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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学

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21 篇 微晶硅
18 篇 绒面结构
18 篇 衬底温度
17 篇 甚高频等离子体增...
17 篇 微晶硅薄膜
16 篇 zno薄膜
12 篇 高速沉积
12 篇 太阳能电池
12 篇 硅基
12 篇 化学气相沉积
12 篇 vhf-pecvd
12 篇 磁控溅射
12 篇 硅基薄膜太阳电池
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9 篇 电学特性
9 篇 陷光结构
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7 篇 天津新华职工大学
6 篇 南开大学光电子薄...
4 篇 天津大学
3 篇 南开大学光电子薄...
3 篇 仪器科学与动态测...
3 篇 深圳市力伟数码技...
3 篇 天津化学化工协同...
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2 篇 中国民航大学
2 篇 天津工业大学
2 篇 天津光电通信技术...
2 篇 香港科技大学
2 篇 浙江大学
1 篇 暨南大学

作者

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239 篇 张晓丹
159 篇 耿新华
144 篇 魏长春
132 篇 孙建
101 篇 张德坤
85 篇 陈新亮
65 篇 熊绍珍
65 篇 侯国付
56 篇 薛俊明
47 篇 张建军
43 篇 黄茜
39 篇 倪牮
30 篇 许盛之
29 篇 任慧志
27 篇 白立沙
25 篇 刘伯飞
22 篇 韩晓艳
20 篇 高艳涛
20 篇 朱锋

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391 篇 中文

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Cu含量对三步共蒸发法制备的Cu(In1-x,Cax)Se2薄膜材料结构及电学特性的影响

Cu含量对三步共蒸发法制备的Cu(In1-x,Cax)Se2薄膜材料结构及电学...

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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会

作者：葛阳张晓丹许盛之张力孙顶贺瑞霞陈泽王宁魏长春赵颖南开大学薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

Cu/(In+Ga)(Cu/Ⅲ)对Cu(In1-x,Cax)Se2(CIGS)薄膜材料结构和电学性能有很大影响,同时也是影响器件性能的重要因素.本文采用“三步共蒸发”工艺在覆有金属钼(Mo)层的钠钙玻璃上制备多晶CIGS薄膜材料及器件.XRD分析可知,CIGS薄膜展现出(1... 详细信息

Cu/(In+Ga)(Cu/Ⅲ)对Cu(In1-x,Cax)Se2(CIGS)薄膜材料结构和电学性能有很大影响,同时也是影响器件性能的重要因素.本文采用“三步共蒸发”工艺在覆有金属钼(Mo)层的钠钙玻璃上制备多晶CIGS薄膜材料及器件.XRD分析可知,CIGS薄膜展现出(112)、(220/204)等黄铜矿结构的特征峰,CIGS薄膜以(112)择优取向生长,贫Cu和富Cu的薄膜中分别存在Cu(In,Ga)3Se5和Cu2-xSe二次相.SEM分析表明,贫Cu的CIGS薄膜呈现三角状结构,晶粒细小.随着Cu/III接近化学计量比,CIGS薄膜表面紧凑致密,晶粒尺寸增大,这种结构有利于载流子的输运,降低晶界复合.富Cu的CIGS薄膜表面松散,存在着大颗粒Cu2-xSe相.通过上述研究,发现Cu/III处于0.85-0.92之间时,CIGS薄膜的结晶质量最优,且不存在二次相.最后,采用不同Cu/III比例的CIGS薄膜制备太阳电池,当Cu/III=0.92时,制备的太阳电池效率最高达到15.21％.

