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2015第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

作者：方家李天天李宝璋侯国付陈新亮魏长春王广才赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

目录1.背景2.高效超薄非晶硅电池2.1 基于不同衬底的超薄非晶硅电池2.2 制备超薄高效非晶硅电池的关键因素2.3 基于BZO衬底及n-μc-SiOx:H电阻层的高效超薄非晶硅电池3.结论1.1 径向结超薄太阳电池

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硅氧材料及其在硅薄膜和硅异质结太阳电池中的应用研究

硅氧材料及其在硅薄膜和硅异质结太阳电池中的应用研究

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2015第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

作者：张晓丹刘伯飞白立沙方家王硕王奉友黄茜倪牮魏长春张德坤孙建陈新亮任慧志侯国付许盛之王广才赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

主要内容背景介绍掺杂及本征SiOx 材料特性SiOx先进功能层在太阳电池中的应用I.光学耦合***/P 接触特性调节III.带阶失配补偿IV.改善沟道漏电

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Ag纳米颗粒在p/AZO界面辅助空穴传输中的应用

Ag纳米颗粒在p/AZO界面辅助空穴传输中的应用

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2015第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

作者：李天天张奇星倪牮白立沙方家王奉友张德坤孙健魏长春王广才赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

内容大纲1.研究背景与内容2.研究内容与讨论2.1 基于AZO溅射后腐蚀衬底的Ag 纳米颗粒高功函数界面制备2.2 Ag纳米颗粒对a-Si:H 及a-Si:H/μc-Si:H电池影响2.3 Ag纳米颗粒辅助空穴传输机理研究3.结论

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微晶硅太阳电池中P/I界面的调制研究

微晶硅太阳电池中P/I界面的调制研究

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2015第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

作者：白立沙刘伯飞方家李宝璋黄茜张德坤魏长春孙建赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室

目录1.研究背景2.单结μc-Si:H 太阳电池的优化2.1 单结μc-Si:H 太阳电池的结构2.2 a-Si界面层对微晶硅电池的性能调制2.3 nc-SiOx界面层对微晶硅电池的性能调制3.结论

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硅基薄膜太阳电池一维光子晶体背反射器的模拟设计与制备

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物理学报 2014年第12期63卷 447-455页

作者：陈培专侯国付索松倪牮张建军张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

从模拟和实验两个方面研究了一种适用于硅基薄膜太阳电池的一维光子晶体新型背反射器.首先采用时域有限差分方法,模拟研究了组成一维光子晶体的两种介质的折射率比、厚度比以及周期厚度对光子禁带的影响.基于模拟结果,制备出一种由低折... 详细信息

从模拟和实验两个方面研究了一种适用于硅基薄膜太阳电池的一维光子晶体新型背反射器.首先采用时域有限差分方法,模拟研究了组成一维光子晶体的两种介质的折射率比、厚度比以及周期厚度对光子禁带的影响.基于模拟结果,制备出一种由低折射率SiOx层与高折射率非晶硅a-Si层周期性交叠构成的禁带可调式一维光子晶体背反射器.通过改变a-Si层的厚度,使得禁带范围由500—750 nm波长范围红移至650—1100 nm,反射率分别达到96.4%和99%.将上述结构的一维光子晶体作为背反射器分别应用于非晶硅单结太阳电池和非晶硅/微晶硅双结叠层太阳电池,与没有背反射结构电池相比,短路电流密度分别提升了18.3%和15.2%.同时模拟研究了在不同入射角度下自然光、TE波和TM波对光子晶体反射特性的影响.研究结果表明,在太阳电池中,光线倾斜入射对一维光子晶体反射率的影响有限.

