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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：纪伟伟张晓丹杨振华魏长春孙建赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息学院天津300130

本文在导电的PEN柔性基底上，重点针对分散剂、有无水解、烧结温度等工艺条件对柔性TiO2薄膜进行了初步探索，最后将它们应用于柔性染料敏化太阳电池中，得知采用乙二醇乙醚为分散剂，烧结温度为140℃，TiO2薄膜水解的条件下，得到较高... 详细信息

本文在导电的PEN柔性基底上，重点针对分散剂、有无水解、烧结温度等工艺条件对柔性TiO2薄膜进行了初步探索，最后将它们应用于柔性染料敏化太阳电池中，得知采用乙二醇乙醚为分散剂，烧结温度为140℃，TiO2薄膜水解的条件下，得到较高质量的柔性TiO2薄膜，获得柔性电池的较高效率为2.34％。

关键词：太阳电池柔性染料敏化柔性基底二氧化钛薄膜

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掺杂PEDOT：PSS对聚合物太阳能电池性能的影响

掺杂PEDOT：PSS对聚合物太阳能电池性能的影响

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：郝志红胡子阳张建军郝秋艳耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071 河北工业大学信息功能材料研究所天津 300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071 河北工业大学信息功能材料研究所天津 300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

本文研究了阳极缓冲层poly(3，4-ethylenedioxythioplaerie)：poly(styrenesulphonic acid)(PEDOT：PSS)掺入不同浓度的乙二醇对聚合物太阳能电池性能的影响。利用暗电导分析了掺杂不同浓度乙二醇的PE-DOT：PSS电导率的变化;利用原子力... 详细信息

本文研究了阳极缓冲层poly(3，4-ethylenedioxythioplaerie)：poly(styrenesulphonic acid)(PEDOT：PSS)掺入不同浓度的乙二醇对聚合物太阳能电池性能的影响。利用暗电导分析了掺杂不同浓度乙二醇的PE-DOT：PSS电导率的变化;利用原子力显微镜(AFM)分析了掺杂不同浓度乙二醇对PEDOT：PSS表面形貌的影响;通过测试器件的光、暗态J-V曲线分析了掺杂不同浓度乙二醇PEDOT：PSS对聚合物太阳能电池整体性能的影响。实验发现通过掺杂乙二醇能有效提高PEDOT：PSS的电导率。当掺杂乙二醇浓度为10 wt％时，PEDOT：PSS的电导率达到最高为0.625 s/cm，比未掺杂时提高了约两个数量级。使用掺杂乙二醇的PEDOT：PSS作为电池的阳极缓冲层，降低了器件的串联电阻，大大提高了聚合物太阳能电池的短路电流密度。电池在100mW/cm2的光照下，开路电压(Voc)为0.63 V，短路电流密度(Isc)为11.05 mA/cm2，填充因子(FF)为0.62，能量转换效率(η)达到4.34％。

关键词：乙二醇聚合物太阳能电池阳极缓冲层整体性能转换效率

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宽光谱吸收上转换材料的合成及其在太阳电池中的应用

宽光谱吸收上转换材料的合成及其在太阳电池中的应用

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：王东丰张晓丹魏长春赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津 300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津 300071 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州 310

针对太阳电池存在带隙限制不能吸收利用太阳光谱中近红外的长波低能光子，提出利用多种稀土离子共同掺杂，实现太阳电池用宽谱域上转换材料的设计与合成。并且考虑到材料的发光效果和材料尺寸大小的关系，制备出了不同稀土离子掺杂的微... 详细信息

针对太阳电池存在带隙限制不能吸收利用太阳光谱中近红外的长波低能光子，提出利用多种稀土离子共同掺杂，实现太阳电池用宽谱域上转换材料的设计与合成。并且考虑到材料的发光效果和材料尺寸大小的关系，制备出了不同稀土离子掺杂的微米级上转换材料。最后提出了一种可以检测上转换材料在电池中应用效果的装置，并且通过该装置考察了制备上转换材料在电池中的应用效果，为加深第3代太阳电池的研究奠定了很好的基础。

关键词：太阳电池宽光谱吸收上转换材料

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TiCl4水解法制备的阻挡层对DSSC光电性能的影响

TiCl4水解法制备的阻挡层对DSSC光电性能的影响

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：陈东坡张晓丹魏长春刘彩池赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息功能材料研究所天津 300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息功能材料研究所天津 300130