关键词：太阳能电池铜铟镓硒薄膜材料三步共蒸发法结构表征电学性能铜含量

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纳米Ge的制备及在太阳电池中的应用

纳米Ge的制备及在太阳电池中的应用

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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会

作者：王昊张建军倪牮马峻刘群赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在不高于200℃的温度下,以GeH4和H2为反应气体,在单晶Si(100)衬底上生长出纳米Ge结构,并用TEM、Raman表征其形貌和对比晶化率.研究发现,随着压强变化,Ge层的结构和光电性质也会随之变化... 详细信息

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在不高于200℃的温度下,以GeH4和H2为反应气体,在单晶Si(100)衬底上生长出纳米Ge结构,并用TEM、Raman表征其形貌和对比晶化率.研究发现,随着压强变化,Ge层的结构和光电性质也会随之变化.另外,可通过控制沉积时间来进一步控制纳米Ge的大小,随着沉积时间的增加,纳米Ge从小变大,同时材料的晶化率逐渐增大.最后将nc-Ge/α-Si多层结构作为n-i-p型太阳电池的本征层,使电池的外量子效率在红外响应区域(大于1100nm波长)得到显著增强.

关键词：太阳能电池纳米锗材料射频等离子体化学气相沉积技术

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高效p-i-n型非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结叠层电池的研究

高效p-i-n型非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结叠层电池的研究

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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会

作者：张晓丹任慧志张德坤王广才许盛之侯国付赵颖刘伯飞白立沙陈泽方家倪牮黄茜陈新亮魏长春南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

为提高p-i-n 型非晶硅/非晶硅锗/微晶硅(a-Si/a-SiGe/μc-Si)三结叠层薄膜电池的效率，本文分别从透明导电窗口层、非晶硅顶电池、非晶硅锗中间电池、微晶硅底电池和隧穿结进行了研究。

关键词：非晶硅微晶硅锗薄膜电池

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基于BZO衬底的高效非晶硅及非晶/微晶硅叠层太阳电池

基于BZO衬底的高效非晶硅及非晶/微晶硅叠层太阳电池

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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会

作者：方家张晓丹陈泽王宁白立沙王奉友侯国付陈新亮魏长春赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

高电导率、宽带隙的p型纳米硅氧(p-nc-SiOx∶H)材料作为非晶硅电池(a-Si∶H)的窗口层,使得短波响应得到明显的提升.但是由于宽带隙的p-nc-SiOx∶H的引入,使得p/i界面能带失配,恶化电池的性能.因此将具有低激活能和较低缺陷态密度的本征... 详细信息

高电导率、宽带隙的p型纳米硅氧(p-nc-SiOx∶H)材料作为非晶硅电池(a-Si∶H)的窗口层,使得短波响应得到明显的提升.但是由于宽带隙的p-nc-SiOx∶H的引入,使得p/i界面能带失配,恶化电池的性能.因此将具有低激活能和较低缺陷态密度的本征非晶硅氧(i-a-SiOx∶H)材料作为缓冲层,获得效率为10.64％的单结a-Si∶H电池.另,通过优化氢气处理i-a-SiOx∶H材料,得到了效率达到11.01％的高效单结非晶硅和13.41％的非晶/微晶硅叠层电池.

关键词：非晶硅太阳能电池叠层太阳能电池硅氧材料氢气处理转换效率

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磁控溅射生长宽光谱HMGZO薄膜及其绒面结构研究

磁控溅射生长宽光谱HMGZO薄膜及其绒面结构研究

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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会

作者：刘杰铭陈新亮梁俊辉张德坤赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071

为适应高效率薄膜太阳电池应用,本文采用磁控溅射法生长三种不同沉积方式的氢化作用下Mg和Ga共掺杂ZnO(HMGZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜,并通过后续湿法刻蚀技术获得绒面结构.ZnO薄膜中借助Mg掺杂,实现光学带隙展宽,提高短波长区域(即近... 详细信息

