检索结果-内蒙古大学图书馆

自动化与仪器仪表 2017年第8期 63-65页

作者：朱锋陶子文郁元卫朱健南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层硅衬底上进行了样品... 详细信息

介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层硅衬底上进行了样品的研制。样品取得了良好的测试结果,其中通带内的插入损耗小于1.2d B,通带回波损耗小于10.9d B。

关键词：高通滤波器立体布线 MEMS

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GaN HFET中的亚阈值电流和穿通

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固体电子学研究与进展 2016年第5期36卷 347-359页

作者：薛舫时南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏间隙中的强场峰两侧的异质结能带产生巨大畸变,使部分二维电子气不能通过强场峰而形成局域电子气。从电子气补偿效应出发研究了外沟道夹断前后的沟道电阻变化。研究了从外沟道渗透到内沟... 详细信息

通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏间隙中的强场峰两侧的异质结能带产生巨大畸变,使部分二维电子气不能通过强场峰而形成局域电子气。从电子气补偿效应出发研究了外沟道夹断前后的沟道电阻变化。研究了从外沟道渗透到内沟道的电场梯度和缓冲层沟道阱,发现了新的电场梯度引起的能带下弯(Electric field gradient induced band bowing,EFGIBB)效应。从漏电压引起的电势下降(Drain-induced barrier lowering,DIBL)和EFGIBB两效应出发建立起新的穿通阱模型,由此解释了实验中观察到的各类阈值电压负移、亚阈值电流和穿通等沟道夹断以后的行为,发现了由强负栅压引起的新穿通现象。最后讨论了新穿通行为对器件性能的影响,探索优化设计器件结构,改善器件性能的新途径。

关键词：能带畸变外沟道电阻漏电压引起的电势下降电场梯度引起的能带下弯亚阈值电流强负栅压引起的穿通穿通阱

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Q波段2W平衡式GaAs pHEMT功率MMIC

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固体电子学研究与进展 2016年第4期36卷 293-297页

作者：陶洪琪张斌周强微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

报道了一款采用0.15μm GaAs功率MMIC工艺研制的Q波段平衡式功率放大器芯片。芯片采用Lange耦合器进行功率合成。在该平台工艺规则限制条件下,按照传统设计方法设计的Lange耦合器无法满足平衡式放大器设计需求。文中提出了解决方法,对La... 详细信息

报道了一款采用0.15μm GaAs功率MMIC工艺研制的Q波段平衡式功率放大器芯片。芯片采用Lange耦合器进行功率合成。在该平台工艺规则限制条件下,按照传统设计方法设计的Lange耦合器无法满足平衡式放大器设计需求。文中提出了解决方法,对Lange耦合器的端接阻抗进行优化,使得设计的Lange耦合器物理尺寸符合工艺规则要求。放大器采用三级放大拓扑结构,同时综合应用三维和平面场仿真技术,提高电路仿真精度。芯片在43~46GHz频带范围内、6V偏置、连续波工作条件下,饱和输出功率大于33dBm,效率大于15%,功率增益大于14dB,线性增益为16dB,线性增益平坦度小于±0.8dB,芯片面积3.9mm×4.8mm。

关键词： GaAs 功率放大器 Q波段平衡式兰格耦合器

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V/Ⅲ比对Si基AlN薄膜结构特性的影响

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固体电子学研究与进展 2016年第3期36卷 249-252 256页

作者：杨乾坤潘磊李忠辉董逊张东国微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

采用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了200nm厚的AlN薄膜,研究了V/III比对AlN薄膜晶体质量及表面六角缺陷的影响。结果表明,当V/III比为2 400时,得到的样品表面最平整,晶体质量最好,表面粗糙度为1.32nm,(002)半峰宽... 详细信息

采用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了200nm厚的AlN薄膜,研究了V/III比对AlN薄膜晶体质量及表面六角缺陷的影响。结果表明,当V/III比为2 400时,得到的样品表面最平整,晶体质量最好,表面粗糙度为1.32nm,(002)半峰宽为0.615°,(102)半峰宽为0.689°。通过扫描电子显微镜(SEM)观察样品表面,发现当V/III比过高或者过低时,AlN薄膜的表面都会变得粗糙,六角形缺陷也会增多,合适的V/III比有助于抑制表面六角缺陷的产生。

关键词：硅基氮化铝 V/Ⅲ比六角缺陷

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X波段60W高效率GaN HEMT功率MMIC

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固体电子学研究与进展 2016年第4期36卷 270-273页

作者：陶洪琪张斌余旭明微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

研制了一款采用0.25μm GaN功率MMIC工艺研制的X波段高效率功率放大器芯片。芯片采用三级放大拓扑结构设计。末级匹配电路采用电抗匹配方式兼顾输出功率和效率,同时优化驱动级和末级管芯栅宽比以及级间匹配电路,降低驱动级管芯电流。通... 详细信息