关键词：硅基薄膜太阳电池一维光子晶体禁带可调背反射

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微晶硅单结电池I/N界面的调控

微晶硅单结电池I/N界面的调控

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2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

作者：白立沙刘伯飞李宝璋黄茜张德坤魏长春孙建赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文通过在宽带隙掺杂层的微晶硅电池I/N界面之间插入合适带隙和厚度的n型a-Si:H界面层，则由本征层与宽带隙硅氧材料间的带隙不连续得以补偿，从而提高载流子收集，提高电池性能，最终得到初始效率高达10.54％的单结微晶硅太阳电池。

关键词：硅太阳电池 I/N界面带隙补偿载流子收集

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微纳复合结构硅异质结太阳电池的研究

微纳复合结构硅异质结太阳电池的研究

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2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

作者：王奉友姜元建李天天杜荣池魏长春张德坤孙建赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 天津化学化工协同创新中心天津300072 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本研究通过溅射Ag薄膜及热退火处理实现尺寸随机分布的Ag纳米颗粒自组装，而后采用干法刻蚀工艺获得微纳复合结构，具有明显的陷光增强效果。基于该结构制备硅异质结太阳电池的开路电压为611mV,转换效率为16.3％。

关键词：硅太阳电池微纳复合结构开路电压转换效率

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基于一维光子晶体的新型背反射器及其在非晶硅薄膜太阳电池中的应用

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物理学报 2014年第7期63卷 301-305页

作者：陈培专侯国付索松倪牮张建军张晓丹赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室、光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文研究制备一种由低折射率的SiOx层与高折射率的a-Si层周期性交叠构成的新型一维光子晶体(1D PC)背反射器.研究结果表明,随着SiOx/a-Si交叠周期数的增加,一维光子晶体的反射率逐步提高.当周期数大于3时,在空气中500—750 nm波长范围... 详细信息

本文研究制备一种由低折射率的SiOx层与高折射率的a-Si层周期性交叠构成的新型一维光子晶体(1D PC)背反射器.研究结果表明,随着SiOx/a-Si交叠周期数的增加,一维光子晶体的反射率逐步提高.当周期数大于3时,在空气中500—750 nm波长范围的平均反射率达到96%.将该一维光子晶体作为背反射器应用于NIP型非晶硅电池(电池结构为玻璃/1D PC/AZO/NIP a-Si:H/ITO),当光子晶体周期为4时,效率达到7.9%,略优于传统的AZO/Ag背反射电极结构电池(7.7%),明显高于不锈钢衬底电池(6.9%),相对效率提升14.5%.

关键词：非晶硅薄膜太阳电池一维光子晶体陷光结构背反射器

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CdS缓冲层在钙钛矿太阳电池中的应用

CdS缓冲层在钙钛矿太阳电池中的应用

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2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

作者：姚鑫梁俊辉葛阳石标范琳刘迪赵善真张德坤孙建魏长春赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文研究了CdS缓冲层对钙钛矿性能的影响以及退火温度对基于ZnO/CdS衬底的钙钛矿薄膜性能及电池的影响。研究发现，引入CdS缓冲层后，钙钛矿与ZnO间带阶减小，电池开路电压损失变小，电子更容易传输，电池的开路电压和短路电流均有所提... 详细信息

本文研究了CdS缓冲层对钙钛矿性能的影响以及退火温度对基于ZnO/CdS衬底的钙钛矿薄膜性能及电池的影响。研究发现，引入CdS缓冲层后，钙钛矿与ZnO间带阶减小，电池开路电压损失变小，电子更容易传输，电池的开路电压和短路电流均有所提升。随着退火温度的升高，基于ZnO/CdS衬底的钙钛矿薄膜吸收变大，钙钛矿结晶增强，并且钙钛矿晶粒变大。电池性能得到明显的提升。但当退火温度升高至140摄氏度时，钙钛矿分解，电池性能下降。

关键词：钙钛矿太阳电池硫化镉缓冲层薄膜性能转换效率

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低硒压硒化制备CZTSe薄膜

低硒压硒化制备CZTSe薄膜

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2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

作者：姚立勇敖建平毕金莲高守帅孙国忠周志强何青孙云南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津3000711

本文阐述了低硒压无Sn辅助硒化方法是制备CZTSe薄膜的重要方法之一。500℃硒化热处理过程中Sn流失不明显，三步硒化法可实现高质量的CZTSe薄膜，采用三步后硒化方法制备的CZTSe薄膜太阳电池器件效率为8.2％。经工艺优化，效率达8.6%。

关键词：化合物半导体薄膜制备质量控制

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