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  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 郁元卫
  • 14 篇 罗伟科
  • 13 篇 牛斌

语言

  • 266 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
266 条 记 录,以下是131-140 订阅
排序:
小型化MEMS高通滤波器研究
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自动化与仪器仪表 2017年 第8期 63-65页
作者: 朱锋 陶子文 郁元卫 朱健 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层硅衬底上进行了样品... 详细信息
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GaN HFET中的亚阈值电流和穿通
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固体电子研究与进展 2016年 第5期36卷 347-359页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
通过自洽解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏间隙中的强场峰两侧的异质结能带产生巨大畸变,使部分二维电子气不能通过强场峰而形成局域电子气。从电子气补偿效应出发研究了外沟道夹断前后的沟道电阻变化。研究了从外沟道渗透到内沟... 详细信息
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Q波段2W平衡式GaAs pHEMT功率MMIC
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固体电子研究与进展 2016年 第4期36卷 293-297页
作者: 陶洪琪 张斌 周强 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
报道了一款采用0.15μm GaAs功率MMIC工艺研制的Q波段平衡式功率放大器芯片。芯片采用Lange耦合器进行功率合成。在该平台工艺规则限制条件下,按照传统设计方法设计的Lange耦合器无法满足平衡式放大器设计需。文中提出了解决方法,对La... 详细信息
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V/Ⅲ比对Si基AlN薄膜结构特性的影响
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固体电子研究与进展 2016年 第3期36卷 249-252 256页
作者: 杨乾坤 潘磊 李忠辉 董逊 张东国 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
采用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了200nm厚的AlN薄膜,研究了V/III比对AlN薄膜晶体质量及表面六角缺陷的影响。结果表明,当V/III比为2 400时,得到的样品表面最平整,晶体质量最好,表面粗糙度为1.32nm,(002)半峰宽... 详细信息
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X波段60W高效率GaN HEMT功率MMIC
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固体电子研究与进展 2016年 第4期36卷 270-273页
作者: 陶洪琪 张斌 余旭明 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
研制了一款采用0.25μm GaN功率MMIC工艺研制的X波段高效率功率放大器芯片。芯片采用三级放大拓扑结构设计。末级匹配电路采用电抗匹配方式兼顾输出功率和效率,同时优化驱动级和末级管芯栅宽比以及级间匹配电路,降低驱动级管芯电流。通... 详细信息
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SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管热稳定性的影响
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固体电子研究与进展 2016年 第5期36卷 424-428页
作者: 谢俊领 程伟 王元 常龙 牛斌 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了热应力下InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)的可靠性。对钝化与未钝化器件进行了应力温度为250℃、应力时间达到1 000h的存储加速寿命试验。从Gummel曲线可以发现,未钝化器件的电流增益在48h应力时间时降低了18.3%,而钝化器件... 详细信息
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金刚石衬底GaN HEMT研究进展
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固体电子研究与进展 2016年 第5期36卷 360-364页
作者: 陈堂胜 孔月婵 吴立枢 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
SiC衬底GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)综合了AlGaN/GaN异质结优异的输运特性与SiC衬底高导热性能,在高频、宽带、高效、大功率应用领域表现出显著的性能优势。但GaN外延材料中存在高密度的缺陷,影响了导电沟道的散热,散热问题成为影响GaN... 详细信息
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GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成研究
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固体电子研究与进展 2016年 第5期36卷 377-381页
作者: 吴立枢 赵岩 沈宏昌 张有涛 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
基于圆片级外延层转移技术,将完成GaAs pHEMT有源器件加工的外延层从原有衬底上完整地剥离下来并转移到完成工艺加工的Si CMOS圆片上,基于开发的异类器件互联以及异类器件单片集成电路设计等一系列关键技术,进行了GaAs pHEMT与Si CMOS... 详细信息
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小型化MEMS高通滤波器研究
小型化MEMS高通滤波器研究
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2017年西三省一市(贵州、重庆、四川、云)自动化与仪器仪表学术年会
作者: 朱锋 陶子文 郁元卫 朱健 南京电子器件研究所 南京 210016 南京电子器件研究所 南京 210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京 210016
介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层硅衬底上进行了样品... 详细信息
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新型三维立体集成接收模块设计与实现
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固体电子研究与进展 2016年 第1期36卷 25-29页
作者: 周骏 沈亚 顾江川 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
讨论了不同种三维集成技术设计方法,利用LGA结构方式设计上下基板间垂直互连,通过垂直过孔与地平面之间寄生参数的优化,达到高频宽带匹配。设计两通道X波段接收模块,将上述垂直互连结构运用到该模块结构设计中,减小模块体积。该接收模... 详细信息
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