检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2017年第5期37卷 307-311页

作者：韩程浩叶川陶洪琪微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210096

报道了一款采用0.25μm GaN功率MMIC工艺研制的0.1~2.0 GHz超宽带功率放大器芯片。芯片采用非均匀分布式拓扑结构进行设计。在管芯栅极端设计稳定结构来提高电路的整体稳定性,在漏极端采用阻抗渐变的方式进行电路匹配,从而提高电路的效... 详细信息

报道了一款采用0.25μm GaN功率MMIC工艺研制的0.1~2.0 GHz超宽带功率放大器芯片。芯片采用非均匀分布式拓扑结构进行设计。在管芯栅极端设计稳定结构来提高电路的整体稳定性,在漏极端采用阻抗渐变的方式进行电路匹配,从而提高电路的效率。芯片漏压30 V、连续波条件下,在0.1~2.0 GHz频率范围内,线性增益大于18 d B,功率增益大于13 d B;在0.1~1.5 GHz频率范围内饱和输出功率大于10 W,功率附加效率大于55%,最高效率达到78%。芯片面积2.4 mm×1.9 mm。

关键词：超宽带高效率分布式射频放大器

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InAlGaN超薄势垒层结构高频GaN HEMT器件

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固体电子学研究与进展 2017年第5期37卷 299-302页

作者：朱广润孔月婵张凯郁鑫鑫陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

提出了一种基于SiC衬底的高性能InAlGaN/AlN/GaN HEMT器件。采用电子束技术实现栅长为80nm的高深宽比(栅脚高度与栅长的比值)T型栅结构。测试结果表明,超薄势垒层结构对于器件短沟道效应具有较好的抑制作用,在Ids=1mA/mm时器件的DIBL=16... 详细信息

提出了一种基于SiC衬底的高性能InAlGaN/AlN/GaN HEMT器件。采用电子束技术实现栅长为80nm的高深宽比(栅脚高度与栅长的比值)T型栅结构。测试结果表明,超薄势垒层结构对于器件短沟道效应具有较好的抑制作用,在Ids=1mA/mm时器件的DIBL=165mV/V,栅压为2V时饱和电流密度达到1.81A/mm,器件峰值跨导达到0.68S/mm。此外,器件还显示出优异的微波性能,电流增益截止频率f_T=238GHz,功率增益截止频率f_(max)=298GHz,有效载流子速度1.2×10~7 cm/s。报道的高频率性能显示出新型势垒层结构在高频短沟道器件领域的独特优势和深厚潜力。

关键词： InAlGaN GaN 高频高电子迁移率晶体管

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毫米波GaN HEMT器件大信号模型

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固体电子学研究与进展 2017年第2期37卷 73-76页

作者：陆海燕周建军孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本... 详细信息

介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本一致。

关键词：符号定义器件 GaN高电子迁移率晶体管大信号模型

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EMMI故障定位和基于故障树的GaAs MMIC失效分析

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固体电子学研究与进展 2017年第5期37卷 333-338页

作者：王创国贾洁周舟沈宏昌贾东铭林罡微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

首先通过故障树的方式,分析了某6位数控衰减器衰减态翻转速度异常的失效模式和失效机理。把故障树的顶事件2dB衰减态翻转速度异常分为开关管ESD损伤、驱动信号异常、衰减电阻异常、控制端电阻异常4个子事件,经过分析得出翻转速度异常最... 详细信息

首先通过故障树的方式,分析了某6位数控衰减器衰减态翻转速度异常的失效模式和失效机理。把故障树的顶事件2dB衰减态翻转速度异常分为开关管ESD损伤、驱动信号异常、衰减电阻异常、控制端电阻异常4个子事件,经过分析得出翻转速度异常最大可能是由于控制端电阻过大引发RC延迟现象,进而导致关断或开启延迟故障。然后通过微光显微镜和激光感应阻抗变化率对故障件进行故障定位确定了故障点,为分析结果提供了依据。

关键词：失效分析故障树微光显微镜激光感应阻抗变化率

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MOCVD脉冲法制备InAlGaN/GaN异质结材料特性研究

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固体电子学研究与进展 2017年第4期37卷 229-233页

作者：李忠辉李传皓彭大青张东国罗伟科李亮潘磊杨乾坤董逊南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

采用MOCVD脉冲供源方法制备了76.2 mm(3英寸)高质量薄势垒层的InAlGaN/GaN异质结材料。通过对样品表面形貌及电学特性等测试,研究了进入反应腔MO源的不同脉冲组合对InAlGaN材料生长的影响,并分析了相关机理。其中等效为InAlN/AlGaN类超... 详细信息

采用MOCVD脉冲供源方法制备了76.2 mm(3英寸)高质量薄势垒层的InAlGaN/GaN异质结材料。通过对样品表面形貌及电学特性等测试,研究了进入反应腔MO源的不同脉冲组合对InAlGaN材料生长的影响,并分析了相关机理。其中等效为InAlN/AlGaN类超晶格结构的势垒层外延方法,基于原子层间近晶格匹配和超晶格的原子层调制作用,有效改善了势垒层材料质量和表面形貌,提升了异质结料的电学特性,室温下电子迁移率达到1 620cm^2/(V·s),方块电阻217.2Ω/。

