检索结果-内蒙古大学图书馆

光电子．激光 2009年第2期20卷 200-203页

作者：张霞张晓丹边楠杨瑞霞赵颖河北工业大学信息学院天津300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

利用超声喷雾热解(USP)技术,以普通玻璃为衬底,制备了不同衬底温度下的系列ZnO薄膜。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)研究了衬底温度对ZnO结构的影响。结果表明,薄膜的微观结构随衬底温度变化显著。在410℃获得了ZnO纳米棒,纳米棒直径... 详细信息

利用超声喷雾热解(USP)技术,以普通玻璃为衬底,制备了不同衬底温度下的系列ZnO薄膜。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)研究了衬底温度对ZnO结构的影响。结果表明,薄膜的微观结构随衬底温度变化显著。在410℃获得了ZnO纳米棒,纳米棒直径在50 nm左右,沿c轴择优生长,结晶质量较好。

关键词：超声喷雾热解(USP) ZnO纳米棒衬底温度

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大面积PECVD平行板电极间电势差分布均匀性数值研究

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真空 2009年第2期46卷 11-14页

作者：葛洪张晓丹赵静赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 天津新华职工大学天津300040

应用二维准平面电路模型对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)大面积平行板电极间电势差分布均匀性进行了数值研究。计算结果表明:在等离子体存在的条件下,电极间电势差分布非均匀性与真空下相比大大增加,电极间的电势驻波效应显著增强,... 详细信息

应用二维准平面电路模型对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)大面积平行板电极间电势差分布均匀性进行了数值研究。计算结果表明:在等离子体存在的条件下,电极间电势差分布非均匀性与真空下相比大大增加,电极间的电势驻波效应显著增强,在甚高频条件下会有一阶电势驻波节点出现。另外,波长衰减因子对电势差分布非均匀性影响也表明电极间的电势驻波效应在很大程度上是受等离子体辉光条件控制。本文数值计算结果与近来实验报道的相关结果有很好的吻合。

关键词：等离子体增强化学气相沉积电势驻波效应波长衰减因子

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溅射-蒸发工艺制备Cu-In-Se预置层薄膜以及特性研究

溅射-蒸发工艺制备Cu-In-Se预置层薄膜以及特性研究

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TFC’09全国薄膜技术学术研讨会

作者：王利李宝璋于涛何青刘玮孙云南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)

由于溅射后硒化工艺过程相对简单,易于调节薄膜材料的成分和厚度,因此产业化大面积制备CI(G)S薄膜太阳能电池通常采用该工艺。此工艺分成两个步骤:首先溅射沉积Cu-In或Cu-In-Ga预置层,然后在惰性气体和Se蒸气的混合环境里退火,最终制备... 详细信息

由于溅射后硒化工艺过程相对简单,易于调节薄膜材料的成分和厚度,因此产业化大面积制备CI(G)S薄膜太阳能电池通常采用该工艺。此工艺分成两个步骤:首先溅射沉积Cu-In或Cu-In-Ga预置层,然后在惰性气体和Se蒸气的混合环境里退火,最终制备出CI(G)S吸

关键词：溅射-蒸发 Se掺杂热退火 CIS

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微晶硅n-i-p太阳电池中n型掺杂层对本征层结构特性的影响

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物理学报 2008年第6期57卷 3892-3897页

作者：袁育杰侯国付薛俊明韩晓艳刘云周杨兴云刘丽杰董培赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津301071

采用高压射频等离子体增强化学气相沉积方法在非晶和微晶两种n型硅薄膜衬底上沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,研究了不同n型硅薄膜对本征微晶硅薄膜的表面形貌、晶化率和结晶取向等结构特性的影响.结果表明,本征微晶硅薄膜结构对... 详细信息

采用高压射频等离子体增强化学气相沉积方法在非晶和微晶两种n型硅薄膜衬底上沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,研究了不同n型硅薄膜对本征微晶硅薄膜的表面形貌、晶化率和结晶取向等结构特性的影响.结果表明,本征微晶硅薄膜结构对n型掺杂层具有强烈的依赖作用,微晶n型掺杂层能够有效减少n/i界面非晶孵化层的厚度,改善本征微晶硅薄膜的纵向均匀性,进而提高微晶硅n-i-p太阳电池性能.

关键词：孵化层微晶硅薄膜纵向均匀性 n-i-p太阳电池

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低速p/i界面缓冲层对高速沉积微晶硅太阳电池性能的影响

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物理学报 2008年第8期57卷 5284-5289页

作者：韩晓艳侯国付李贵君张晓丹袁育杰张德坤陈新亮魏长春孙健耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

在采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术高速沉积微晶硅(μc-Si:H)太阳电池过程中,产生的高能离子对薄膜表面的轰击作用会降低薄膜质量和破坏p型掺杂层(p层)与本征层(i层)之间的界面特性.针对该问题提出在电... 详细信息

在采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术高速沉积微晶硅(μc-Si:H)太阳电池过程中,产生的高能离子对薄膜表面的轰击作用会降低薄膜质量和破坏p型掺杂层(p层)与本征层(i层)之间的界面特性.针对该问题提出在电池中引入低速沉积的p/i界面层的方法,即在p层上先低速沉积一薄层本征μc-Si:H薄膜,然后再高速沉积本征μc-Si:H薄膜.实验结果表明,引入低速方法沉积的界面层有效地提高了p/i界面特性和i层微结构的纵向均匀性,而随界面层厚度的增加,i层中的缺陷态先降低后增加,这使得界面层厚度存在着最佳值,实验得到低速沉积界面层的最佳厚度为100nm,用该厚度制备得到的电池比没有界面层的电池光电转换效率提高了约一个百分点.通过优化其他条件,采用0.85nm/s的沉积速率制备得到单结μc-Si:H太阳电池的光电转换效率可以达到8.11%.

