检索结果-内蒙古大学图书馆

人工晶体学报 2004年第6期33卷 892-897页

作者：张晓丹赵颖朱锋魏长春高艳涛孙建侯国付薛俊明张德坤任慧志耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071

本文采用VHF PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜 ,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响。电学特性和结构特性测试结果表明 :在 10W的功率条件下 ,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料 ,而在不使用纯化器时... 详细信息

本文采用VHF PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜 ,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响。电学特性和结构特性测试结果表明 :在 10W的功率条件下 ,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料 ,而在不使用纯化器时制备的材料是适用于太阳能电池有源层的纳米硅材料 ;在 30W时 ,不使用纯化器制备薄膜的晶化明显增大 ,光敏性也相应的降低 ,5 0W的条件表现出相类似的结果 ,初步分析是氧引起的差别 ;激活能的测试结果也表明 ,使用纯化器会降低材料中的氧含量 ,即表现激活能相对大 ;另外 ,沉积速率的测试结果也给出

关键词：纯化器制备光敏性降低硅薄膜晶化氧含量 VHF-PECVD 有源层纳米硅

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微晶硅薄膜纵向不均匀性的Raman光谱和AFM研究

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人工晶体学报 2004年第6期33卷 960-964页

作者：张晓丹赵颖朱锋魏长春吴春亚高艳涛孙建侯国付耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071

本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就... 详细信息

本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就大 ,对应着孵化层的厚度小 ;AFM测试结果明显的给出

关键词：衬底微晶硅薄膜 VHF-PECVD AFM 厚度不均匀性显示 Raman光谱晶化测试结果

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微晶硅电池稳定性研究

微晶硅电池稳定性研究

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第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

作者：王岩侯国付任慧志管智赟朱峰郭群超薛俊明孙建赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

对高压耗尽法(HPD—PECVD)制备的不同晶化率微晶硅材料及电池进行自然衰退和光致衰退实验。实验结果表明,本征微晶硅材料存在氧吸附及后氧化现象,这使得材料的暗电导率上升,光敏性变差,这一现象同材料的晶化情况密切相关。而微晶硅电池... 详细信息

对高压耗尽法(HPD—PECVD)制备的不同晶化率微晶硅材料及电池进行自然衰退和光致衰退实验。实验结果表明,本征微晶硅材料存在氧吸附及后氧化现象,这使得材料的暗电导率上升,光敏性变差,这一现象同材料的晶化情况密切相关。而微晶硅电池最外面的非晶硅N层可以起到阻挡层作用,电池并无自然衰退现象。在光衰退实验中,电池效率η、短路电流密度Jsc、开路电压Voc在光照后有不同程度的上升。最后对实验结果进行了讨论。

关键词： HPD-PECVD 微晶硅稳定性

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中频磁控溅射制备ZnO∶Al透明导电薄膜

中频磁控溅射制备ZnO∶Al透明导电薄膜

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第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

作者：刘金彪薛俊明徐步衡周祯华孙建赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室

ZnO:Al薄膜的电学和光学特性与溅射时的氧含量和衬底温度有关,本文以2%的Al掺杂的Zn（纯度99.99%）金属材科作靶,采用中频磁控溅射技术研究了氧氩比、衬底温度对薄膜电阻率、透过率的影响,获得了适合薄膜太阳能电池要求的透明导电薄膜,... 详细信息

ZnO:Al薄膜的电学和光学特性与溅射时的氧含量和衬底温度有关,本文以2%的Al掺杂的Zn（纯度99.99%）金属材科作靶,采用中频磁控溅射技术研究了氧氩比、衬底温度对薄膜电阻率、透过率的影响,获得了适合薄膜太阳能电池要求的透明导电薄膜,其电阻率为5.57×10～1Ωcm,载流子浓度2.2×10cm,霍尔迁移率40.1cm/V·s,可见光范围内（400～800nm）的平均透过率大于85%。

关键词：中频溅射 ZnO:Al薄膜氧氩比衬底温度

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衬底温度对微晶硅薄膜结构的影响及其稳定性研究

衬底温度对微晶硅薄膜结构的影响及其稳定性研究

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第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

作者：张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建周子彬侯国付耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津大学光电信息技术科学教育部重点实验室

采用VHF-PECVD技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜样品。傅立叶变换红外吸收(FTIR)对制备薄膜进行了结构方面的测试分析。结果表明:随着衬底温度的升高,材料的微结构因子(R)逐渐增大,薄膜中氧含量也逐渐增加;同高衬底温度相比,低温(170... 详细信息

采用VHF-PECVD技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜样品。傅立叶变换红外吸收(FTIR)对制备薄膜进行了结构方面的测试分析。结果表明:随着衬底温度的升高,材料的微结构因子(R)逐渐增大,薄膜中氧含量也逐渐增加;同高衬底温度相比,低温(170℃)制各的材料易于后氧化,这说明低温制备材料的稳定性不好。

