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作者

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  • 31 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 28 篇 陆海燕
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  • 16 篇 倪金玉
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  • 14 篇 罗伟科
  • 13 篇 牛斌

语言

  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是131-140 订阅
排序:
X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器
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固体电子研究与进展 2017年 第2期37卷 99-102,139页
作者: 彭龙新 李真 徐波 凌志健 李光超 彭劲松 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限... 详细信息
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基于功率合成技术的75~115GHz六倍频源
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电子学报 2015年 第9期43卷 1864-1869页
作者: 姚常飞 陈振华 周明 罗运生 许从海 郁建 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部 江苏南京210016 南京信息工程大学电子与信息工程学院 江苏南京210044
本文采用混合集成技术,实现了75~115GHz的w波段六倍频功率合成信号源.其Ku波段输入信号经有源二倍频、功分及放大后,输出两路各约24dBm的Ka波段信号,以驱动75~115GHz三倍频器,变阻二极管基于电子器件研究所(NEDI)的GaAs工... 详细信息
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S波段35WGaN功率MMIC
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固体电子研究与进展 2011年 第6期31卷 532-535页
作者: 余旭明 洪伟 张斌 陈堂胜 陈辰 东南大学毫米波国家重点实验室 南京210096 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
报道了一款采用两级拓扑结构的2~4GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计。经匹配优化后放大器在2~4GHz整个频带内脉冲输出功率大于35W,小信号增益达到2... 详细信息
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深硅杯湿法腐蚀中金属保护工艺研究
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固体电子研究与进展 2016年 第6期36卷 510-513页
作者: 周峰 朱健 贾世星 焦宗磊 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
提出了一种新的采用聚酯胶膜保护金属图形的硅湿法腐蚀工艺,解决了深硅杯湿法腐蚀中金属保护难题,允许在器件完成有IC工艺后再进行深硅杯湿法腐蚀。通过工艺试验研究,增加贴膜前的预处理和贴膜后的热压等工艺,能够有效延长掩膜的保护... 详细信息
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GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带(续)
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固体电子研究与进展 2020年 第4期40卷 237-242,257页
作者: 薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,... 详细信息
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0.1~325 GHz频段InP DHBT器件在片测试结构建模
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红外与毫米波学报 2019年 第3期38卷 345-350,380页
作者: 徐忠超 刘军 钱峰 陆海燕 程伟 周文勇 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室 江苏南京210016 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 浙江杭州310017
给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋... 详细信息
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GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌(续)
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固体电子研究与进展 2022年 第4期42卷 251-257,262页
作者: 薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
考虑大沟道电流下外沟道局域电子气慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越... 详细信息
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SOI基微环滤波器的可调谐性研究
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电子技术 2019年 第1期39卷 4-9页
作者: 周奉杰 孔月婵 顾晓文 牛斌 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
研究了基于绝缘体上硅(SOI)单环以及双环谐振器直通端的滤波特性,分析了直波导-环波导光耦合系数和环间波导光耦合系数对输出特性的影响。本文提出了在谐振器耦合区采用马赫-曾德尔干涉仪(MZI)的改进耦合结构,在微环腔长1 218μm的单环... 详细信息
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内置驱动器的砷化镓高隔离开关芯片
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固体电子研究与进展 2012年 第4期32卷 365-369页
作者: 许正荣 应海涛 李娜 李小鹏 张有涛 杨磊 南京国博电子有限公司 南京210016 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点。产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/D标准工艺加工,将开关电路和驱动电路集成在一颗芯片上,并... 详细信息
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GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制(续)
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固体电子研究与进展 2021年 第6期41卷 425-431页
作者: 薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 孔月婵 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
从自洽解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果... 详细信息
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