关键词： μc-Si:H太阳电池甚高频等离子体增强化学气相沉积 p/i界面层

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甚高频等离子体增强化学气相沉积大面积平行板电极间真空电势差分布研究

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物理学报 2008年第8期57卷 5105-5110页

作者：葛洪张晓丹岳强赵静赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 天津新华职工大学天津300040

采用二维准平面电路模型研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)大面积平行板电极间真空电势差分布.计算结果表明:随平行板电极尺寸增加和激发频率提高,电势驻波效应成为影响电极间电势差非均匀分布的重要因素.在尺寸为1.2m&#... 详细信息

采用二维准平面电路模型研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)大面积平行板电极间真空电势差分布.计算结果表明:随平行板电极尺寸增加和激发频率提高,电势驻波效应成为影响电极间电势差非均匀分布的重要因素.在尺寸为1.2m×0.8m的大面积平行板电极上应用40.68和60MHz两种激发频率,通过功率馈入点数量和位置优化,计算获得非均匀性分别为±2.5%和±5.5%的真空电势差分布.这些数值计算结果为大面积平行板电极在VHF-PECVD中应用提供了重要的理论指导.

关键词：二维准平面电路模型甚高频等离子体增强化学气相沉积电势驻波效应

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B掺杂对平面结构MOCVD-ZnO薄膜性能的影响(英文)

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人工晶体学报 2008年第4期37卷 997-1002页

作者：陈新亮薛俊明张德坤孙建赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071

本文研究了B2H6掺杂流量（B掺杂）对平面结构MOCVD—ZnO薄膜的微观结构和光电性能影响。XRD、SEM和AFM测试的研究结果表明，玻璃衬底上制备的ZnO薄膜具有（002）峰择优取向的平面结构，B掺杂使薄膜的球状晶粒尺寸变小，10sccm流量时晶... 详细信息

本文研究了B2H6掺杂流量（B掺杂）对平面结构MOCVD—ZnO薄膜的微观结构和光电性能影响。XRD、SEM和AFM测试的研究结果表明，玻璃衬底上制备的ZnO薄膜具有（002）峰择优取向的平面结构，B掺杂使薄膜的球状晶粒尺寸变小，10sccm流量时晶粒尺寸为-15nm。ZnO：B薄膜的最小电阻率为5．7× 10^-3 Ω · cm。生长的ZnO薄膜（厚度d=1150nm）在400-900nm范围的透过率为82％-97％，且随着BzH6掺杂流量增大，光学吸收边呈现蓝移（即光学带隙t展宽）现象。

关键词： MOCVD ZnO薄膜 B掺杂太阳电池

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ITO薄膜的厚度对其光电性能的影响

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人工晶体学报 2008年第1期37卷 147-150页

作者：李林娜薛俊明赵亚洲李养贤耿新华赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载... 详细信息

氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论薄膜的厚度对薄膜光电性能的影响。实验中制备的ITO薄膜,透过率良好,电阻率可达6.37×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率可分别达到1.91×1020cm-3和66.4cm2v-1s-1。将实验中制备的ITO作为nip太阳能电池透明电极,其短路电流为10.13mA/cm2,开路电压为0.79V,填充因子为0.648,效率可达到5.193%。

关键词： ITO薄膜电阻蒸发法载流子浓度霍尔迁移率

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非晶孵化层对高速生长微晶硅电池性能的影响

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太阳能学报 2008年第8期29卷 915-919页

作者：韩晓艳张晓丹侯国付郭群超袁育杰董培魏长春孙建薛俊明赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071

采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α_(0.8eV))小于2.5cm^(-1)且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜,然而将其应用在微晶硅电池中时,电池性... 详细信息

采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α_(0.8eV))小于2.5cm^(-1)且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜,然而将其应用在微晶硅电池中时,电池性能却有明显差异。通过对微晶硅电池的光、暗态J-V,量子效率(QE)和微区拉曼(Raman)测试发现,微晶硅薄膜中非晶孵化层厚度的不同是引起电池性能差异的主要原因。反应气体总流量较低时沉积的微晶硅薄膜具有较厚的非晶孵化层,阻碍了载流子的输运,使电池的长波光谱响应下降,从而降低了电池的短路电流密度与填充因子;而增加总气体流量,有效减小了微晶硅薄膜中的非晶孵化层的厚度。从而使电池性能得到改善。最后在总气体流量为500sccm时,制备得到沉积速率为1nm/s,效率为7.3%的单结微晶硅太阳电池。

关键词：高速沉积非晶孵化层微晶硅太阳电池

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绒面结构ZnO薄膜及其表面处理

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人工晶体学报 2008年第3期37卷 631-633页

作者：陈新亮薛俊明张德坤蔡宁张晓丹赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071

本文制备出(110)峰取向的绒面结构MOCVD-ZnO:B薄膜并提出CH3COOH湿法刻蚀的表面处理技术。研究表明,绒面结构ZnO:B薄膜具有"类金字塔"晶粒形状;处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大。适当的表面处理有助... 详细信息

本文制备出(110)峰取向的绒面结构MOCVD-ZnO:B薄膜并提出CH3COOH湿法刻蚀的表面处理技术。研究表明,绒面结构ZnO:B薄膜具有"类金字塔"晶粒形状;处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大。适当的表面处理有助于使薄膜表面趋于柔和,有望改善ZnO/Si界面特性,从而应用于μc-Si薄膜太阳电池。

关键词： MOCVD 绒面ZnO薄膜湿法刻蚀太阳电池

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