光学带隙，同时较为系统地分析了不同溅射气氛对氧化锌透明导电薄膜光学特性的影响机制，为实现对透明导电薄膜宽光谱域光学特性的调控提供了有效的手段。

关键词：氧化锌磁控溅射溅射气氛光学特性透明导电薄膜

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上转换材料光致发光性能优化研究

上转换材料光致发光性能优化研究

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中国可再生能源学会2011年学术年会

作者：佟建波黄茜张晓丹张存善赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071 河北工业大学信息工程学院天津 300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津 300071 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州 310027 河北工业大学信息工程学院天津 300130

本文将纳米Ag 颗粒引入Yb3+、Er3+共掺的NaYF4 上转换材料中，利用其表面等离子激元高能局域电场特性实现对上转换材料光致发光性能的优化。通过吸收谱及荧光光谱测试技术对NaYF4 材料光吸收及光发射特性进行表征。通过对纳米Ag 颗粒... 详细信息

本文将纳米Ag 颗粒引入Yb3+、Er3+共掺的NaYF4 上转换材料中，利用其表面等离子激元高能局域电场特性实现对上转换材料光致发光性能的优化。通过吸收谱及荧光光谱测试技术对NaYF4 材料光吸收及光发射特性进行表征。通过对纳米Ag 颗粒引入量的优化，获得了Yb3+、Er3+共掺的NaYF4 上转换材料荧光发射峰的增强，300-800 nm 全光谱范围内增益达39％，具有显著的荧光增强效果。

关键词：纳米Ag颗粒表面等离子激元上转换材料共振吸收光致荧光

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铝衬底硅颗粒太阳电池制备工艺研究

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太阳能学报 2010年第6期31卷 709-712页

作者：刘维一刘志永杨霞王艳芳江玉峰南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

用QJ201铝钎焊剂作为还原剂,将N型硅颗粒与铝片在585℃以下进行烧结,在硅和铝之间形成合金型P-N结。铝片起支撑体的作用,同时也是太阳电池的背电极。经过选择性腐蚀,去除硅颗粒周围的杂质层,用PET聚酯膜在真空条件下加热至PET的熔点以上... 详细信息

用QJ201铝钎焊剂作为还原剂,将N型硅颗粒与铝片在585℃以下进行烧结,在硅和铝之间形成合金型P-N结。铝片起支撑体的作用,同时也是太阳电池的背电极。经过选择性腐蚀,去除硅颗粒周围的杂质层,用PET聚酯膜在真空条件下加热至PET的熔点以上,在压力作用下,使PET渗入到硅颗粒的缝隙中,形成绝缘层。将硅颗粒上表面的绝缘层打磨掉,溅射沉积透明导电层,作为电池的上电极。制备成的太阳电池光电转换效率为4.3%。

关键词：衬底硅颗粒太阳电池电池制备工艺研究 ALUMINUM SUBSTRATE SOLAR CELLS 绝缘层选择性腐蚀 PET 转换效率真空条件压力作用铝片溅射沉积支撑体上电极上表面钎焊剂聚酯膜

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