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  • 30 篇 程伟
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  • 28 篇 张有涛
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  • 24 篇 张东国
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  • 16 篇 倪金玉
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  • 14 篇 罗伟科
  • 13 篇 牛斌

语言

  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是111-120 订阅
排序:
0.1~2.0 GHz 10W GaN单片行波放大器
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固体电子研究与进展 2017年 第5期37卷 307-311页
作者: 韩程浩 叶川 陶洪琪 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210096
报道了一款采用0.25μm GaN功率MMIC工艺研制的0.1~2.0 GHz超宽带功率放大器芯片。芯片采用非均匀分布式拓扑结构进行设计。在管芯栅极端设计稳定结构来提高电路的整体稳定性,在漏极端采用阻抗渐变的方式进行电路匹配,从而提高电路的效... 详细信息
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InAlGaN超薄势垒层结构高频GaN HEMT器件
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固体电子研究与进展 2017年 第5期37卷 299-302页
作者: 朱广润 孔月婵 张凯 郁鑫鑫 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
提出了一种基于SiC衬底的高性能InAlGaN/AlN/GaN HEMT器件。采用电子束技术实现栅长为80nm的高深宽比(栅脚高度与栅长的比值)T型栅结构。测试结果表明,超薄势垒层结构对于器件短沟道效应具有较好的抑制作用,在Ids=1mA/mm时器件的DIBL=16... 详细信息
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毫米波GaN HEMT器件大信号模型
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固体电子研究与进展 2017年 第2期37卷 73-76页
作者: 陆海燕 周建军 孔月婵 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本... 详细信息
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EMMI故障定位和基于故障树的GaAs MMIC失效分析
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固体电子研究与进展 2017年 第5期37卷 333-338页
作者: 王创国 贾洁 周舟 沈宏昌 贾东铭 林罡 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
首先通过故障树的方式,分析了某6位数控衰减器衰减态翻转速度异常的失效模式和失效机理。把故障树的顶事件2dB衰减态翻转速度异常分为开关管ESD损伤、驱动信号异常、衰减电阻异常、控制端电阻异常4个子事件,经过分析得出翻转速度异常最... 详细信息
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MOCVD脉冲法制备InAlGaN/GaN异质结材料特性研究
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固体电子研究与进展 2017年 第4期37卷 229-233页
作者: 李忠辉 李传皓 彭大青 张东国 罗伟科 李亮 潘磊 杨乾坤 董逊 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
采用MOCVD脉冲供源方法制备了76.2 mm(3英寸)高质量薄势垒层的InAlGaN/GaN异质结材料。通过对样品表面形貌及电学特性等测试,研究了进入反应腔MO源的不同脉冲组合对InAlGaN材料生长的影响,并分析了相关机理。其中等效为InAlN/AlGaN类超... 详细信息
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一种二阶互补滤波与卡尔曼滤波的姿态解算方法设计
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电子工艺技术 2018年 第3期39卷 168-170,178页
作者: 黄镇 张浩磊 刘梅 朱健 南京电子器件研究所 江苏南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
AHRS系统中通常采用针对MEMS加速度计与磁强计融合姿态角和陀螺仪输出数据进行Kalman滤波的方法,但是这种方法中MEMS加速度计与磁强计基于MARG方法融合要载体处于静态状态,否则会出现线加速度带来误差。提出一种互补滤波与卡尔曼滤波... 详细信息
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基于70nm GaAs MHEMT工艺的W波段低噪声放大器
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固体电子研究与进展 2017年 第2期37卷 94-98页
作者: 吴少兵 王维波 郭方金 高建峰 黄念宁 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了一种采用电子束直写70nm"Y"型栅工艺制备的GaAs MHEMT器件及W波段低噪声放大器。器件的最大跨导可达到1 050mS/mm,最大电流密度可达650mA/mm。通过小信号S参数测试,可外推其电流增益截至频率fT及最大振荡频率fmax分别达... 详细信息
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C波段高效率GaN HEMT功率放大器
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固体电子研究与进展 2017年 第6期37卷 379-383页
作者: 孙嘉庆 郑惟彬 钱峰 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
通过负载牵引测试验证了源端二次谐波对器件效率的影响,同时又进一步验证了输出谐波匹配对放大器的作用。基于此结果,研制了两款采用0.25μm工艺的GaN功率MMIC 4.0~5.6GHz高效率放大器芯片,芯片采用二级放大的结构。第一款输出级只考虑... 详细信息
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Ku波段20W GaN功率MMIC
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固体电子研究与进展 2017年 第2期37卷 77-80,98页
作者: 徐波 余旭明 叶川 陶洪琪 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了一款采用三级放大结构的Ku波段高效率GaN功率放大器芯片。放大器设计中通过电路布局优化改善功放芯片内部相位一致性,提高末级晶胞的合成效率,最终实现整个放大器功率及效率的提升。经匹配优化后放大器在14.6~17.0GHz频带内脉冲... 详细信息
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X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器
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固体电子研究与进展 2017年 第2期37卷 99-102,139页
作者: 彭龙新 李真 徐波 凌志健 李光超 彭劲松 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限... 详细信息
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