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检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
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排序:
基于AHRS的改进自适应互补滤波算法研究
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固体电子研究与进展 2018年 第2期38卷 141-145页
作者: 张浩磊 朱健 黄镇 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
针对基于MEMS传感器的航姿参考系统精度不高、数据易漂移导致测量无人载体航姿数据不准确的问题,设计了基于四元数与自适应互补滤波相结合的改进自适应互补滤波算法。通过对MEMS加速度计与磁强计输出数据、MEMS陀螺仪的积分数据进行补... 详细信息
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3C-SiC悬臂结构干法刻蚀研究
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固体电子研究与进展 2015年 第1期35卷 100-103页
作者: 焦宗磊 朱健 王守旭 姜国庆 李赟 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
基于感应离子耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,采用SF6和O2作为刻蚀气体,以金属铝和SiO2作为刻蚀掩膜,系统地研究了3C-SiC悬臂结构的加工方法以及掩膜材料对刻蚀悬臂结构的影响。首先采用SF6和O2作为刻蚀气体刻蚀出SiC结构,其次采用SF6气体... 详细信息
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新型三维立体集成接收模块设计与实现
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固体电子研究与进展 2016年 第1期36卷 25-29页
作者: 周骏 沈亚 顾江川 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
讨论了不同种三维集成技术设计方法,利用LGA结构方式设计上下基板间垂直互连,通过垂直过孔与地平面之间寄生参数的优化,达到高频宽带匹配。设计两通道X波段接收模块,将上述垂直互连结构运用到该模块结构设计中,减小模块体积。该接收模... 详细信息
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4位毫米波MEMS移相器
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固体电子研究与进展 2013年 第6期33卷 528-532页
作者: 郁元卫 姜理利 朱健 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
报道了一款开关线型Ka波段MEMS移相器,采用了16只悬臂梁结构MEMS开关,实现了4位相移。采用阶梯阻抗共面波导(CPW)传输线设计,实现了一种新型而紧凑的移相器阻抗匹配的结构。采用RF MEMS低温表面牺牲层工艺,在高阻硅片上实现了单片4位MEM... 详细信息
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Ku波段20W GaN功率MMIC
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固体电子研究与进展 2017年 第2期37卷 77-80,98页
作者: 徐波 余旭明 叶川 陶洪琪 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了一款采用三级放大结构的Ku波段高效率GaN功率放大器芯片。放大器设计中通过电路布局优化改善功放芯片内部相位一致性,提高末级晶胞的合成效率,最终实现整个放大器功率及效率的提升。经匹配优化后放大器在14.6~17.0GHz频带内脉冲... 详细信息
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GaAs/Si晶圆片键合偏差及影响因素研究
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固体电子研究与进展 2021年 第1期41卷 10-13,40页
作者: 郭怀新 戴家赟 潘斌 周书同 孔月婵 陈堂胜 朱健 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
针对化合物半导体与Si基晶圆异质集成中的热失配问题,利用有限元分析方法开展GaAs半导体与Si晶片键合匹配偏差及影响因素研究,建立了101.6 mm(4英寸)GaAs/Si晶圆片键合匹配偏差评估的三维仿真模型,研究了不同键合结构和工艺对GaAs/Si晶... 详细信息
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毫米波MEMS移相器模块用驱动电路研究
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固体电子研究与进展 2019年 第1期39卷 23-27页
作者: 黄镇 朱健 郁元卫 姜理利 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
设计了一种4 bit毫米波MEMS移相器驱动电路,主要由24 bit串并转换电路、高压控制电路和升压电路组成。利用24 bit串并转换电路和高压控制电路,实现了波控机控制系统与MEMS移相器的接口转换,满足毫米波MEMS移相器对正反相驱动电压的要... 详细信息
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倒扣焊安装的微机械毫米波介质集成波导滤波器
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固体电子研究与进展 2016年 第4期36卷 284-288页
作者: 侯芳 朱健 郁元卫 贾世星 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
为了解决毫米波段滤波器因倒扣焊安装引起的性能恶化问题,本文基于MEMS技术提出了联合仿真设计方法,将MEMS介质集成波导滤波器芯片与罗杰斯介质板利用三维高频仿真软件HFSS进行共同建模设计,充分考虑两者互连时易产生的问题,完成了芯片... 详细信息
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Ka波段GaN单片低噪声放大器研制
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固体电子研究与进展 2018年 第2期38卷 81-84,94页
作者: 吴少兵 李建平 李忠辉 高建峰 黄念宁 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了Ka波段GaN自偏压低噪声三级放大电路的研制结果。在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长100nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.55A/mm,最大跨导为490mS/mm;小信号测试外推其f... 详细信息
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多种添加剂及电流密度对高径深TSV电镀影响研究
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固体电子研究与进展 2021年 第3期41卷 166-170页
作者: 李杰 王雷 姜理利 黄旼 郁元卫 张洪泽 陈聪 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
硅通孔(TSV)填充工艺是三维集成关键技术之一。通过分析对比TSV电镀填充药水光亮剂、整平剂的浓度以及电流密度等对于TSV电镀填充效果的影响,发现在光亮剂浓度10 ml/L、整平剂浓度30 ml/L条件下,填充效果呈底部生长且形貌较好;同时发现... 详细信息
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