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第九届中国太阳能光伏会议

作者：郭群超耿新华韩晓艳王辉孙建魏长春南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

实现高速沉积对于薄膜微晶硅太阳电池产业化降低成本是一个重要手段.本文采用超高频等离子体增强化学气相沉积技术,实现了微晶硅薄膜的高速沉积,并考察了气体总流量在化学气相沉积(CVD)过程中对薄膜的生长速率、光电特性和结构特性的影... 详细信息

实现高速沉积对于薄膜微晶硅太阳电池产业化降低成本是一个重要手段.本文采用超高频等离子体增强化学气相沉积技术,实现了微晶硅薄膜的高速沉积,并考察了气体总流量在化学气相沉积(CVD)过程中对薄膜的生长速率、光电特性和结构特性的影响,获得了沉积速率达到12(A)/s的器件质量级微晶硅薄膜材料.采用沉积速率12(A)/s的微晶硅材料制备微晶硅电池,在未优化的情况下电池效率达到了5.3﹪.

关键词：气体总流量高速沉积微晶硅薄膜薄膜太阳电池化学气相沉积

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GeF4流量对PECVD法制备微晶硅锗材料特性的影响

GeF4流量对PECVD法制备微晶硅锗材料特性的影响

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第九届中国太阳能光伏会议

作者：胡增鑫张建军谷士斌孙健赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300132

实验中采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)的方法,以GeF4+Si2H6+H2作为反应气体,改变GeFe气体流量,在250℃～300℃的普通玻璃衬底上制备出不同Ge含量的μc-SiGe材料.通过Raman和XRD研究材料的结晶性,CPM法测试材料的光学吸... 详细信息

实验中采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)的方法,以GeF4+Si2H6+H2作为反应气体,改变GeFe气体流量,在250℃～300℃的普通玻璃衬底上制备出不同Ge含量的μc-SiGe材料.通过Raman和XRD研究材料的结晶性,CPM法测试材料的光学吸收特性,并且结合光/暗电导等测试结果综合分析了材料的结构特性、光学特性、电学特性等与GeF4气体流量之间的关系.

关键词：微晶硅锗薄膜太阳电池化学气相沉积光学吸收特性电学特性

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光电化学制氢的研究

光电化学制氢的研究

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第九届中国太阳能光伏会议

作者：宋红张庆宝张德坤耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071

太阳能制氢是把太阳能转化成可以储存和运输的氢能量的重要手段.本文对各种结构的光电化学制氢方法进行了系统的计较,确定了太阳电池制氢的优越性.

关键词：太阳电池制氢光电化学制氢氢能量

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MOCVD制备的ZnO薄膜及其Si薄膜太阳电池前电极应用

MOCVD制备的ZnO薄膜及其Si薄膜太阳电池前电极应用

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第九届中国太阳能光伏会议

作者：陈新亮薛俊明陈飞赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 & 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文研究了金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术制备的B掺杂ZnO薄膜.通过B掺杂的系列实验,在B2H6流量为10sccm条件下,我们生长出了厚度为1000nm、类金字塔状绒面结构、电阻率为1.2×10-3Ωcm、平均透过率～85﹪和迁移率为～30cm2/Vs的... 详细信息

本文研究了金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术制备的B掺杂ZnO薄膜.通过B掺杂的系列实验,在B2H6流量为10sccm条件下,我们生长出了厚度为1000nm、类金字塔状绒面结构、电阻率为1.2×10-3Ωcm、平均透过率～85﹪和迁移率为～30cm2/Vs的ZnO薄膜.将其用作硅薄膜太阳电池的前电极,电池性能与日本Asahi-UTypeSnO2作前电极的电池相当.

关键词： ZnO薄膜金属有机化学汽相沉积技术前电极薄膜太阳电池电池性能

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nip非晶硅电池的研究

nip非晶硅电池的研究

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第九届中国太阳能光伏会议

作者：王辉耿新华薛俊明侯国付魏长春孙建赵亚洲南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文利用VHF-PECVD技术制备nip非晶硅薄膜电池.首先,实验研究了不同P层厚度对nip结构非晶硅太阳电池性能的影响.其次,设计了i/p异质界面之间的过渡层,并研究了过渡层厚度对nip结构非晶硅太阳电池性能的影响.最后,通过优化P层和i/p界面... 详细信息

本文利用VHF-PECVD技术制备nip非晶硅薄膜电池.首先,实验研究了不同P层厚度对nip结构非晶硅太阳电池性能的影响.其次,设计了i/p异质界面之间的过渡层,并研究了过渡层厚度对nip结构非晶硅太阳电池性能的影响.最后,通过优化P层和i/p界面之间的过渡层厚度,获得了nip结构非晶硅太阳电池,电池性能参数为Jsc=13.83mA/cm2,Voc=0.86V,FF=0.62,Efficiency=7.32﹪.

