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作者

  • 60 篇 陈堂胜
  • 53 篇 李忠辉
  • 45 篇 孔月婵
  • 31 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 张有涛
  • 27 篇 董逊
  • 24 篇 张东国
  • 24 篇 朱健
  • 23 篇 彭大青
  • 22 篇 薛舫时
  • 22 篇 陶洪琪
  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 16 篇 李亮
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 郁元卫
  • 14 篇 罗伟科
  • 13 篇 牛斌

语言

  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是141-150 订阅
排序:
300GHz InP DHBT单片集成放大器
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固体电子研究与进展 2017年 第4期37卷 F0003-F0003页
作者: 孙岩 程伟 陆海燕 王元 常龙 孔月婵 陈堂胜 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
太赫兹技术在成像雷达以及宽带通信等领域具有广阔应用前景。太赫兹功率放大器是太赫兹系统的核心单元。磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压(相对Si/SiGe而言),适合于太赫兹功率放大器... 详细信息
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深硅杯湿法腐蚀中金属保护工艺研究
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固体电子研究与进展 2016年 第6期36卷 510-513页
作者: 周峰 朱健 贾世星 焦宗磊 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
提出了一种新的采用聚酯胶膜保护金属图形的硅湿法腐蚀工艺,解决了深硅杯湿法腐蚀中金属保护难题,允许在器件完成有IC工艺后再进行深硅杯湿法腐蚀。通过工艺试验研究,增加贴膜前的预处理和贴膜后的热压等工艺,能够有效延长掩膜的保护... 详细信息
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X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器
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固体电子研究与进展 2017年 第1期37卷 F0003-F0003页
作者: 彭龙新 李真 徐波 凌志健 李光超 彭劲松 微波毫米波单片集成和模块电路国家重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
功率GaAsPIN限幅器已广泛地应用于微波系统中,以保护接收支路中的低噪声放大器。电子器件研究所研制出x波段100WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据大功率要,优化了GaAsPIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过... 详细信息
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金刚石微波功率场效应晶体管
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固体电子研究与进展 2017年 第6期37卷 F0003-F0003页
作者: 郁鑫鑫 周建军 齐成军 曹正义 孔月婵 陈堂胜 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016 天津电子材料研究所 天津300220
金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性,在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值,金刚石材料已经... 详细信息
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16 Gb/s GaN数模转换器芯片
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固体电子研究与进展 2017年 第2期37卷 F0003-F0003页
作者: 张有涛 孔月婵 张敏 周建军 张凯 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016 南京国博电子有限公司南京电子器件研究所 南京210016
电子器件研究所基于76.2mm(3英寸)0.1μm GaN工艺,采用f1/fmax分别为100GHz/165GHz的耗尽型晶体管设计,首次研制出16Gb/s的3bit DAC芯片。该芯片内核面积约为1.20mm×0.15mm。
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100mm GaAs PHEMT外延材料生长稳定性控制研究
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人工晶体学报 2015年 第2期44卷 567-570页
作者: 高汉超 尹志军 张朱峰 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
研究了100 mm Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)外延材料量产的稳定性控制。通过选择控制参数和控制周期,提高了外延材料性能的重复性和稳定性。12个样品方阻的标准差为0.53%,全部偏差1.66%。通过优化生长工艺有效的降低了样品表面颗... 详细信息
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基于倒扣技术的190~225GHz肖特基二极管高效率二倍频器(英文)
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红外与毫米波学报 2015年 第1期34卷 6-9,28页
作者: 姚常飞 周明 罗运生 寇亚男 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部 江苏南京210016
基于分立式GaA s肖特基势垒二极管,研制出了190~225 GHz高效率二倍频器.50μm厚石英电路利用倒扣技术,实现二极管的良好散热、可靠的射频信号及直流地.通过数值分析方法,二极管非线性结采用集总端口模拟,提取二极管的嵌入阻抗,以设计阻... 详细信息
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GaN HFET中的陷阱和局域电子
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固体电子研究与进展 2015年 第3期35卷 207-216页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
研究了GaN HFET中陷阱的各种行为,发现许多特性不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释。从内、外沟道陷阱密度的巨大差异推出外沟道高密度陷阱不是由陷阱中心俘获带内电子产生的。通过自洽解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏... 详细信息
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基于0.5μm InP DHBT工艺的100GHz+静态及动态分频器
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固体电子研究与进展 2016年 第4期36卷 347-页
作者: 程伟 张有涛 王元 牛斌 陆海燕 常龙 谢俊领 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
针对超高速数模混合电路方面的应用,电子器件研究所开发了76.2 mm(3英寸)0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,可实现3层布线,工艺剖面图及器件性能如图1示。采用该工艺研制出114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频... 详细信息
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GaN HFET中的局域电子气和瞬态电流谱
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固体电子研究与进展 2015年 第5期35卷 409-419页
作者: 薛舫时 孔月婵 李忠辉 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
比较了GaN体材料和GaN HFET中陷阱的不同行为,发现后一种陷阱不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释,由此建立起描述沟道电流的新局域电子气模型。运用这一局域电子气新概念解释了实验中观察到的各类瞬态电流谱,说明目前瞬态电流... 详细信息
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