检索结果-内蒙古大学图书馆

西安电子科技大学学报 2018年第2期45卷 110-115页

作者：高家明梁煜张为刘艳艳天津大学微电子学院天津 300072 南开大学电子信息与光学工程学院，天津 300071

由于现有二维离散小波变换硬件结构通常存在输入图像存储空间较大和硬件资源消耗较高的问题,制约了系统的硬件效率提升.为此,调整了输入数据的时序,设计了一种基于提升算法的新型二维离散小波变换架构.采用了横向并行、数据错位的三输... 详细信息

由于现有二维离散小波变换硬件结构通常存在输入图像存储空间较大和硬件资源消耗较高的问题,制约了系统的硬件效率提升.为此,调整了输入数据的时序,设计了一种基于提升算法的新型二维离散小波变换架构.采用了横向并行、数据错位的三输入扫描方法,降低了处理模块的硬件资源消耗,同时消除了片外存储的需求.对于一幅长宽为N×N的输入图像,系统的总存储需求缩减为9 N字节.经过硬件分析,对比其他现有结构,本架构的硬件效率提升了8%以上.

关键词：离散小波变换超大规模集成电路集成电路设计数据错位扫描无片外存储

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基于Fano共振的全介质超表面双参数传感器

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中国激光 2024年第2期51卷 162-170页

作者：南雪莹刘会刚刘海涛南开大学电子信息与光学工程学院薄膜光电子技术教育部工程研究中心天津300350 南开大学电子信息与光学工程学院微电子工程系天津300350 南开大学电子信息与光学工程学院现代光学研究所天津300350 天津市微尺度光学信息技术科学重点实验室天津300350

与金属超表面相比,全介质超表面具有较低的欧姆损耗和较尖锐的共振峰。提出了一种基于“θ”形全介质硅超表面的双参数传感器。通过增加空孔破坏周期单元结构的对称性,从而产生两个Fano共振峰,其中第一个Fano共振峰为连续域中的准束缚态... 详细信息

与金属超表面相比,全介质超表面具有较低的欧姆损耗和较尖锐的共振峰。提出了一种基于“θ”形全介质硅超表面的双参数传感器。通过增加空孔破坏周期单元结构的对称性,从而产生两个Fano共振峰,其中第一个Fano共振峰为连续域中的准束缚态(QBIC),两个峰的光谱对比度分别为71.4%和99.4%。利用商用多物理场仿真软件COMSOL对该超表面周期结构进行模拟仿真,结果表明,传感器在两个Fano共振峰处的折射率传感灵敏度分别为278.9 nm·RIU-1和230.0 nm·RIU^(-1),优值(FOM)最大为9387,品质因子(Q)最大为9735。本传感器能够同时实现折射率和温度的双参数测量,仿真结果显示两个共振峰的温度传感灵敏度分别为18.86 pm·℃^(-1)和42.71 pm·℃^(-1)。

关键词：传感器 Fano共振全介质超表面折射率传感温度传感

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应用于JPEG2000的高性能MQ编码器VLSI设计

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西安电子科技大学学报 2018年第3期45卷 74-79,90页

作者：陈超伟梁煜张为包娜刘艳艳天津大学微电子学院天津300072 南开大学电子信息与光学工程学院天津300071

目前,MQ编码器由于自身严格串行的工作特点,成为限制JPEG2000编码性能提升的一个关键瓶颈.文中提出了一种适用于JPEG2000图像压缩算法的高性能MQ编码器.该MQ编码器通过采用Index值预测等优化方法实现编码时间的缩短以及存储需求的降低.... 详细信息

目前,MQ编码器由于自身严格串行的工作特点,成为限制JPEG2000编码性能提升的一个关键瓶颈.文中提出了一种适用于JPEG2000图像压缩算法的高性能MQ编码器.该MQ编码器通过采用Index值预测等优化方法实现编码时间的缩短以及存储需求的降低.此外,文中还将提出的MQ编码器应用到Tier 1编码当中,并根据位平面编码器的输出特点,提出了一种接口设计来实现位平面编码器与MQ编码器的高效连接,从而实现单位时钟周期内Tier 1编码吞吐率最高3倍提升.经FPGA验证,文中提出的MQ编码器与目前的结构相比,在吞吐率方面可以取得至少10%的提升,存储需求也明显下降.