关键词： VHF-PECVD 微晶硅薄膜傅立叶变换红外吸收

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MOCVD制备非晶硅薄膜太阳电池的氧化锌背电极的研究

MOCVD制备非晶硅薄膜太阳电池的氧化锌背电极的研究

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第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

作者：徐步衡薛俊明刘金彪赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津大学光电信息技术科学教育部重点实验室

利用LP-MOCVD生长技术,采用Zn（CH）_)2作Zn源和HO作氧源,使用硼烷为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的较低电阻率、高透过率的氧化锌薄膜。在薄膜面积10cm×10cm范围内,厚度为5500（?）时,方块电阻为40Ω/□,透过率>85%,迁移率为... 详细信息

利用LP-MOCVD生长技术,采用Zn（CH）_)2作Zn源和HO作氧源,使用硼烷为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的较低电阻率、高透过率的氧化锌薄膜。在薄膜面积10cm×10cm范围内,厚度为5500（?）时,方块电阻为40Ω/□,透过率>85%,迁移率为8.56cm/Vs。应用于非晶硅电池背反射电极后,显著提高了电池的短路电流,从而提高了电池效率。

关键词： MOCVD 氧化锌硼烷掺杂背电极

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氢稀释非晶硅太阳电池的研究

氢稀释非晶硅太阳电池的研究

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第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

作者：任慧志管智赟孙建王岩薛俊明侯国付张德坤耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室

利用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,研究了氢稀释对非晶硅太阳电池开路电压和稳定性的影响。发现电池的开路电压在非晶/微晶过渡区产生突变。在150℃低温下,在过渡区靠近非晶区附近得到单结非晶硅电池的开路电压为0.943V。... 详细信息

利用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,研究了氢稀释对非晶硅太阳电池开路电压和稳定性的影响。发现电池的开路电压在非晶/微晶过渡区产生突变。在150℃低温下,在过渡区靠近非晶区附近得到单结非晶硅电池的开路电压为0.943V。经过600小时光照衰退后,单结非晶硅太阳电池衰退率在1O%以内。

关键词：硅烷稀释度(SC) 非晶硅太阳电池开路电压(Voc) 衰退率

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高效稳定a-Si太阳电池的优化设计

高效稳定a-Si太阳电池的优化设计

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第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

作者：耿新华管智赟麦耀华吴春亚南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津大学光电信息技术科学教育部重点实验室

本文利用优化的陷光结构和非晶硅太阳电池模拟软件模拟计算了陷光结构、本征吸收层厚度和隙态密度对a-Si单结、a-Si/a-Si叠层电池性能的影响。在分析计算结果的基础上,提出了实现高效高稳定a-Si太阳电池结构的最佳方案。

关键词：非晶硅太阳电池陷光结构隙态密度效率稳定性

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微晶硅薄膜的制备及其结构的X-Ray衍射分析

微晶硅薄膜的制备及其结构的X-Ray衍射分析

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第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

作者：张晓丹高艳涛赵颖朱锋魏长春孙建周子彬何青刘芳芳耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津大学光电信息技术科学教育部重点实验室

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备了系列不同沉积条件的微晶硅薄膜。X-Ray衍射测试结果表明材料的择优取向随着功率的增大发生了规律性的变化,体现出了（220）方向择优,而且X-Ray衍射测试模式不同所揭示材料的... 详细信息

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备了系列不同沉积条件的微晶硅薄膜。X-Ray衍射测试结果表明材料的择优取向随着功率的增大发生了规律性的变化,体现出了（220）方向择优,而且X-Ray衍射测试模式不同所揭示材料的结构信息也不一样。对比Raman测试所得到的晶化率和XRD测试得到材料的I/I比值随沉积参数的规律性变化,可得出如下结论:I/I比值也可用来定性的描述样品的晶化程度。

关键词： VHF-PECVD 微晶硅薄膜 X-Ray衍射

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Shower电极对硅薄膜材料生长的影响

Shower电极对硅薄膜材料生长的影响

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第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

作者：郭群超侯国付孙建耿新华任慧志薛俊明韩建超南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室

在制备硅薄膜材料的PECVD系统中,分别采用普通平行板电极和shower电极,于相同的工艺条件下考察了电极结构对硅薄膜材料均匀性、光电性能以及微结构的影响。研究发现采用shower电极使薄膜(400-500nm)均匀性明显改善,在20×20cm内不... 详细信息

在制备硅薄膜材料的PECVD系统中,分别采用普通平行板电极和shower电极,于相同的工艺条件下考察了电极结构对硅薄膜材料均匀性、光电性能以及微结构的影响。研究发现采用shower电极使薄膜(400-500nm)均匀性明显改善,在20×20cm内不均匀性从±12.6%下降到±2.1%。而且shower电极可大大提高硅烷的利用率,因而在相同气体流量下,生长微晶硅材料需要更高的功率密度。文中对实验结果进行了讨论。

关键词： shower电极硅薄膜均匀性

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