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语言

  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是121-130 订阅
排序:
SiN钝化层对GaAs pHEMT低噪声放大器芯片耐氢效应能力的影响
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固体电子研究与进展 2018年 第5期38卷 329-332,342页
作者: 贾东铭 张磊 彭龙新 林罡 邹雷 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
对两种不同钝化层状态的LNA芯片在不同氢气浓度下进行150℃、105h加速寿命试验。漏极电流监控曲线表明,加厚SiN钝化层器件在20%氢气浓度试验后仅下降约0.8%,试验前后电性能基本不变。通过加厚SiN钝化层有效提升了GaAs pHEMT低噪声放大... 详细信息
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星载高可靠性Ku波段GaN功率放大器芯片
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固体电子研究与进展 2023年 第1期43卷 16-20页
作者: 肖玮 金辉 余旭明 陶洪琪 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
基于星载高可靠性的应用背景,采用0.20μm GaN HEMT工艺研制了一款12 V工作电压的Ku频段功率放大器芯片。利用电热结合的分析方法,确定了管芯结构及工作电压。基于Load-pull测试获得GaN HEMT管芯的最佳输出功率和最佳效率阻抗,设计了一... 详细信息
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基于50 nm AlN/GaN异质结的G波段放大器
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固体电子研究与进展 2019年 第3期39卷 155-158,193页
作者: 张政 焦芳 吴少兵 张凯 李忠辉 陆海燕 陈堂胜 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了基于50nm栅工艺的AlN/GaN异质结的G波段器件结果。在AlN/GaNHEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长50nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大漏电流为2.1A/mm,最大跨导为700mS/mm;小信号测试外推其电流增益截止频率... 详细信息
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GaN HFET中的实时能带和电流崩塌(续)
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固体电子研究与进展 2019年 第6期39卷 391-399页
作者: 薛舫时 杨乃彬 郁鑫鑫 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此出各种实时能带下的局域电子气密度和... 详细信息
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低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善
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人工晶体学报 2013年 第7期42卷 1406-1409页
作者: 张东国 李忠辉 彭大青 董逊 李亮 倪金玉 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发... 详细信息
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一种Ku波段硅基MEMS隔离器设计
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固体电子研究与进展 2019年 第5期39卷 381-385页
作者: 陶子文 孙俊峰 朱健 郁元卫 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
设计了一种Ku波段MEMS隔离器。该隔离器的微波铁氧体嵌入放置在MEMS工艺制作的硅腔体内,内导体和负载电阻以及接地孔采用MEMS工艺制作在高阻硅片上,最后利用集成封装技术实现铁氧体、磁钢、硅芯片等单元的有机结合,形成整体结构。该结... 详细信息
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Ku波段GaN MMIC高线性功率放大器设计
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固体电子研究与进展 2018年 第2期38卷 85-89页
作者: 赵映红 钱峰 郑惟彬 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
设计了一款Ku波段工作频率为13.0~15.5GHz的GaN MMIC高线性功率放大器,采用0.25μm GaN HEMT工艺,电路采用两级放大器的结构。通过两种不同的末级匹配网络的设计,对比分析匹配网络的设计对功率放大器效率与线性度的影响。一种是匹配到... 详细信息
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GaN HEMT微波功率管直流和射频加速寿命试验
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固体电子研究与进展 2015年 第3期35卷 217-220 252,252页
作者: 杨洋 徐波 贾东铭 蒋浩 姚实 陈堂胜 钱峰 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
分别选用电子器件研究所研制的1.25mm栅宽GaN HEMT和12mm栅宽GaN功率管,对小栅宽器件进行三温直流加速寿命试验,评估其直流工作可靠性,试验结果表明该器件在125℃沟道温度条件下工作的失效率为1.86×10-9/h;对大栅宽器件进行脉... 详细信息
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基于FBAR技术的S波段低插损滤波器
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固体电子研究与进展 2019年 第4期39卷 297-300,305页
作者: 赵洪元 夏燕 王亚宁 朱健 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
研制了基于薄膜体声波技术的S波段低插损带通滤波器。该滤波器芯片典型测试性能为,相对带宽1.3%,插损优于2dB、回波损耗优于-12dB、带外抑制40dB、温漂系数-11×10^-6/℃。该滤波器芯片采用薄膜体声波谐振器(FBAR)作为基本构成单元... 详细信息
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毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器
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固体电子研究与进展 2019年 第3期39卷 169-173页
作者: 贾晨阳 彭龙新 刘昊 凌志健 李建平 韩方彬 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
设计了一款毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器。限幅器采用两级反向并联二极管结构,通过优化限幅器匹配电路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅电路的插损。低噪声放大器为四级级联设计,输入端采用最小噪声匹配,偏置电路增加RC串联谐振电路... 详细信息
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