关键词： JPEG2000 Ticr 1编码 MQ编码器超大规模集成电路

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氢气氛退火对硅上低温外延制备的硅锗薄膜性能的影响

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无机材料学报 2017年第2期32卷 191-196页

作者：王锦陶科李国峰梁科蔡宏琨南开大学电子信息与光学工程学院天津300071 中国科学院微电子研究所北京100029

采用反应型热化学气相沉积系统在硅(100)衬底上外延生长富锗硅锗薄膜。四氟化锗作为锗源,乙硅烷作为还原性气体。通过设计表面反应,在低温条件下(350℃)制备了高质量的富锗硅锗薄膜。研究了氢退火对低温硅锗外延薄膜微结构和电学性能的... 详细信息

采用反应型热化学气相沉积系统在硅(100)衬底上外延生长富锗硅锗薄膜。四氟化锗作为锗源,乙硅烷作为还原性气体。通过设计表面反应,在低温条件下(350℃)制备了高质量的富锗硅锗薄膜。研究了氢退火对低温硅锗外延薄膜微结构和电学性能的影响。结果发现退火温度高于700℃时,外延薄膜的表面形貌随着退火温度的升高迅速恶化。当退火温度为650℃时,获得了最佳的退火效果。在该退火条件下,外延薄膜的螺旋位错密度从3.7×106 cm^(-2)下降到4.3×105 cm^(-2),表面粗糙度从1.27 nm下降到1.18 nm,而外延薄膜的结晶质量也有效提高。霍尔效应测试表明,经退火处理的样品载流子迁移率明显提高。这些结果表明,经过氢退火处理后,反应型热化学气相沉积制备的低温硅锗外延薄膜可以获得与高温下硅锗外延薄膜相比拟的性能。

关键词：硅锗薄膜低温外延氢退火螺旋位错

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基于锰基YMn_(2)O_(5)催化剂室温降解挥发性有机化合污染物

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应用化学 2023年第6期40卷 888-895页

作者：沈方燮万翔王卫超南开大学电子信息与光学工程学院天津300071

基于物理吸附的挥发性有机化合物(Volatile organic compounds,VOCs)净化方式快速且具有通用性,目前已广泛应用于室内空气净化设备中。但在使用过程中受到净化材料吸附总量有限和环境温度变化的影响,往往会对室内空气造成二次污染,严重... 详细信息

基于物理吸附的挥发性有机化合物(Volatile organic compounds,VOCs)净化方式快速且具有通用性,目前已广泛应用于室内空气净化设备中。但在使用过程中受到净化材料吸附总量有限和环境温度变化的影响,往往会对室内空气造成二次污染,严重威胁人们的健康。而通过频繁更换耗材改善二次污染的方式,对消费者造成经济损失的同时,也对环境和下游回收产业带来严重负担。基于此,提出了基于锰基莫来石催化剂(YMn_(2)O_(5),YMO)+O3的新型VOCs净化技术,并用于室内空气净化。结果表明,在18℃、1.2×10^(5)mL/(g·h)的条件下,丙烯被完全催化降解生成CO_(2)和H2O。将燃烧产物包括丙烯、多环芳烃和脂肪烃等在内的焚香作为VOCs源,在18℃,不同初始浓度与不同相对湿度条件下,自制空气净化器能快速降解VOCs,其洁净空气输出比率达到75 m^(3)/h。随着VOCs初始浓度增加,完全降解所需的时间增加,而环境的相对湿度变化也会影响VOCs降解速率,当相对湿度为40%时,自制空气净化器降解VOCs速率最快。YMO+O3技术路线在低于室温条件下能够有效降解VOCs,且不造成二次污染。由于催化剂不参与反应,其理论寿命无限长,该技术路线有望在下一代空气净化设备中普及。