为适应高效率薄膜太阳电池应用,本文采用磁控溅射法生长三种不同沉积方式的氢化作用下Mg和Ga共掺杂ZnO(HMGZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜,并通过后续湿法刻蚀技术获得绒面结构.ZnO薄膜中借助Mg掺杂,实现光学带隙展宽,提高短波长区域(即近紫外区域,NUV)的光学透过率;而通过Ga和H的掺杂作用,改善ZnO薄膜的电学特性.由于三种不同沉积方式(摆动方式、衬底固定在左侧辉光区域正上方方式和衬底固定在整体辉光区域的正上方方式)下,相同时间内入射到衬底表面的粒子数量、粒子的能量和入射方向不同,使得薄膜的光电特性和结构特性不同.但三种方式溅射获得的HMGZO薄膜表面都相对平整,光学散射能力弱.我们选取光电特性最优的衬底(固定在整体辉光区域的正上方时制备的HMGZO薄膜)进行后续的湿法刻蚀处理,即采用体积百分比浓度为0.1％的稀HCl溶液对薄膜进行了不同时间的腐蚀.HCl溶液腐蚀时间较短时,薄膜表面呈现相对小而均匀的弹坑状结构;而随着腐蚀时间的增加,薄膜表面出现复合型尺寸弹坑状形貌;当腐蚀时间较长时,薄膜呈现疏松的表面结构.HMGZO薄膜的表面粗糙度RMS值呈现先增加而后减小的趋势,绒度(Haze)值也出现相同的变化规律.当腐蚀时间为35s时,HMGZO薄膜的RMS值优于110nm,Haze值在800nm优于24％,薄膜的电阻率略有升高.此种宽光谱绒面结构HMGZO薄膜可有效地提高硅基薄膜太阳电池性能.

关键词：太阳能电池透明导电氧化物薄膜磁控溅射法生长机制绒面结构光电特性

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窄带隙非晶硅锗单结电池的电学调控研究

窄带隙非晶硅锗单结电池的电学调控研究

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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会

作者：刘伯飞白立沙魏长春孙建赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，对p-i-n 型窄带隙(<1.5eV)非晶硅锗单结太阳电池进行研究.针对窄带隙非晶硅锗电池填充因子差的问题，基于电场屏蔽效应而导致的非晶硅锗电池本征层内建电场分布不均匀的现象，提出... 详细信息

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，对p-i-n 型窄带隙(<1.5eV)非晶硅锗单结太阳电池进行研究.针对窄带隙非晶硅锗电池填充因子差的问题，基于电场屏蔽效应而导致的非晶硅锗电池本征层内建电场分布不均匀的现象，提出通过微调弱内建电场区域光生空穴迁移率-寿命(μτ)积以改善空穴输运能力的工艺方法，相比于线性带隙梯度分布工艺制备的非晶硅锗单结电池，其可在保持电池长波响应的同时，显著提高填充因子，达68.33％.

关键词：非晶硅锗薄膜太阳电池填充因子电场屏蔽效应窄带隙

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电沉积Cu/Zn金属预制层后续低硒压硒化制备CZTSe薄膜

电沉积Cu/Zn金属预制层后续低硒压硒化制备CZTSe薄膜

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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会

作者：姚立勇敖建平毕金莲高守帅孙国忠周志强何青孙云南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

采用恒电流电沉积工艺在玻璃/Mo 衬底上顺序沉积Cu-Zn 金属预制层,后续在SnSex(x=1,2)气氛下,16.3Pa 硒压条件下硒化制备CZTSe 薄膜.SnSex(x=1,2)分压由锡源温度控制,硒源及样品温度分别为270℃和570℃.采用三种不同的热处理工艺：Sn源... 详细信息

采用恒电流电沉积工艺在玻璃/Mo 衬底上顺序沉积Cu-Zn 金属预制层,后续在SnSex(x=1,2)气氛下,16.3Pa 硒压条件下硒化制备CZTSe 薄膜.SnSex(x=1,2)分压由锡源温度控制,硒源及样品温度分别为270℃和570℃.采用三种不同的热处理工艺：Sn源温度为400℃(A1),Sn 源为530℃(A2),Sn 源为570℃(A3).

