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  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是101-110 订阅
排序:
一款W波段GaN HEMT高谐波抑制八次倍频器MMIC
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固体电子研究与进展 2019年 第1期39卷 1-4,27页
作者: 项萍 王维波 陈忠飞 郭方金 潘晓枫 徐志超 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了一款采用0.1μm GaN HEMT工艺制作的W波段八次倍频器芯片。该芯片集成了3个二次倍频器和1个驱动放大器。二次倍频器采用有源平衡电路结构以实现较好的功率输出和有效的基波和奇次谐波抑制;驱动放大器采用单级负反馈电路结构,在实... 详细信息
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微波光子集成芯片技术
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雷达学报(中英文) 2019年 第2期8卷 262-280页
作者: 钱广 钱坤 顾晓文 孔月婵 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 空军装备部驻南京地区第二军事代表室 南京210016
微波光子集成芯片技术是微波光子雷达的重要支撑技术,不仅可以实现器件的多功能化,缩小微波光子雷达的体积,还可以大大提升微波光子雷达的稳定性与可靠性。该文介绍了目前常用的InP基、Si基和铌酸锂基等材料体系及其异质异构集成的光子... 详细信息
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基于70nm GaAs MHEMT工艺的W波段低噪声放大器
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固体电子研究与进展 2017年 第2期37卷 94-98页
作者: 吴少兵 王维波 郭方金 高建峰 黄念宁 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了一种采用电子束直写70nm"Y"型栅工艺制备的GaAs MHEMT器件及W波段低噪声放大器。器件的最大跨导可达到1 050mS/mm,最大电流密度可达650mA/mm。通过小信号S参数测试,可外推其电流增益截至频率fT及最大振荡频率fmax分别达... 详细信息
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基于毛纽扣的LTCC微波模块垂直互连技术
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固体电子研究与进展 2013年 第6期33卷 538-541页
作者: 徐利 王子良 胡进 陈昱晖 郭玉红 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
基于独立的二维LTCC微波模块间的垂直互连技术展开研究,采用了一种三线型毛纽扣微波垂直互连结构并使用三维电磁仿真软件HFSS对三线型毛纽扣垂直互连结构的模型进行分析与优化。通过对相应工艺的研究,制作了三线型毛纽扣垂直互连样品,... 详细信息
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C波段高效率GaN HEMT功率放大器
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固体电子研究与进展 2017年 第6期37卷 379-383页
作者: 孙嘉庆 郑惟彬 钱峰 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
通过负载牵引测试验证了源端二次谐波对器件效率的影响,同时又进一步验证了输出谐波匹配对放大器的作用。基于此结果,研制了两款采用0.25μm工艺的GaN功率MMIC 4.0~5.6GHz高效率放大器芯片,芯片采用二级放大的结构。第一款输出级只考虑... 详细信息
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基于InP HBT工艺的C波段高谐波抑制有源三倍频器MMIC
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固体电子研究与进展 2022年 第3期42卷 196-200页
作者: 姚露露 刘尧 潘晓枫 程伟 王学鹏 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
基于0.7μm InP HBT工艺,设计了一款C波段高谐波抑制有源三倍频器MMIC。三倍频核心电路采用AB类差分级联三极管(cascode)结构,可产生丰富的奇次谐波信号,通过输出匹配网络滤出三次谐波信号并抑制其他谐波信号。输入端利用有源巴伦实现... 详细信息
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基于片内热管理应用的碳化硅深孔刻蚀研究
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电子元件与材料 2019年 第9期38卷 99-104页
作者: 黄语恒 郭怀新 孔月婵 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
针对传统SiC衬底GaN器件高功率密度工作时的热积累问题,开展基于芯片内部嵌入高热导率材料的GaN器件芯片级热管理技术研究。在实现工艺兼容性的基础上,采用反应离子刻蚀技术对GaN器件有源区下端的SiC衬底进行深孔刻蚀工艺研究,系统地分... 详细信息
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基于AlN/GaN异质结的Ka波段GaN低噪声放大器研制
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固体电子研究与进展 2021年 第1期41卷 14-17,23页
作者: 张亦斌 吴少兵 李建平 韩方彬 李忠辉 陈堂胜 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果。在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长70 nm的"T"型栅结构。器件最大电流密度为1.50 A/mm,最大跨导为650 mS/mm,通过S参数测试外推... 详细信息
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低应力掺钪氮化铝薄膜制备技术研究
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固体电子研究与进展 2021年 第4期41卷 319-322页
作者: 王雷 王冬蕊 沈雁飞 姜理利 郁元卫 黄旼 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
分析了双层膜薄膜失效模型,提出了制备低应力掺钪氮化铝薄膜在薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器工艺中的必要性。利用反应溅射法制备掺钪氮化铝薄膜,并使用应力测试仪表征薄膜的力学性能,研究薄膜厚度、工艺时溅射功率、偏置功率以及工艺... 详细信息
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基于AHRS的改进自适应互补滤波算法研究
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固体电子研究与进展 2018年 第2期38卷 141-145页
作者: 张浩磊 朱健 黄镇 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
针对基于MEMS传感器的航姿参考系统精度不高、数据易漂移导致测量无人载体航姿数据不准确的问题,设计了基于四元数与自适应互补滤波相结合的改进自适应互补滤波算法。通过对MEMS加速度计与磁强计输出数据、MEMS陀螺仪的积分数据进行补... 详细信息
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