关键词：挥发性有机化合物莫来石室温降解空气净化器

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陷波频率可重构的超宽带滤波器设计

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压电与声光 2024年第6期46卷 973-978页

作者：孙雯婕张旭赵梦晨何明南开大学电子信息与光学工程学院天津300350

以多模谐振器为基础,设计了一种新型陷波可重构超宽带滤波器。基于传输线理论和奇偶模理论设计多模谐振器结构,利用HFSS与ADS联合仿真确定滤波器的尺寸参数,通过在滤波器枝节上加载变容二极管来实现滤波器陷波的可重构。设计得到的超宽... 详细信息

以多模谐振器为基础,设计了一种新型陷波可重构超宽带滤波器。基于传输线理论和奇偶模理论设计多模谐振器结构,利用HFSS与ADS联合仿真确定滤波器的尺寸参数,通过在滤波器枝节上加载变容二极管来实现滤波器陷波的可重构。设计得到的超宽带滤波器中心频率为3.35 GHz,3 dB相对带宽为68.7%,且陷波频率独立可调节。仿真结果表明通带内陷波频率可调范围为3.2~4 GHz,相对可调范围为33%,通带内插入损耗在0.5 dB以内。对该滤波器进行加工并实际测量,得到的陷波可调范围为3.3~4.02 GHz,与仿真结果基本吻合。实验结果表明,该可重构超宽带滤波器的结构简单,尺寸较小,陷波可调范围宽,能有效地抑制系统内的干扰信号。

关键词：多模谐振器陷波可重构超宽带变容二极管

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基于OFDM无线通信系统的线性回归频偏估计算法

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光电子．激光 2014年第10期25卷 1919-1925页

作者：陈坤吴虹刘勇王琦琦向坤南开大学电子信息与光学工程学院天津300071 南开大学天津市信息光子材料与技术重点实验室天津300071

为了适应60GHz新型WiFi对频偏同步的要求,提出了一种基于IEEE802.11ad-2012修正案系统的线性回归频偏估计(LROE)算法。算法将接收到的前导序列与本地序列进行互相关运算,然后提取互相关值的相位角进行线性回归计算,估计出频偏值。从理... 详细信息

为了适应60GHz新型WiFi对频偏同步的要求,提出了一种基于IEEE802.11ad-2012修正案系统的线性回归频偏估计(LROE)算法。算法将接收到的前导序列与本地序列进行互相关运算,然后提取互相关值的相位角进行线性回归计算,估计出频偏值。从理论推导了算法在高斯信道和多径信道下的抗噪声和抗多径性能。在多径信道仿真中,本算法的频偏估计精度优于传统自相关算法3个数量级,满足了系统对高精度频偏估计的要求。在全系统仿真中,对比研究了本算法和自相关算法对系统误比特率(BER)性能的影响,并与无频偏对照组仿真进行对比。LROE算法的BER明显优于自相关算法。仿真研究表明,LROE算法基本消除了频偏对系统BER的影响,其性能达到了无频偏系统的效果,达到了60GHz系统对频偏同步的要求。

关键词：线性回归频偏估计 OFDM 60GHz无线通信

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负载催化剂SmMn_2O_5/γ-Al_2O_3负载量对NO氧化的影响

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应用化学 2019年第2期36卷 195-202页

作者：杨志南开大学电子信息与光学工程学院天津300350

贵金属催化剂对NO_x催化氧化具有优异的催化性能,但催化剂成本较高,而负载型催化剂及非贵金属催化剂受到了广泛的关注。本文中采用水热法和浸渍法分别制备了SmMn_2O_5纯相催化剂和SmMn_2O_5/γ-Al_2O_3负载催化剂,探索了活性成分SmMn_2... 详细信息

