检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2017年第2期37卷 99-102,139页

作者：彭龙新李真徐波凌志健李光超彭劲松微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限... 详细信息

在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限幅器插入损耗约0.65dB,输入输出驻波≤1.5;当限幅器输入脉冲功率(9.5GHz,脉宽8ms、占空比40%)达50dBm(100 W)时,保持壳温120℃,输出漏功率最大18dBm,持续时间20min后,未见损坏。

关键词：微波单片集成电路 GaAs PIN 大功率限幅器

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基于功率合成技术的75～115GHz六倍频源

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电子学报 2015年第9期43卷 1864-1869页

作者：姚常飞陈振华周明罗运生许从海郁建南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部江苏南京210016 南京信息工程大学电子与信息工程学院江苏南京210044

本文采用混合集成技术，实现了75～115GHz的w波段六倍频功率合成信号源．其Ku波段输入信号经有源二倍频、功分及放大后，输出两路各约24dBm的Ka波段信号，以驱动75～115GHz三倍频器，变阻二极管基于南京电子器件研究所（NEDI）的GaAs工... 详细信息

本文采用混合集成技术，实现了75～115GHz的w波段六倍频功率合成信号源．其Ku波段输入信号经有源二倍频、功分及放大后，输出两路各约24dBm的Ka波段信号，以驱动75～115GHz三倍频器，变阻二极管基于南京电子器件研究所（NEDI）的GaAs工艺线设计实现，三倍频信号经功率合成后输出．考虑到倍频二极管各种寄生参数的影响，本文采用去嵌入阻抗计算方法，提取二极管的输入阻抗及三次谐波输出阻抗，综合分析匹配电路，优化倍频器效率．在75～115GHz测得六倍频源输出功率大于8．0dBm、输出功率平坦；在112GHz测得最大输出功率为10．2dBm，合成倍频效率大于1．3％，其性能达到了国外同类产品水平，可将微波信号源扩展至75～115GHz，解决了w波段TR组件本振源及发射源的产生问题．

关键词： W波段砷化镓肖特基二极管功率合成倍频效率

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S波段35WGaN功率MMIC

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固体电子学研究与进展 2011年第6期31卷 532-535页

作者：余旭明洪伟张斌陈堂胜陈辰东南大学毫米波国家重点实验室南京210096 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了一款采用两级拓扑结构的2～4GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计。经匹配优化后放大器在2～4GHz整个频带内脉冲输出功率大于35W,小信号增益达到2... 详细信息

报道了一款采用两级拓扑结构的2～4GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计。经匹配优化后放大器在2～4GHz整个频带内脉冲输出功率大于35W,小信号增益达到22dB,在2.4GHz频点处峰值输出功率达到40W,对应的功率附加效率为35%。功率放大器芯片采用0.25μm GaN HEMT76.2mm圆片工艺制造,芯片尺寸为2.7mm×2.3mm。

关键词：铝镓氮/氮化镓氮化镓功率放大器宽带 S波段微波单片集成电路

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深硅杯湿法腐蚀中金属保护工艺研究

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固体电子学研究与进展 2016年第6期36卷 510-513页

作者：周峰朱健贾世星焦宗磊南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

提出了一种新的采用聚酯胶膜保护金属图形的硅湿法腐蚀工艺,解决了深硅杯湿法腐蚀中金属保护难题,允许在器件完成所有IC工艺后再进行深硅杯湿法腐蚀。通过工艺试验研究,增加贴膜前的预处理和贴膜后的热压等工艺,能够有效延长掩膜的保护... 详细信息

提出了一种新的采用聚酯胶膜保护金属图形的硅湿法腐蚀工艺,解决了深硅杯湿法腐蚀中金属保护难题,允许在器件完成所有IC工艺后再进行深硅杯湿法腐蚀。通过工艺试验研究,增加贴膜前的预处理和贴膜后的热压等工艺,能够有效延长掩膜的保护时间,在TMAH湿法腐蚀工艺条件下掩膜能够坚持6h,且成功实现了对硅280μm的深刻蚀。新工艺与IC工艺兼容,简单可靠,也能进行圆片级批量腐蚀。

关键词：硅湿法腐蚀掩膜金属图形

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GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带(续)

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固体电子学研究与进展 2020年第4期40卷 237-242,257页

作者：薛舫时杨乃彬陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,... 详细信息

从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,编制成计算不同应力偏置和测试偏置下亚稳态能带的计算软件。运用新编软件计算了不同能带峰和填充能级下的亚稳态能带。详细描述了偏置转换中产生的能带谷充电过程及外沟道堵塞,由此建立起应力偏置与测试偏置下动态电流间的关联。从场效应管射频工作中栅、漏电压的变化条件出发提出新的电流崩塌动态模型。运用应力偏置和测试偏置下的定态能带和亚稳态能带解释了瞬态电流谱随应力偏置和测试偏置的变化行为。最后讨论亚稳态能带在GaN HFET研究中的重要意义。

关键词：亚稳态能带电流崩塌能带峰填充能级能带谷充电应力偏置对动态电流的影响电流崩塌模型陷阱

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0.1～325 GHz频段InP DHBT器件在片测试结构建模

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红外与毫米波学报 2019年第3期38卷 345-350,380页

作者：徐忠超刘军钱峰陆海燕程伟周文勇南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室江苏南京210016 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室浙江杭州310017

给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋... 详细信息

给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋肤效应采用传统物理公式计算初值并结合短路测试结构的低频解析提取结果对计算公式进行修正使其适用于实际测试结构建模.模型拓扑结构和参数提取方法采用 0.5 μm InP DHBT 工艺上设计所得开路、短路测试结构进行验证.模型仿真和测试所得S参数在0.1~325GHz频段内吻合地很好.