关键词：太阳电池非晶硅薄膜界面电池性能

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大面积非晶硅叠层电池氢稀释顶电池研究

大面积非晶硅叠层电池氢稀释顶电池研究

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第九届中国太阳能光伏会议

作者：任慧志孙建薛俊明侯国付张德坤赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术研究所天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室南开大学天津300071

本文利用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对非晶硅叠层太阳电池顶电池的本征层(i层)的氢稀释度进行了优化研究.通过调节反应气体硅烷浓度(SC),在非晶/微晶过渡区附近(硅烷浓度6﹪,温度170℃的条件下)得到短波响应增强、扩展... 详细信息

本文利用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对非晶硅叠层太阳电池顶电池的本征层(i层)的氢稀释度进行了优化研究.通过调节反应气体硅烷浓度(SC),在非晶/微晶过渡区附近(硅烷浓度6﹪,温度170℃的条件下)得到短波响应增强、扩展了光谱的叠层电池顶电池.通过优化氢稀释顶电池工艺,得到初始效率达到9.2﹪的400cm2非晶硅叠层太阳电池.

关键词：氢稀释叠层太阳电池顶电池化学气相沉积

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电极间距对微晶硅薄膜生长速率及其性能的影响

电极间距对微晶硅薄膜生长速率及其性能的影响

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第九届中国太阳能光伏会议

作者：韩晓艳耿新华郭群超魏长春孙建南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文采用高压高功率的VHF-PECVD技术,通过改变电极间距同时调整硅烷浓度(SC)的方法沉积了一系列的微晶硅薄膜材料,测试其生长速率、次带吸收系数及微结构,研究电极间距对微晶硅薄膜生长速率及其性能的影响.结果表明,薄膜的沉积速率随电... 详细信息

本文采用高压高功率的VHF-PECVD技术,通过改变电极间距同时调整硅烷浓度(SC)的方法沉积了一系列的微晶硅薄膜材料,测试其生长速率、次带吸收系数及微结构,研究电极间距对微晶硅薄膜生长速率及其性能的影响.结果表明,薄膜的沉积速率随电极间距的增大而提高,材料的晶化率先升高后降低;低缺陷态的器件质量级微晶硅材料要在适当的电极间距和非晶/微晶过渡区得到.本文在电极间距为12mm硅烷浓度为5.5﹪的条件下,得到生长速率12(A)/s次带吸收系数小于3cm-1的器件质量级微晶硅薄膜材料.

关键词：微晶硅薄膜材料电极间距生长速率缺陷态硅烷浓度

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硅薄膜太阳电池的发展机遇与前景

硅薄膜太阳电池的发展机遇与前景

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第九届中国太阳能光伏会议

作者：耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文在分析国内外光伏技术发展现状和发展趋势的基础上,分析了硅薄膜太阳电池的优势与发展机遇;继而介绍了硅薄膜太阳电池的发展现状与面临的挑战;并预测了硅薄膜太阳电池的发展前景.

关键词：硅薄膜电池光伏技术太阳能电池

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衬底温度对溅射后腐蚀法制备绒面ZnO透明导电膜性能的影响

衬底温度对溅射后腐蚀法制备绒面ZnO透明导电膜性能的影响

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第九届中国太阳能光伏会议

作者：薛俊明黄宇孙建赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 仪器科学与动态测试教育部重点实验室中北大学电子工程系山西太原

本文利用中频脉冲磁控溅射方法,采用重量2﹪的Al掺杂Zn(纯度99.99﹪)为靶材制备平面透明导电ZnO:Al薄膜,利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5﹪的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面凹凸起伏的绒面结构.研究了平面ZAO薄膜的结构特性,以... 详细信息

本文利用中频脉冲磁控溅射方法,采用重量2﹪的Al掺杂Zn(纯度99.99﹪)为靶材制备平面透明导电ZnO:Al薄膜,利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5﹪的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面凹凸起伏的绒面结构.研究了平面ZAO薄膜的结构特性,以及衬底温度对绒面ZAO薄膜表面形貌的影响.结果表明:高温、低功率条件下制备的绒面ZAO薄膜表面形貌较好,可用于硅基薄膜太阳电池.

关键词：中频磁控溅射湿法腐蚀透明导电膜衬底温度薄膜太阳电池

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中频脉冲溅射制备绒面ZnO透明导电薄膜

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微纳电子技术 2006年第4期43卷 186-189页

作者：刘佳宇杨瑞霞牛晨亮薛俊明赵颖耿新华河北工业大学信息学院天津300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜。电阻率为5.57×10-4Ω·cm,载流子浓度2.2×1020cm-3,霍尔迁移率40.1cm2/V·s,可见光范围内(400～800nm)的平均透过率大于85%。用酸腐蚀的方法可以获得... 详细信息

采用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜。电阻率为5.57×10-4Ω·cm,载流子浓度2.2×1020cm-3,霍尔迁移率40.1cm2/V·s,可见光范围内(400～800nm)的平均透过率大于85%。用酸腐蚀的方法可以获得绒面效果。分析了气压和温度对绒面结构的影响,获得了适合薄膜太阳能电池要求的绒面ZnO透明导电薄膜。

关键词：中频脉冲溅射绒面氧化锌透明导电膜

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