贵金属催化剂对NO_x催化氧化具有优异的催化性能,但催化剂成本较高,而负载型催化剂及非贵金属催化剂受到了广泛的关注。本文中采用水热法和浸渍法分别制备了SmMn_2O_5纯相催化剂和SmMn_2O_5/γ-Al_2O_3负载催化剂,探索了活性成分SmMn_2O_5含量对NO催化氧化的影响。对负载SmMn_2O_5不同质量分数(5%～100%)的复合催化剂进行了扫描电子显微镜、比表面积、孔径分布、程序升温还原和程序升温脱附的表征以及NO催化氧化的研究。当SmMn_2O_5负载量小于50%(35%、25%、15%、5%)时,负载量为25%的催化剂显示出最低的燃点温度(260℃),继续增加负载量到50%和75%,与负载25%的复合催化剂相比,起燃温度降低10℃,仅高于纯相催化剂40℃。该探索对于SmMn_2O_5催化剂的有效利用将具有一定的指导作用,并为负载型非贵金属催化剂的设计提供一定的思路。

关键词： SmMn2O5 催化剂 NO催化氧化

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正交频分复用基带系统仿真及FPGA实现

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北京理工大学学报 2015年第3期35卷 310-315页

作者：吴虹李子彧赵迎新陈坤焦鹏南开大学电子信息与光学工程学院天津300071 南开大学天津市信息光子材料与技术重点实验室天津300071

基于IEEE802.15.3a提案及ECMA-368标准建立多频带正交频分复用超宽带基带系统,主要包括信道编解码、交织和解交织、数字调制与解调、OFDM信号的组帧与解帧、跳频和解跳频.针对该系统提出了一种采用数字基带跳频和解跳频的多频带实现方案... 详细信息

基于IEEE802.15.3a提案及ECMA-368标准建立多频带正交频分复用超宽带基带系统,主要包括信道编解码、交织和解交织、数字调制与解调、OFDM信号的组帧与解帧、跳频和解跳频.针对该系统提出了一种采用数字基带跳频和解跳频的多频带实现方案,并对系统的同步问题进行了相关研究.在Matlab仿真平台上搭建系统并验证系统可行性,在此基础上使用FPGA硬件实现该系统并进行性能测试.仿真结果表明,建立的多频带OFDM超宽带基带系统硬件平台能够很好地完成数据的发送与接收,并具有良好的传输性能,为系统中其它关键技术的研究提供了硬件实验平台.

关键词：正交频分复用基带跳频和解跳频同步现场可编程门阵列

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基于非对称单缝结构的表面等离子体定向激发

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中国激光 2016年第11期43卷 263-269页

作者：胡玄刘会刚刘波南开大学电子信息与光学工程学院天津市光电传感器与传感网络技术重点实验室天津300350 南开大学电子信息与光学工程学院现代光学研究所天津300350

表面等离子体的定向激发在光通信、生物传感、集成电路、纳米刻蚀等领域具有重要应用。提出了一种L型非对称单缝的表面等离子体定向激发结构。无须改变缝隙的结构参数,通过调节入射光的入射角度即可实现表面等离子体的单向和双向激发,... 详细信息

表面等离子体的定向激发在光通信、生物传感、集成电路、纳米刻蚀等领域具有重要应用。提出了一种L型非对称单缝的表面等离子体定向激发结构。无须改变缝隙的结构参数,通过调节入射光的入射角度即可实现表面等离子体的单向和双向激发,起到全光开关调制的作用。详细阐述了L型缝隙的加工制作流程,利用COMSOL Multiphysics仿真软件对缝隙结构进行模拟仿真。仿真结果表明,非对称单缝结构可实现消光比在-16dB^15dB范围内连续可调的表面等离子体定向激发。该结构体积小,便于操控,易于加工,对微纳等离子体光学器件的研究具有指导意义。

关键词：表面光学表面等离子体定向激发角度调制有限元分析法

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