关键词：在片测试结构等效电路模型参数提取太赫兹

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GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌(续)

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固体电子学研究与进展 2022年第4期42卷 251-257,262页

作者：薛舫时杨乃彬陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

考虑大沟道电流下外沟道局域电子气慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越... 详细信息

考虑大沟道电流下外沟道局域电子气慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越势垒的动态模型,解释了沟道打开过程中源电阻增大、沟道电子平均速度下降、大沟道电流下跨导下降等各类跨导崩塌行为,解释了场效应管沟道电子速度远低于异质结材料的缘由。运用沟道打开时的异质结充电和大沟道电流激励下空间电荷触发的能带峰势垒模型解释了跨导钟形曲线上升段中的电流崩塌和下降段中的跨导崩塌。深入研究了陷阱和局域电子气的相互作用,解释了可靠性加速寿命试验中的跨导曲线变化。沟道夹断的强负栅压应力产生内沟道逆压电缺陷,减弱栅电压对内沟道电子气的控制和沟道打开时跨导的上升斜率。沟道打开后的大电流应力使局域电子气与晶格碰撞产生热电子缺陷和空间电荷,抬高能带峰势垒引发外沟道堵塞,降低沟道电流,导致阈值电压正移。这一研究证明在场效应管直流和射频工作中的器件性能退化都是由陷阱同局域电子气相互作用产生的,开创了优化设计异质结能带来提高场效应管可靠性的新途径。最后讨论大沟道电流下能带峰势垒引发的外沟道堵塞和跨导崩塌在场效应管研发中的重要作用,提出了在空间电荷区上方设置专用的异质结鳍来平衡内、外沟道能带,解开场效应管中的电流崩塌、跨导崩塌、线性、器件性能退化及3 mm高频工作等难点。

关键词：跨导崩塌能带峰势垒能带畸变局域电子气陷阱和局域电子气的相互作用沟道电子的速-场特性钟形跨导曲线异质结鳍

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SOI基微环滤波器的可调谐性研究

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光电子技术 2019年第1期39卷 4-9页

作者：周奉杰孔月婵顾晓文牛斌微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

研究了基于绝缘体上硅(SOI)单环以及双环谐振器直通端的滤波特性,分析了直波导-环波导光耦合系数和环间波导光耦合系数对输出特性的影响。本文提出了在谐振器耦合区采用马赫-曾德尔干涉仪(MZI)的改进耦合结构,在微环腔长1 218μm的单环... 详细信息

研究了基于绝缘体上硅(SOI)单环以及双环谐振器直通端的滤波特性,分析了直波导-环波导光耦合系数和环间波导光耦合系数对输出特性的影响。本文提出了在谐振器耦合区采用马赫-曾德尔干涉仪(MZI)的改进耦合结构,在微环腔长1 218μm的单环和双环滤波器中,分别在19 mW和9 mW的功率范围内实现谐振器从欠耦合到临界耦合状态的调谐,在0～26 mW的功率范围内,双环滤波器实现了谐振波长一个自由谱范围(FSR)的可调谐滤波特性。

关键词：绝缘体上硅微环谐振器马赫-曾德尔干涉仪可调谐性

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内置驱动器的砷化镓高隔离开关芯片

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固体电子学研究与进展 2012年第4期32卷 365-369页

作者：许正荣应海涛李娜李小鹏张有涛杨磊南京国博电子有限公司南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点。产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/D标准工艺加工,将开关电路和驱动电路集成在一颗芯片上,并... 详细信息

采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点。产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/D标准工艺加工,将开关电路和驱动电路集成在一颗芯片上,并做了相应的静电防护设计。测试结果表明,在0.01～5.0GHz带内,插入损耗≤1.2dB@3GHz、≤1.6dB@5GHz,带内输入输出驻波比≤1.5,隔离度≥60dB@3GHz、≥52dB@5GHz,1dB压缩功率点达到了30dBm,IP3超过了+52dBm。

关键词：砷化镓增强型耗尽型射频开关赝配高电子迁移率晶体管

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GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制(续)

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固体电子学研究与进展 2021年第6期41卷 425-431页

作者：薛舫时杨乃彬陈堂胜孔月婵南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果... 详细信息

从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果相吻合,证明求解薛定谔方程是研究异质结场效应管电荷控制的有效方法。考虑外沟道渗透到内沟道的电场梯度以后,算出了场效应管的电子气密度及量子电容。场效应管模拟算得的量子电容同实验测得的栅-源和栅-漏电容相吻合。研究了不同栅、漏电压和电场梯度渗透下的内沟道能带,发现漏电压引起的电场梯度渗透使内沟道能带下弯,导致阈值电压负移。证明阈值电压负移由外沟道渗透到内沟道的电场梯度产生,用自洽能带计算方法可算得漏电压引起的阈值电压负移。提出使用能带剪裁优化设计异质结构来抑制DIBL的新理念。同有限元变分软件的类MESFET模拟相比,新能带计算软件可以求得电荷控制中的量子行为。由此提出编制异质结场效应管模拟软件的设想。

关键词：电荷控制模型漏电压引起的势垒下降类MESFET模拟电荷控制中的量子行为量子电容三角阱近似漏电压引起的阈值电压移动漏电压引起的能带下弯

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