检索结果-内蒙古大学图书馆

光电子．激光 2010年第11期21卷 1602-1604页

作者：李文杰张建军张亚萍胡子阳郝秋艳赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息功能材料研究所天津300130

研究了不同退火方式及PCBM阴极修饰层对聚合物太阳电池性能的影响。与前退火相比,后退火的器件性能显著提高,电池的开路电压Voc由0.36V增加到0.60V,能量转换效率η从0.85%提高到1.93%,短路电流密度Jsc和填充因子FF也有不同程度的改善;... 详细信息

研究了不同退火方式及PCBM阴极修饰层对聚合物太阳电池性能的影响。与前退火相比,后退火的器件性能显著提高,电池的开路电压Voc由0.36V增加到0.60V,能量转换效率η从0.85%提高到1.93%,短路电流密度Jsc和填充因子FF也有不同程度的改善;在电池的活性层与Al电极间沉积一定厚度的PCBM阴极修饰层也能改善电池的性能,当PCBM厚度为3nm时,聚合物太阳电池在***-2强度光照下,Voc为0.59V,Jsc为***-2,FF为55.1%,η为2.09%。

关键词： P3HT:PCBM 聚合物太阳电池退火阴极修饰层

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NaYF4：Er/Yb上转换材料的优化制备及其特性研究

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光电子．激光 2010年第9期21卷 1328-1331页

作者：祝威张晓丹金鑫刘永娟王东丰赵颖天津商业大学理学院天津300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

针对第3代太阳电池用上转换材料,采用改良的水热技术优化制备了掺杂稀土离子的纳米氟化钇钠(NaYF4)上转换荧光材料。主要关注了有机溶剂和螯合剂对制备上转换材料性能的影响。测试结果表明:有机溶剂乙醇可以有效地抑制YF3等杂峰;螯和剂... 详细信息

针对第3代太阳电池用上转换材料,采用改良的水热技术优化制备了掺杂稀土离子的纳米氟化钇钠(NaYF4)上转换荧光材料。主要关注了有机溶剂和螯合剂对制备上转换材料性能的影响。测试结果表明:有机溶剂乙醇可以有效地抑制YF3等杂峰;螯和剂乙二胺四乙酸二钠(EDTA)可以分散颗粒达到增大颗粒表面积的作用;制备获得了具有六角晶向结构的Yb3+/Er3+共掺上转换材料,其上转换发射出能够被太阳电池有效吸收利用的红光(653 nm)和绿光(5205、40 nm)。

关键词：上转换材料氟化钇钠(NaYF4) 乙醇乙二胺四乙酸二钠(EDTA)

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LCoS微显的视频解码芯片配置方法设计

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光电子技术 2010年第3期30卷 202-206页

作者：吴迪陈翠莹范伟董续怀代永平深圳市力伟数码技术有限公司深圳518000 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学) 天津300071

AD9883是一款全8位,转换速率最高可达140 MSPS的A/D转换芯片,300 MHz的模拟带宽支持转换图像的分辨率可达SXGA(1 280×1 024@75 Hz),因此在RGB图像处理、LCD监视器、平板显示以及微显示领域都得到了广泛应用。采用有限状态机(Finite... 详细信息

AD9883是一款全8位,转换速率最高可达140 MSPS的A/D转换芯片,300 MHz的模拟带宽支持转换图像的分辨率可达SXGA(1 280×1 024@75 Hz),因此在RGB图像处理、LCD监视器、平板显示以及微显示领域都得到了广泛应用。采用有限状态机(Finite state machine,FSM)的方法,基于VerilogHDL模拟I2C通信协议对AD9883进行初始化配置,使其能够适用于LCoS微显示控制电路的A/D转换要求。

关键词： AD9883 I2C VerilogHDL 有限状态机

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低成本硅薄膜太阳电池制造技术研究

低成本硅薄膜太阳电池制造技术研究

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：耿新华赵颖张晓丹侯国付陈新亮魏长春孙健张德坤任慧志张建军南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室\南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

硅薄膜电池具有原材料丰富、低能耗、工艺简单等优势，然而其较低的转换效率和较差的稳定性使其在发电成本上并不具备优势。为此，国内外发展了新一代硅薄膜太阳电池技术——非晶硅/微晶硅叠层电池，以提高效率和稳定性。本文介绍了南... 详细信息

硅薄膜电池具有原材料丰富、低能耗、工艺简单等优势，然而其较低的转换效率和较差的稳定性使其在发电成本上并不具备优势。为此，国内外发展了新一代硅薄膜太阳电池技术——非晶硅/微晶硅叠层电池，以提高效率和稳定性。本文介绍了南开大学在新型非晶硅/微晶硅叠层电池研究方面的新进展。实现非晶硅/微晶硅叠层电池低成本制造的关键技术主要是高速沉积技术、陷光结构和提高效率的技术。本文研究了高速优质硅薄膜材料的获得，陷光材料结构对硅薄膜材料特性及电池性能的影响，提高非晶硅顶电池、微晶硅底电池及其叠层电池效率的途径等。在研究基础上使5.03mm×5.03 mm非晶硅电池效率在沉积速率15 A/s下达到9.37％，微晶硅电池效率在沉积速率12 A/s下达到9.36％，非晶硅/微晶硅叠层电池的效率达到11.79％，100 mm×100 mm非晶硅/微晶硅叠层电池组件的效率达到10.68％。

