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第九届中国太阳能光伏会议

作者：俞远高侯国付王锐薛俊明耿新华杨瑞霞河北工业大学信息学院天津300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

在微晶硅太阳电池中,P层作为电池的窗口层对电池的性能有重要影响.本文采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)的方法制备P型氢化微晶硅(c-Si:H)薄膜材料,重点研究了压力变化(200～550Pa)对薄膜沉积速率、电学特性、结构特性的影响.... 详细信息

在微晶硅太阳电池中,P层作为电池的窗口层对电池的性能有重要影响.本文采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)的方法制备P型氢化微晶硅(c-Si:H)薄膜材料,重点研究了压力变化(200～550Pa)对薄膜沉积速率、电学特性、结构特性的影响.结果发现:沉积速率随压力的增加而不断提高,材料的暗电导、晶化率随压力的增加先提高后降低,而激活能的变化趋势与之相反,在晶化率最高点,材料在(220)的晶向衍射峰最高.最后在高压下结合优化其他参数,在厚度为38nm时获得了电导率为0.183Scm-1,激活能为37meV,晶化率为50﹪的优质P型微晶硅薄膜.

关键词：化学气相沉积沉积压力微晶硅材料光电性能微晶硅太阳电池

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温度和压强对制备微晶硅锗材料性能的影响

温度和压强对制备微晶硅锗材料性能的影响

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第九届中国太阳能光伏会议

作者：谷士斌胡增鑫张建军孙建杨瑞霞南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300132 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300132

本文以Si2H6和GeF4为源气体,用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术在不同衬底温度和功率条件下制备了硅锗薄膜材料.我们首先对材料的光电导和暗电导进行了测量,通过研究材料的光、暗电导的比值来分析材料的光学特性,然后用喇曼光谱和X... 详细信息

本文以Si2H6和GeF4为源气体,用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术在不同衬底温度和功率条件下制备了硅锗薄膜材料.我们首先对材料的光电导和暗电导进行了测量,通过研究材料的光、暗电导的比值来分析材料的光学特性,然后用喇曼光谱和X射线衍射对材料的结构进行了研究.结果表明:硅锗材料的光暗电导比在等离子功率为30W、衬底温度为300℃时达到1000以上,随温度的升高、功率的增大硅锗材料的结构逐渐由非晶转变为微晶.我们将这种材料应用于微晶硅锗薄膜(μc-SiGe)太阳能电池中,首次获得效率η=4.2﹪的μc-SiGe薄膜太阳能电池.

关键词：微晶硅锗薄膜太阳能电池喇曼光谱 X射线衍射化学气相沉积

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玻璃和硅衬底制备p型ZnO薄膜特性的研究

玻璃和硅衬底制备p型ZnO薄膜特性的研究

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第九届中国太阳能光伏会议

作者：范红兵张晓丹赵颖孙建魏长春张存善南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术关津市重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 河北南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术关津市重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 河北工业大学信息学院天津300130

本文主要采用超声喷雾技术制备了p型ZnO薄膜,关注了薄膜特性与衬底之间的关系.Hall测试结果显示不同衬底上ZnO薄膜的电学特性有较大差别:相对于普通玻璃衬底,Si衬底上制备薄膜的迁移率和电导率有较大的改善.另外,同n-Si衬底衬底相比,p-S... 详细信息

本文主要采用超声喷雾技术制备了p型ZnO薄膜,关注了薄膜特性与衬底之间的关系.Hall测试结果显示不同衬底上ZnO薄膜的电学特性有较大差别:相对于普通玻璃衬底,Si衬底上制备薄膜的迁移率和电导率有较大的改善.另外,同n-Si衬底衬底相比,p-Si衬底上ZnO薄膜的导电类型较稳定,文中结合XRD、SEM等分析手段对其原因进行了分析.

关键词： p型ZnO薄膜超声喷雾热分解电学特性薄膜特性

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(i-a-Si:H/p-μc-Si:H)界面过渡层对nip非晶硅太阳电池性能的影响

(i-a-Si:H/p-μc-Si:H)界面过渡层对nip非晶硅太阳电池性能的影响

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第九届中国太阳能光伏会议

作者：王锐薛俊明俞远高侯国付孙建杨瑞霞耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300130

本文采用RF-PECVD技术成功在非晶硅表面制备出p型晶化硅薄膜,并应用到了nip非晶硅太阳能电池上.详细研究了i/p界面对电池特性的影响.结果表明:氢等离子处理非晶硅表面5Min可以改善非晶硅表面的状况,使其表面生长出p型晶化硅薄膜;H等离... 详细信息

本文采用RF-PECVD技术成功在非晶硅表面制备出p型晶化硅薄膜,并应用到了nip非晶硅太阳能电池上.详细研究了i/p界面对电池特性的影响.结果表明:氢等离子处理非晶硅表面5Min可以改善非晶硅表面的状况,使其表面生长出p型晶化硅薄膜;H等离子体处理非晶硅表面后生长成核层的界面处理方法可以进一步改善电池的特性.