本文通过不同浓度的TiCl4溶液水解，在光阳极导电玻璃基底FTO上制备了阻挡层薄膜，以此采抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应。分别采用X射线光电子能谱仪、扫描电子显微镜和紫外可见分光光度计测试了阻挡层薄膜的组成，形貌和... 详细信息

本文通过不同浓度的TiCl4溶液水解，在光阳极导电玻璃基底FTO上制备了阻挡层薄膜，以此采抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应。分别采用X射线光电子能谱仪、扫描电子显微镜和紫外可见分光光度计测试了阻挡层薄膜的组成，形貌和对光的透过;在AM1.5和暗环境下分别测试了电池的光电性能，结果表明：用此方法可以获得由TiO2粒子组成的阻挡层薄膜，这一薄膜的引入可以提高电池的光电性能，用0.04 M的TiC14溶液制备的阻挡层对暗电流的抑制作用最为明显，电池在AM1.5的测试条件下，效率高达7.84％。

关键词：染料敏化太阳电池阻挡层二氧化钛薄膜暗电流光电性能

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电子束沉积In2O3基W、Mo共掺薄膜及其特性研究

电子束沉积In2O3基W、Mo共掺薄膜及其特性研究

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：任世荣陈新亮张存善李林娜张德坤孙建耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071 河北工业大学信息工程学院.天津 300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071 河北工业大学信息工程学院.天津 300130

利用电子束反应沉积技术生长高迁移率IMwo(In2 03：w03/M003)薄膜，研究了不同等量WO3-MoO3掺杂浓度时薄膜的微观结构、光学性能和电学性能的影响。IMWO薄膜的表面形貌呈现“类金字塔”型。随着WO3-MoO3共掺量的增加，IMWO(In2O3：WO3/M... 详细信息

利用电子束反应沉积技术生长高迁移率IMwo(In2 03：w03/M003)薄膜，研究了不同等量WO3-MoO3掺杂浓度时薄膜的微观结构、光学性能和电学性能的影响。IMWO薄膜的表面形貌呈现“类金字塔”型。随着WO3-MoO3共掺量的增加，IMWO(In2O3：WO3/MoO3)薄膜的电阻率依次下降，裁流子浓度逐渐增加，在共掺量为1.0％时，制得相对较高电子迁移率的薄膜，电子迁移率μ～45.5cm2V-1s-1，电阻率ρ～3.66×10-4Ωcm，电子的载流子浓度n～3.74×1020cm-3，方块电阻R5～22.88Ω，400～1100nm光谱区域内的平均透过率～76％。

关键词：电子束沉积高迁移率光学性能电学性能 IMWO薄膜

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纳米ZnO形貌调整及在染料敏化电池上的应用

纳米ZnO形貌调整及在染料敏化电池上的应用

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：刘岩张晓丹魏长春张存善赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071 河北工业大学信息工程学院天津 300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071 河北工业大学信息工程学院天津 300130

利用低温水热法在FTO上生长阵列ZnO纳米棒薄膜，并将其应用于染料敏化太阳电池中。主要研究了反应时间对阵列ZnO纳米棒薄膜微观结构的影响。扫描测试结果表明：时间的增长使得阵列ZnO纳米棒在单位面积内的数量逐渐增多，棒的长度逐渐增... 详细信息

利用低温水热法在FTO上生长阵列ZnO纳米棒薄膜，并将其应用于染料敏化太阳电池中。主要研究了反应时间对阵列ZnO纳米棒薄膜微观结构的影响。扫描测试结果表明：时间的增长使得阵列ZnO纳米棒在单位面积内的数量逐渐增多，棒的长度逐渐增加。当时间达到3 h，棒数量增长速率接近峰值，随后增长缓慢;当时间达到10 h，阵列形貌排列整齐，高度均一，长度大概在1.6μm左右，同时形成了大约1.6μm厚的ZnO薄膜。将其应用于染料敏化太阳能电池效率大约在0.26％。

关键词：水热法染料敏化太阳电池纳米棒薄膜氧化锌微观结构

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反应气体流量对大面积p型微晶硅窗口层材料性能的影响

反应气体流量对大面积p型微晶硅窗口层材料性能的影响

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第十一届中国光伏大会暨展览会

作者：任慧志赵颖张晓丹许盛之王宗畔段苓伟葛洪南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071 福建钧石能源有限公司天津分公司天津 300381

本文采用高压VHF-PECVD技术，通过改变反应气体流量的方法沉积了一系列大面积(平方米级)p型微晶硅窗口层材料，测试其厚度不均匀性、生长速率、暗电导率及微结构。p型微晶硅窗口层的厚度不均匀性随着气体流量的增加而增大，平均生长速... 详细信息