研制了一款采用0.25μm GaN功率MMIC工艺研制的X波段高效率功率放大器芯片。芯片采用三级放大拓扑结构设计。末级匹配电路采用电抗匹配方式兼顾输出功率和效率,同时优化驱动级和末级管芯栅宽比以及级间匹配电路,降低驱动级管芯电流。通过这两种技术途径有效提高芯片的功率附加效率。输入级和级间匹配电路采用有耗匹配方式,扩展工作带宽以及提高稳定性。芯片在8~12GHz频带范围内漏压28V,脉宽100μS,占空比10%工作条件下输出功率达到47.5~48.7dBm,功率增益大于20dB,功率附加效率40%~45%。芯片面积3.5mm×3.8mm,单位面积功率密度为5.57 W/mm2,连续波条件下热阻为1.7K/W。

关键词： GaN功率放大器 X波段高效率

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SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管热稳定性的影响

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固体电子学研究与进展 2016年第5期36卷 424-428页

作者：谢俊领程伟王元常龙牛斌陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了热应力下InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)的可靠性。对钝化与未钝化器件进行了应力温度为250℃、应力时间达到1 000h的存储加速寿命试验。从Gummel曲线可以发现,未钝化器件的电流增益在48h应力时间时降低了18.3%,而钝化器件... 详细信息

报道了热应力下InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)的可靠性。对钝化与未钝化器件进行了应力温度为250℃、应力时间达到1 000h的存储加速寿命试验。从Gummel曲线可以发现,未钝化器件的电流增益在48h应力时间时降低了18.3%,而钝化器件在1 000h应力时间时仅下降了1.6%,说明基于SiN介质薄膜的表面钝化工艺有效提高了InP HBT的可靠性,这对于InP基器件和电路的实际应用具有重要意义。

关键词：可靠性热应力存储加速寿命试验磷化铟双异质结双极性晶体管

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金刚石衬底GaN HEMT研究进展

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固体电子学研究与进展 2016年第5期36卷 360-364页

作者：陈堂胜孔月婵吴立枢南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

SiC衬底GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)综合了AlGaN/GaN异质结优异的输运特性与SiC衬底高导热性能,在高频、宽带、高效、大功率应用领域表现出显著的性能优势。但GaN外延材料中存在高密度的缺陷,影响了导电沟道的散热,散热问题成为影响GaN... 详细信息

SiC衬底GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)综合了AlGaN/GaN异质结优异的输运特性与SiC衬底高导热性能,在高频、宽带、高效、大功率应用领域表现出显著的性能优势。但GaN外延材料中存在高密度的缺陷,影响了导电沟道的散热,散热问题成为影响GaN HEMT性能进一步发挥的主要障碍。本文分析了GaN外延材料高缺陷密度形成的原因,介绍了近年来国外正在开展的基于转移技术金刚石衬底GaN HEMT技术,解决GaN HEMT散热问题的研究进展。研究结果表明,基于转移技术的金刚石衬底GaN HEMT有望成为继SiC衬底GaN HEMT之后的下一代固态微波功率器件主导型器件技术。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管金刚石转移技术

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GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成的研究

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固体电子学研究与进展 2016年第5期36卷 377-381页

作者：吴立枢赵岩沈宏昌张有涛陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

基于圆片级外延层转移技术,将完成GaAs pHEMT有源器件加工的外延层从原有衬底上完整地剥离下来并转移到完成工艺加工的Si CMOS圆片上,基于开发的异类器件互联以及异类器件单片集成电路设计等一系列关键技术,进行了GaAs pHEMT与Si CMOS... 详细信息

基于圆片级外延层转移技术,将完成GaAs pHEMT有源器件加工的外延层从原有衬底上完整地剥离下来并转移到完成工艺加工的Si CMOS圆片上,基于开发的异类器件互联以及异类器件单片集成电路设计等一系列关键技术,进行了GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成单片电路的工艺加工。研制的GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成单片数字控制开关电路与传统的GaAs pHEMT单片电路相比,芯片面积减小15%。

关键词：转移键合 GaAs赝配高电子迁移率晶体管 Si互补金属氧化物半导体异质互联

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小型化MEMS高通滤波器研究

小型化MEMS高通滤波器研究

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2017年西南三省一市(贵州、重庆、四川、云南)自动化与仪器仪表学术年会

作者：朱锋陶子文郁元卫朱健南京电子器件研究所南京 210016 南京电子器件研究所南京 210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京 210016

介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层硅衬底上进行了样品的研制.样品取得了良好的测试结果,其中通带内的插入损耗小于1.2dB,通带回波损耗小于10.9dB.

关键词：高通滤波器小型化设计立体布线通孔方式

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新型三维立体集成接收模块设计与实现

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固体电子学研究与进展 2016年第1期36卷 25-29页

作者：周骏沈亚顾江川微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

讨论了不同种三维集成技术设计方法,利用LGA结构方式设计上下基板间垂直互连,通过垂直过孔与地平面之间寄生参数的优化,达到高频宽带匹配。设计两通道X波段接收模块,将上述垂直互连结构运用到该模块结构设计中,减小模块体积。该接收模... 详细信息

讨论了不同种三维集成技术设计方法,利用LGA结构方式设计上下基板间垂直互连,通过垂直过孔与地平面之间寄生参数的优化,达到高频宽带匹配。设计两通道X波段接收模块,将上述垂直互连结构运用到该模块结构设计中,减小模块体积。该接收模块接收增益大于31dB,噪声系数小于3.5dB,移相精度小于4°,体积仅为24mm×15mm×8mm,封装效率达到100%。

关键词：垂直互联三维立体集成接收模块

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