关键词：金属有机物化学气相沉积 InAlGaN 异质结迁移率

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一种二阶互补滤波与卡尔曼滤波的姿态解算方法设计

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电子工艺技术 2018年第3期39卷 168-170,178页

作者：黄镇张浩磊刘梅朱健南京电子器件研究所江苏南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

AHRS系统中通常采用针对MEMS加速度计与磁强计融合姿态角和陀螺仪输出数据进行Kalman滤波的方法,但是这种方法中MEMS加速度计与磁强计基于MARG方法融合要求载体处于静态状态,否则会出现线加速度带来误差。提出一种互补滤波与卡尔曼滤波... 详细信息

AHRS系统中通常采用针对MEMS加速度计与磁强计融合姿态角和陀螺仪输出数据进行Kalman滤波的方法,但是这种方法中MEMS加速度计与磁强计基于MARG方法融合要求载体处于静态状态,否则会出现线加速度带来误差。提出一种互补滤波与卡尔曼滤波结合的方法对航姿参考系统进行姿态解算,用自制AHRS硬件平台进行静态与动态测试。实验表明:这种方法在静态条件下可有效抑制漂移噪声,在动态条件下可提高姿态角解算精度。

关键词：卡尔曼滤波二阶互补滤波姿态估计航姿参考系统

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基于70nm GaAs MHEMT工艺的W波段低噪声放大器

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固体电子学研究与进展 2017年第2期37卷 94-98页

作者：吴少兵王维波郭方金高建峰黄念宁南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了一种采用电子束直写70nm"Y"型栅工艺制备的GaAs MHEMT器件及W波段低噪声放大器。器件的最大跨导可达到1 050mS/mm,最大电流密度可达650mA/mm。通过小信号S参数测试,可外推其电流增益截至频率fT及最大振荡频率fmax分别达... 详细信息

报道了一种采用电子束直写70nm"Y"型栅工艺制备的GaAs MHEMT器件及W波段低噪声放大器。器件的最大跨导可达到1 050mS/mm,最大电流密度可达650mA/mm。通过小信号S参数测试,可外推其电流增益截至频率fT及最大振荡频率fmax分别达350GHz及470GHz。采用该工艺制备的W波段低噪声放大器,在86~96GHz频段可实现噪声系数小于3dB,增益大于20dB。

关键词：电子束直写 W波段低噪声放大器

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C波段高效率GaN HEMT功率放大器

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固体电子学研究与进展 2017年第6期37卷 379-383页

作者：孙嘉庆郑惟彬钱峰南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

通过负载牵引测试验证了源端二次谐波对器件效率的影响,同时又进一步验证了输出谐波匹配对放大器的作用。基于此结果,研制了两款采用0.25μm工艺的GaN功率MMIC 4.0~5.6GHz高效率放大器芯片,芯片采用二级放大的结构。第一款输出级只考虑... 详细信息

通过负载牵引测试验证了源端二次谐波对器件效率的影响,同时又进一步验证了输出谐波匹配对放大器的作用。基于此结果,研制了两款采用0.25μm工艺的GaN功率MMIC 4.0~5.6GHz高效率放大器芯片,芯片采用二级放大的结构。第一款输出级只考虑基波的匹配;第二款输出级匹配电路兼顾二次和三次谐波进行匹配。两款的末前级均考虑二次谐波的匹配,同时级间优化推动比,进一步提高效率。输入级和级间匹配电路采用有耗匹配,提高稳定性。芯片在4.0~5.6 GHz范围内漏压28 V,脉宽100μs,占空比10%条件下输出功率41dBm,功率增益20~21dB,功率附加效率分别在48%和45%以上。芯片面积3.9mm×3.3mm。

关键词：功率放大器谐波匹配 C波段源/负载牵引高效率

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Ku波段20W GaN功率MMIC

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固体电子学研究与进展 2017年第2期37卷 77-80,98页

作者：徐波余旭明叶川陶洪琪南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了一款采用三级放大结构的Ku波段高效率GaN功率放大器芯片。放大器设计中通过电路布局优化改善功放芯片内部相位一致性,提高末级晶胞的合成效率,最终实现整个放大器功率及效率的提升。经匹配优化后放大器在14.6~17.0GHz频带内脉冲... 详细信息

报道了一款采用三级放大结构的Ku波段高效率GaN功率放大器芯片。放大器设计中通过电路布局优化改善功放芯片内部相位一致性,提高末级晶胞的合成效率,最终实现整个放大器功率及效率的提升。经匹配优化后放大器在14.6~17.0GHz频带内脉冲输出功率大于20 W,功率附加效率大于36%,最高39%。功率放大器芯片采用0.25μm GaN HEMT 101.6mm(4英寸)圆片工艺制造,芯片尺寸为2.3mm×1.9mm。

关键词： AlGaN/GaN GaN功率放大器 Ku波段微波单片集成电路

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X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器

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固体电子学研究与进展 2017年第2期37卷 99-102,139页

作者：彭龙新李真徐波凌志健李光超彭劲松微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限... 详细信息

在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限幅器插入损耗约0.65dB,输入输出驻波≤1.5;当限幅器输入脉冲功率(9.5GHz,脉宽8ms、占空比40%)达50dBm(100 W)时,保持壳温120℃,输出漏功率最大18dBm,持续时间20min后,未见损坏。

关键词：微波单片集成电路 GaAs PIN 大功率限幅器

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