本文采用高压VHF-PECVD技术，通过改变反应气体流量的方法沉积了一系列大面积(平方米级)p型微晶硅窗口层材料，测试其厚度不均匀性、生长速率、暗电导率及微结构。p型微晶硅窗口层的厚度不均匀性随着气体流量的增加而增大，平均生长速率随着气体流量的增加而提高，材料的平均晶化率随着气体流量的增加而降低，平均暗电导率随气体流量的增加而减小。在薄膜厚度为32nm时，获得了最大平均暗电导率0.85S/cm、厚度不均匀性±4.9％、最大平均晶化率62％的高质量p型微晶硅窗口层材料。

关键词： p型微晶硅气体流量生长速率材料性能暗电导率

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P种子层对单室制备微晶硅电池性能的影响

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物理学报 2009年第10期58卷 7294-7299页

作者：王光红张晓丹许盛之孙福河岳强魏长春孙建耿新华熊绍珍赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071

采用单室等离子体化学气相沉积技术沉积pin微晶硅电池时,硼污染降低了本征材料的晶化率并影响了p/I界面特性.针对该问题文中采用p种子层技术,即在沉积p层后采取高的H2/SiH4比率及适当的功率又沉积一个薄的p层,初步研究了p种子层对微晶硅... 详细信息

采用单室等离子体化学气相沉积技术沉积pin微晶硅电池时,硼污染降低了本征材料的晶化率并影响了p/I界面特性.针对该问题文中采用p种子层技术,即在沉积p层后采取高的H2/SiH4比率及适当的功率又沉积一个薄的p层,初步研究了p种子层对微晶硅I层纵向均匀性及电池性能的影响.实验结果表明:采用此方法能改善p/I界面特性,提高本征材料纵向结构的均匀性并降低硼对本征层的污染,有效地提高单结微晶硅电池的性能.最后,通过优化沉积条件,制备得到光电转换效率为8.81%(1 cm2)的非晶/微晶硅叠层电池.

关键词：单室甚高频等离子体增强化学气相沉积微晶硅太阳电池 p种子层

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高速沉积本征微晶硅的优化及其在太阳电池中的应用

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物理学报 2009年第6期58卷 4254-4259页

作者：韩晓艳侯国付魏长春张晓丹戴志华李贵君孙建陈新亮张德坤薛俊明赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术高速(沉积速率约为1.2nm/s)沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,并通过Raman谱和XRD谱的测试,研究了高速沉积时本征微晶硅薄膜的微结构演变特性及其对电池性能的影响... 详细信息

采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术高速(沉积速率约为1.2nm/s)沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,并通过Raman谱和XRD谱的测试,研究了高速沉积时本征微晶硅薄膜的微结构演变特性及其对电池性能的影响.针对其微结构特性及高速沉积本身存在的离子轰击作用强的特点,提出了在沉积微晶硅薄膜过程中采用功率梯度的方法,达到有效地控制薄膜微结构变化的目的,并在一定功率梯度范围内降低了电子温度,提高了薄膜质量,从而使电池效率明显提高.最后在沉积速率为1.2nm/s时,制备得到光电转换效率为9.36%的单结微晶硅太阳电池,将其应用到叠层电池中制备得到效率为11.14%的非晶硅/微晶硅叠层电池.

关键词：高速沉积微晶硅薄膜微结构演变功率梯度

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硼对沉积本征微晶硅薄膜特性的影响

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物理学报 2009年第2期58卷 1293-1297页

作者：孙福河张晓丹王光红许盛之岳强魏长春孙建耿新华熊绍珍赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同腔室环境下的微晶硅薄膜.对单室沉积掺杂层p材料后遗留在腔室中的硼对本征微晶i材料电学特性和结构特性的影响进行了详细研究.测试结果表明:单室沉积p层后的硼降低了微晶i... 详细信息

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同腔室环境下的微晶硅薄膜.对单室沉积掺杂层p材料后遗留在腔室中的硼对本征微晶i材料电学特性和结构特性的影响进行了详细研究.测试结果表明:单室沉积p层后的硼降低了微晶i层材料的暗电导,增加了材料的光敏性;由于硼对i层污染程度的不同,使得材料的激活能发生了变化;腔室中残余的硼也导致微晶硅薄膜的结晶状况恶化,同时弱化了材料的(220)择优取向.而在较高功率和较强氢稀释下制备的晶化率较高,(220)晶向明显择优的材料受硼污染影响相对减小.

关键词：单室甚高频等离子体增强化学气相沉积微晶硅硼

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