关键词：硅薄膜陷光结构电池效率太阳能电池制造技术

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MOCVD技术生长薄膜电池用绒面结构IMO/ZnO薄膜

MOCVD技术生长薄膜电池用绒面结构IMO/ZnO薄膜

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第十一届全国MOCVD学术会议

作者：林泉陈新亮韩东港孙建赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室

本文利用MOCVD技术在缓冲层IMO薄膜上生长绒面结构ZnO-TCO薄膜。相比于通常直接生长的ZnO薄膜,IMO缓冲层的应用可有效提高绒面ZnO薄膜晶体质量,薄膜方块电阻可从8Ω降低至6Ω,薄膜电子迁移率从20.1 cm/Vs提高至31.7cm/Vs;光学透过率测... 详细信息

本文利用MOCVD技术在缓冲层IMO薄膜上生长绒面结构ZnO-TCO薄膜。相比于通常直接生长的ZnO薄膜,IMO缓冲层的应用可有效提高绒面ZnO薄膜晶体质量,薄膜方块电阻可从8Ω降低至6Ω,薄膜电子迁移率从20.1 cm/Vs提高至31.7cm/Vs;光学透过率测试表明,复合结构IMO/ZnO薄膜在可见光和近红外区域展现平均透过率～85%;此种新型TCO薄膜适合a-Si/uc-Si薄膜太阳电池应用。

关键词： MOCVD技术 ZnO薄膜 IMO薄膜高迁移率太阳电池

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低温RF-PECVD沉积非晶硅锗及其太阳电池的研究

低温RF-PECVD沉积非晶硅锗及其太阳电池的研究

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：王先宝张建军倪牮曹字李超耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，衬底温度在180℃沉积非晶硅锗薄膜材料及太阳电池。本文研究了反应气体中的锗。

关键词：非晶硅锗低温沉积锗烷浓度太阳电池化学气相沉积衬底温度薄膜材料

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PET塑料衬底上低温制备硅基薄膜太阳电池

PET塑料衬底上低温制备硅基薄膜太阳电池

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：倪牮张建军曹宇王先宝耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，保持衬底温度在125℃沉积硅薄膜材料及太阳电池。首先实现了对本征非晶硅材料光学带隙的调节，光学带隙可以在1.82～1.88 eV之间变化。之后，对p-a-SiC窗口层材料进行了优化，在低功... 详细信息

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，保持衬底温度在125℃沉积硅薄膜材料及太阳电池。首先实现了对本征非晶硅材料光学带隙的调节，光学带隙可以在1.82～1.88 eV之间变化。之后，对p-a-SiC窗口层材料进行了优化，在低功率、低硅烷流量、高氢稀释率的条件下，获得了宽带隙(Eopt=2.02 eV)、高电导率(σd>1×10-7 S/cm)的p-a-SiC材料。将已优化的材料用于单结非晶硅太阳电池，玻璃衬底上效率达到7.5％，PET/ZnO塑料衬底上效率达到6.3％;另一方面，将宽带隙p-a-SiC窗口层材料与宽带隙本征非晶硅材料相结合，获得了开路电压达到1.01 V的单结p-i-n型非晶硅太阳电池，将其应用于非晶硅/微晶硅叠层电池，转换效率达到7.2％。

关键词：薄膜太阳电池开路电压 PET塑料衬底化学气相沉积

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氢气对脉冲磁控溅射掺铝氧化锌薄膜性能的影响

氢气对脉冲磁控溅射掺铝氧化锌薄膜性能的影响

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：李林娜陈新亮张德坤张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所＆南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室＆南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

采用脉冲磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌(AzO)薄膜，通常在纯氩气环境中制备的AZO薄膜透过率较低。以AZO透明导电薄膜作为硅基薄膜太阳电池的前电池，较低的透过率将严重影响电池的光电转换效率，这对AZO薄膜是十分不利的。为了提高AZO薄... 详细信息

采用脉冲磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌(AzO)薄膜，通常在纯氩气环境中制备的AZO薄膜透过率较低。以AZO透明导电薄膜作为硅基薄膜太阳电池的前电池，较低的透过率将严重影响电池的光电转换效率，这对AZO薄膜是十分不利的。为了提高AZO薄膜的透过率，我们在溅射过程中加入一定流量的氢气，以高纯ZnO：A12O3陶瓷靶为溅射靶材，制备AZO透明导电薄膜。通过测试薄膜的结构特性、表面形貌及其光电性能，详细地研究了氢气流量对AZO薄膜性能的影响。溅射过程中引入氢气，可以促进薄膜的晶化，提高薄膜的迁移率和透过率(400～1100nm)。采用纯氩气溅射制备AZ0薄膜的电阻率为5.664×10-4Ω·cm，加入氢气后薄膜的电阻率降低至4.435×10-4Ω·cm。在Raman测试结果中，可以观察到表征氧空位缺陷的Raman峰(579cm-1)强度随氢气流量的增大而减小。与AZO薄膜相比，在氢气气氛中溅射制备的AZO/H薄膜，腐蚀后更容易获得具有陷光效应的“弹坑”状表面形貌。