关键词：电沉积太阳电池薄膜

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微晶硅单结电池本征层梯度设计及其对电池性能的影响

微晶硅单结电池本征层梯度设计及其对电池性能的影响

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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会

作者：白立沙刘伯飞陈泽黄茜张德坤魏长春孙建赵颖张晓丹南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备高速率微晶硅太阳电池,针对微晶硅材料在生长过程中存在纵向不均匀性而导致的电池光电性能随之下降的问题,通过对吸收层采用氢稀释梯度设计来调整本征层材料纵向结构,从而改善限... 详细信息

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备高速率微晶硅太阳电池,针对微晶硅材料在生长过程中存在纵向不均匀性而导致的电池光电性能随之下降的问题,通过对吸收层采用氢稀释梯度设计来调整本征层材料纵向结构,从而改善限制载流子输运特性.对不同梯度分布及其对电池性能的影响进行对比.研究发现,梯度设计的引入可有效调控本征层纵向结构,使本征层晶化率尽可能保持一致,同时提高了载流子的输运能力,提高电池的光电性能.通过对本征层梯度设计进一步优化,获得了初始转化效率为10.01％的单结微晶硅薄膜太阳电池.

关键词：微晶硅薄膜太阳电池本征层材料纵向结构梯度设计光电性能

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沉积气压和衬底温度对射频磁控溅射法制备的Mo薄膜结构特性及电学特性的影响

沉积气压和衬底温度对射频磁控溅射法制备的Mo薄膜结构特性及电学...

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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会

作者：贺瑞霞张晓丹张力孙建张德坤魏长春赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

本文采用射频磁控溅射法制备了铜铟镓硒(CIGS)电池中的金属钼(Mo)背电极,通过改变溅射气压(2 mTorr-12 mTorr)和衬底温度(室温--250 ℃),研究单层Mo 膜的结构特性和电学特性的变化。利用AFM,SEM,XRD 和Hall 等测试手段对薄膜进行了表面... 详细信息

本文采用射频磁控溅射法制备了铜铟镓硒(CIGS)电池中的金属钼(Mo)背电极,通过改变溅射气压(2 mTorr-12 mTorr)和衬底温度(室温--250 ℃),研究单层Mo 膜的结构特性和电学特性的变化。利用AFM,SEM,XRD 和Hall 等测试手段对薄膜进行了表面形貌、微观结构和电学特性的测试。

关键词：射频磁控溅射 Mo薄膜气压温度 CIGS

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衬底温度和沉积气压对射频磁控溅射制备的Mo薄膜结构特性及电学特性的影响

衬底温度和沉积气压对射频磁控溅射制备的Mo薄膜结构特性及电学特...

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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会

作者：贺瑞霞张晓丹张力许盛之孙建张德坤魏长春赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津 300071

本文采用射频磁控溅射法制备了铜铟镓硒(CIGS)电池中的金属钼(Mo)背电极.分别研究了衬底温度(室温-250)和沉积气压(2mTorr-12mTorr)对Mo薄膜的结构特性和电学特性的影响.利用AFM,XRD和Hall等测试手段对薄膜进行了表面形貌、微观结构和... 详细信息

本文采用射频磁控溅射法制备了铜铟镓硒(CIGS)电池中的金属钼(Mo)背电极.分别研究了衬底温度(室温-250)和沉积气压(2mTorr-12mTorr)对Mo薄膜的结构特性和电学特性的影响.利用AFM,XRD和Hall等测试手段对薄膜进行了表面形貌、微观结构和电学特性表征.实验结果表明:衬底温度和沉积气压对于薄膜的结晶取向和形貌有明显的影响,其中温度在小范围内影响了(211)峰的强度,使得两个峰的强度比(I110/I211)有所变化.本实验中最适宜的条件是200,3mTorr,350W,此时薄膜峰强度比值适当,电阻率最小.

关键词：太阳能电池铜铟镓硒薄膜射频磁控溅射法结构特性电学特性

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