关键词：非晶硅太阳能电池界面过渡层 p型晶化硅薄膜电池特性化学气相沉积

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氧分压对电子束蒸发ITO薄膜光电性能的影响

氧分压对电子束蒸发ITO薄膜光电性能的影响

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第十届固体薄膜会议

作者：李林娜薛俊明赵颖李养贤耿新华河北工业大学材料科学与工程学院，天津 300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所& 天津市重点实验室:光电信息技术科学教育部重点实验室，南开大学，天津 300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所& 天津市重点实验室:光电信息技术科学教育部重点实验室，南开大学，天津 300071 河北工业大学材料科学与工程学院，天津 300130

本研究中用电子束反应蒸发的方法制备ITO 薄膜，测试了膜的可见光透过率、电阻率，讨论氧分压对薄膜光电性能及结构的影响。并在衬底温度为160℃，氧分压为5×10-2Pa的条件下，制得可见光范围平均透过率良好，电阻率为6.3×***... 详细信息

本研究中用电子束反应蒸发的方法制备ITO 薄膜，测试了膜的可见光透过率、电阻率，讨论氧分压对薄膜光电性能及结构的影响。并在衬底温度为160℃，氧分压为5×10-2Pa的条件下，制得可见光范围平均透过率良好，电阻率为6.3×***的ITO 透明导电薄膜。

关键词：氧分压透过率电子束蒸发光电性能透明导电薄膜

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溅射功率对ZnO:Al透明导电薄膜性能的影响

溅射功率对ZnO:Al透明导电薄膜性能的影响

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第九届中国太阳能光伏会议

作者：黄宇薛俊明马铁华熊强孙建赵颖耿新华仪器科学与动态测试教育部重点实验室中北大学电子工程系山西省太原市030051 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 &天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室南开大学天津30007 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 &天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室南开大学天津300071 仪器科学与动态测试教育部重点实验室中北大学电子工程系山西省太原市030051 北省信息产业厅唐山无线电管理分局河北省唐山市063000 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 &天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室南开大学天津300071

本文利用中频磁控溅射方法制备ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了溅射功率对ZAO薄膜电学、光学以及绒面表面形貌的影响,获得了适合太阳电池的高性能薄膜,其电阻率为4.6×10-4Ωcm,可见光范围内的平均透过率大于85﹪,低功率条件下制备... 详细信息

本文利用中频磁控溅射方法制备ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了溅射功率对ZAO薄膜电学、光学以及绒面表面形貌的影响,获得了适合太阳电池的高性能薄膜,其电阻率为4.6×10-4Ωcm,可见光范围内的平均透过率大于85﹪,低功率条件下制备的绒面ZAO薄膜具有较好的表面形貌.

关键词：中频磁控溅射溅射功率透明导电薄膜薄膜性能薄膜太阳电池

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甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅太阳电池的研究

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物理学报 2005年第4期54卷 1899-1903页

作者：张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建王岩耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池 .电池的J V测试结果表明 :在实验的硅烷浓度和功率范围内 ,随硅烷浓度的降低和功率的加大 ,对应电池的开路电压逐渐变小 ;硅烷浓度的不... 详细信息

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池 .电池的J V测试结果表明 :在实验的硅烷浓度和功率范围内 ,随硅烷浓度的降低和功率的加大 ,对应电池的开路电压逐渐变小 ;硅烷浓度的不同对电池的短路电流密度有很大的影响 ,但功率的影响在实验研究的范围内不是很显著 .对于微晶硅电池 ,N层最好是非晶硅 ,这是因为一方面可以降低对电流的横向收集效应 ,另一方面也降低了电池的漏电概率 ,提高了电池的填充因子 .

关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜太阳电池硅烷浓度

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二次离子质谱深度剖面分析氢化微晶硅薄膜中的氧污染

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物理学报 2005年第4期54卷 1895-1898页

作者：张晓丹赵颖朱锋魏长春麦耀华高艳涛孙建耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

运用二次离子质谱研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积制备的不同硅烷浓度和功率条件下薄膜中的氧污染情况 .结果发现 :薄膜中的氧含量随硅烷浓度和功率的变化而改变 .制备的微晶硅薄膜 ,晶化程度越高薄膜中的氧含量相对越多 .另外 ,... 详细信息

运用二次离子质谱研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积制备的不同硅烷浓度和功率条件下薄膜中的氧污染情况 .结果发现 :薄膜中的氧含量随硅烷浓度和功率的变化而改变 .制备的微晶硅薄膜 ,晶化程度越高薄膜中的氧含量相对越多 .另外 ,不同本底真空中的氧污染实验结果表明 :微晶硅材料中的氧含量与本底真空有很大的关系 ,因此要制备高质量的微晶硅材料 ,高的本底真空是必要条件 .

关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积二次离子质谱氧污染微晶硅薄膜

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微晶硅薄膜的制备及结构和稳定性研究

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物理学报 2005年第8期54卷 3910-3914页

作者：张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜.利用傅里叶变换红外吸收对制备薄膜进行了结构方面的测试分析.结果表明:随衬底温度的升高,材料中的氢含量总的趋势下降;傅里叶变换红外吸收和二次离子质谱测试... 详细信息

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜.利用傅里叶变换红外吸收对制备薄膜进行了结构方面的测试分析.结果表明:随衬底温度的升高,材料中的氢含量总的趋势下降;傅里叶变换红外吸收和二次离子质谱测试结果都显示薄膜中氧含量随衬底温度的升高而增加(在1019cm-3量级);与高衬底温度相比,低衬底温度制备的材料易于后氧化,这说明低温制备材料的稳定性不好.

关键词：微晶硅薄膜稳定性研究结构化学气相沉积技术衬底温度傅里叶变换等离子体增强二次离子质谱红外吸收测试分析制备材料甚高频氢含量氧含量后氧化

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VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析

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人工晶体学报 2005年第1期34卷 56-59,64页

作者：张晓丹高艳涛赵颖朱锋魏长春孙建侯国付薛俊明张德坤任慧志耿新华熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071

本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为... 详细信息

本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为氧含量随着时间的推移而增多。而且,微结构因子(IR)的结果给出:对于适用于电池有源层的微晶硅材料来说,其IR不能太大,也不能太小,本实验中相对好的微晶硅材料其IR为 31%。

关键词：硅材料硅薄膜 VHF-PECVD 有源层微晶晶向电学特性度条件因子不稳定性

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