关键词：氢气流量磁控溅射氧化锌薄膜薄膜太阳电池陷光效应

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薄膜太阳电池用TCO薄膜制造技术特性研究

薄膜太阳电池用TCO薄膜制造技术特性研究

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：陈新亮张晓丹赵颖耿新华李林娜林泉任世荣倪牮张德坤孙建张建军南开大学光电子薄膜器件与技术研究所＆南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室＆南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

磁控溅射＆湿法刻蚀技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构ZnO-TCO薄膜的主流生长技术;绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性，从而降低生产成本。高迁移率TCO薄膜以及柔性衬底TCO薄膜是当前研究开发的重点。本文概括地阐述了玻璃... 详细信息

磁控溅射＆湿法刻蚀技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构ZnO-TCO薄膜的主流生长技术;绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性，从而降低生产成本。高迁移率TCO薄膜以及柔性衬底TCO薄膜是当前研究开发的重点。本文概括地阐述了玻璃衬底以及柔性衬底透明导电氧化物薄膜(transparentconductive oxides，TCO)及其在硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。具体内容：①利用磁控溅射技术，采用Zn-Al合金靶和ZnO陶瓷靶低温(Ts～200～280℃)制造绒面结构ZnO-TCO薄膜并应用于硅基薄膜太阳电池(包括a-Si薄膜电池以及μc-Si薄膜电池)，可实现玻璃衬底镀膜尺寸S=30 cm×30cm。磁控溅射技术镀制znO-TCO薄膜过程中适当加入H2有效提高了薄膜的光电性能。②利用LP-MOCVD技术实现在PET等柔性衬底上低温生长绒面结构ZnO-TCO薄膜，方块电阻～10～20Ω，PET/ZnO可见光范围透过率75％～80％，初步应用于a-si薄膜电池转换效率达6.3％(电池结构：PET/ZnO/pin-a-Si/A1)，其中薄膜材料及薄膜电池生长温度～125～150℃。③镀制高迁移率In2O3基薄膜，即IMO薄膜、IWO薄膜以及IM/WO薄膜。主要薄膜生长技术有梯度速率镀膜以及共掺杂技术。薄膜厚度～100 mn时，电子迁移率达～67.1 cm2/Vs，可见光及近红外区域透过率～75％～90％。④CH3COOH溶液湿法刻蚀调制MOCVD-ZnO薄膜表面形貌特征，改善了TCO/Si薄膜界面，从而提高了薄膜电池性能。⑤缓冲层技术应用：衬底(包括玻璃衬底或者柔性衬底)与TCO薄膜之间镀制适当的缓冲层(buffer)，有效提高了薄膜性能。

关键词： TCO薄膜绒面结构薄膜太阳电池制造技术磁控溅射

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MOCVD技术柔性衬底上生长绒面ZnO-TCO薄膜及其薄膜太阳电池应用研究

MOCVD技术柔性衬底上生长绒面ZnO-TCO薄膜及其薄膜太阳电池应用研...

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：林泉陈新亮倪牮张德坤孙建赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所＆南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室＆南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

柔性硅基薄膜太阳电池研究逐渐成为硅基薄膜太阳电池研究热点。在国际上，研究人员普遍采用nip的电池结构，而pin柔性太阳电池的研究较少，并且pin柔性薄膜电池的研究重点是绒面结构TCO薄膜的研究。本文利用LP-MOCVD技术在PET柔性衬底... 详细信息

柔性硅基薄膜太阳电池研究逐渐成为硅基薄膜太阳电池研究热点。在国际上，研究人员普遍采用nip的电池结构，而pin柔性太阳电池的研究较少，并且pin柔性薄膜电池的研究重点是绒面结构TCO薄膜的研究。本文利用LP-MOCVD技术在PET柔性衬底上低温生长绒面结构ZnO-TCO薄膜，详细研究了薄膜掺杂流量对ZnO薄膜微观结构以及光电性能影响。DEZn和H20作为源材料，B2H6作为掺杂剂。优化获得的ZnO薄膜厚度～1500nm时，绒面结构PET/ZnO薄膜的方块电阻～10～20Q，可见光及近红外范围平均透过率～75％～80％，初步应用于a-Si薄膜电池转换效率达～6.3％(电池结构：PET/ZnO-TCO/pin-a-Si/Al)。

关键词： MOCVD技术柔性衬底 ZnO薄膜薄膜太阳电池生长绒面

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