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作者

  • 60 篇 陈堂胜
  • 53 篇 李忠辉
  • 45 篇 孔月婵
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  • 30 篇 程伟
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 张有涛
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  • 18 篇 孔岑
  • 16 篇 李亮
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 郁元卫
  • 14 篇 罗伟科
  • 13 篇 牛斌

语言

  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是121-130 订阅
排序:
基于InP HBT工艺的12位8GSps超高速数模转换器设计
收藏 引用
电子元件与材料 2018年 第1期37卷 77-83页
作者: 叶庆国 张有涛 李晓鹏 张翼 南京电子器件研究所 江苏南京210016 南京国博电子有限公司 江苏南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 南京邮电大学电子科学与工程学院 江苏南京210046 东南大学毫米波国家重点实验室 江苏南京210096
设计了一种基于0.7μm的In P HBT工艺设计的12位8GSps的电流舵型数模转换器(DAC)。采用双采样技术,将输出采样率提高为时钟频率的两倍。并且将双采样开关与电流开关分离以减小码间串扰。借鉴常开电流源法改进了电流源开关结构。新的结... 详细信息
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InP太赫兹功率放大器芯片
收藏 引用
固体电子研究与进展 2018年 第6期38卷 F0003-F0003页
作者: 孙岩 程伟 陆海燕 王元 王宇轩 孔月婵 陈堂胜 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
太赫兹技术,作为改变未来世界的十大技术之一,具有非常大的技术潜力和应用前景。电子 器件研究所基于0.5μm InP DHBT工艺,研制出300GHz太赫兹功率放大器芯片。工作频率:282-315 GHz,小信号增益>15dB,293GHz时输出功率达到5 dBm... 详细信息
来源: 评论
220 GHz InP DHBT单片集成功率放大器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2018年 第5期38卷 F0003-F0003页
作者: 孙岩 程伟 陆海燕 王元 王宇轩 孔月婵 陈堂胜 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
电子器件研究所开发了0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,击穿电压大干4V。基于该工艺,研制出220 GHz单片集成功率放大器,饱和输出功率20mW,功率增益大1:10dB。图1和图2分别展示了220 GHz功放的实物图和测试... 详细信息
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InP HBT/Si CMOS 13 GSps 1:16异构集成量化降速芯片
收藏 引用
固体电子研究与进展 2018年 第1期38卷 F0003-F0003页
作者: 吴立枢 程伟 张有涛 王元 李晓鹏 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
电子器件研究所通过外延层转移的方法在国内首次实现了InPHBT与Si MOSFET两种晶体管的单片异构集成,突破了InP HBT外延层转移、三维高密度异构互联、异构集成电路设计等关键技术,研制出13GSps 1:16异构集成量化降速芯片,如图1... 详细信息
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基于GaN功率器件的热仿真技术研究
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固体电子研究与进展 2017年 第3期37卷 176-181页
作者: 郭怀新 韩平 陈堂胜 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016 固体微结构物理国家实验室 南京大学南京210093
针对大功率器件散热瓶颈问题,基于GaN功率芯片,利用有限元分析方法开展了芯片近结区热特性模拟方法的研究。建立了芯片近结区散热能力仿真评估的三维理论模型,系统地研究了不同的初始条件、边界条件、晶格热效应及结构理论假设等因素对... 详细信息
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基站应用高线性高效率50 V GaN HEMT
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固体电子研究与进展 2017年 第3期37卷 155-158页
作者: 陈韬 陈志勇 蒋浩 魏星 杨兴 陈新宇 李忠辉 陈堂胜 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016 中电科技德清华莹电子有限公司 浙江德清313200 南京国博电子有限公司 南京211153
报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降低了峰值电场,提高器件击穿电压30%以上。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,工艺采用0.5μm栅长,工作电压5... 详细信息
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一种MEMS开关驱动电路的设计
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电子器件 2017年 第2期40卷 361-365页
作者: 孙俊峰 朱健 李智群 郁元卫 钱可强 南京电子器件研究所 南京210016 东南大学射频与光电集成电路研究所 南京210096 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 东南大学集成电路学院 南京210096
静电驱动MEMS开关可靠工作需要较高的驱动电压,大多数射频前端系统很难直接提供,因此需要一种实现电压转换和控制的专用芯片,以满足MEMS开关的实用化需要。基于200 V SOI CMOS工艺设计的高升压倍数MEMS开关驱动电路,采用低击穿电压的Coc... 详细信息
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用于超高速数字集成电路的0.5um InP/InGaAs双异质结晶体管
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红外与毫米波学报 2016年 第3期35卷 263-266页
作者: 牛斌 程伟 张有涛 王元 陆海燕 常龙 谢俊领 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
报道了用于超高速数字集成电路的0.5μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的影响,其中Ccb/Ic达到0.4 ps/V,揭示其静态分频器具有工作在150 ... 详细信息
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5G通信用MEMS表贴滤波器
5G通信用MEMS表贴滤波器
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2017年全国微波毫米波会议
作者: 侯芳 吴昊 王文岩 郁元卫 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
MEMS技术因工艺精度高、设计灵活,是未来5G基站用关键器件技术。本文介绍了MEMS滤波器在5G基站中的应用前景,针对5G重点候选频段,研制了一款小型化MEMS表贴滤波器,装配测试结果表明:该滤波器通带为27.6-29.1GHz,反射损耗优于12d B,通带... 详细信息
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小型化MEMS高通滤波器研究
收藏 引用
自动化与仪器仪表 2017年 第8期 63-65页
作者: 朱锋 陶子文 郁元卫 朱健 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层硅衬底上进行了样品... 详细信息
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