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金属诱导多晶硅TFT及其有源驱动基板的研究
金属诱导多晶硅TFT及其有源驱动基板的研究
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2004中国平板显示学术会议
作者： 吴春亚 孟志国 熊绍珍 王文 郭海成 南开大学薄膜光电子器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学 天津大学) 香港科技大学电机与电子工程系(中国 香港九龙清水湾)
本文采用金属诱导单一方向横向晶化法(MIUC)进行了多晶硅薄膜晶体管的研究.将薄膜晶体管有源岛制作在镍剩余量较低的横向晶化区;并采用优化的工艺流程,将镍剩余量较高的区域从器件中移出,从而获得高迁移率、高开关比、低域值电压的单栅... 详细信息
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