检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2016年第4期36卷 284-288页

作者：侯芳朱健郁元卫贾世星南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

为了解决毫米波段滤波器因倒扣焊安装引起的性能恶化问题,本文基于MEMS技术提出了联合仿真设计方法,将MEMS介质集成波导滤波器芯片与罗杰斯介质板利用三维高频仿真软件HFSS进行共同建模设计,充分考虑两者互连时易产生的问题,完成了芯片... 详细信息

为了解决毫米波段滤波器因倒扣焊安装引起的性能恶化问题,本文基于MEMS技术提出了联合仿真设计方法,将MEMS介质集成波导滤波器芯片与罗杰斯介质板利用三维高频仿真软件HFSS进行共同建模设计,充分考虑两者互连时易产生的问题,完成了芯片的制作、安装、测试及结果分析。测试结果表明,该滤波器通带为41.5~42.7GHz,去嵌后通带插损小于0.8dB,通带内反射损耗优于17dB,在38GHz处带外抑制优于40dB,芯片尺寸仅为5.2mm×3.0mm×0.4mm。考虑工艺误差影响,设计与测试结果吻合良好,该方法有效改善了毫米波段滤波器频率偏移及安装互连引起反射损耗恶化等问题。

关键词：微机械系统滤波器介质集成波导倒扣焊

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300GHz InP DHBT单片集成放大器

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固体电子学研究与进展 2017年第4期37卷 F0003-F0003页

作者：孙岩程伟陆海燕王元常龙孔月婵陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

太赫兹技术在成像雷达以及宽带通信等领域具有广阔应用前景。太赫兹功率放大器是太赫兹系统的核心单元。磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压（相对Si／SiGe而言），适合于太赫兹功率放大器... 详细信息

太赫兹技术在成像雷达以及宽带通信等领域具有广阔应用前景。太赫兹功率放大器是太赫兹系统的核心单元。磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压（相对Si／SiGe而言），适合于太赫兹功率放大器的研制，例如美国Teledyne公司利用InP DHBT工艺研制T220GHz200mW的功率MMIC。

关键词： DHBT 单片集成放大器 InP 异质结双极型晶体管功率放大器 Si/SiGe 太赫兹宽带通信

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深硅杯湿法腐蚀中金属保护工艺研究

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固体电子学研究与进展 2016年第6期36卷 510-513页

作者：周峰朱健贾世星焦宗磊南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

提出了一种新的采用聚酯胶膜保护金属图形的硅湿法腐蚀工艺,解决了深硅杯湿法腐蚀中金属保护难题,允许在器件完成所有IC工艺后再进行深硅杯湿法腐蚀。通过工艺试验研究,增加贴膜前的预处理和贴膜后的热压等工艺,能够有效延长掩膜的保护... 详细信息

提出了一种新的采用聚酯胶膜保护金属图形的硅湿法腐蚀工艺,解决了深硅杯湿法腐蚀中金属保护难题,允许在器件完成所有IC工艺后再进行深硅杯湿法腐蚀。通过工艺试验研究,增加贴膜前的预处理和贴膜后的热压等工艺,能够有效延长掩膜的保护时间,在TMAH湿法腐蚀工艺条件下掩膜能够坚持6h,且成功实现了对硅280μm的深刻蚀。新工艺与IC工艺兼容,简单可靠,也能进行圆片级批量腐蚀。

关键词：硅湿法腐蚀掩膜金属图形

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X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器

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固体电子学研究与进展 2017年第1期37卷 F0003-F0003页

作者：彭龙新李真徐波凌志健李光超彭劲松微波毫米波单片集成和模块电路国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

功率GaAsPIN限幅器已广泛地应用于微波系统中，以保护接收支路中的低噪声放大器。南京电子器件研究所研制出x波段100WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据大功率要求，优化了GaAsPIN二极管的I层厚度和表面结构，建立了大、小信号模型，通过... 详细信息

功率GaAsPIN限幅器已广泛地应用于微波系统中，以保护接收支路中的低噪声放大器。南京电子器件研究所研制出x波段100WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据大功率要求，优化了GaAsPIN二极管的I层厚度和表面结构，建立了大、小信号模型，通过优化设计，

关键词： PIN限幅器大功率单片 X波段南京电子器件研究所低噪声放大器 PIN二极管 GaAs

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金刚石微波功率场效应晶体管

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固体电子学研究与进展 2017年第6期37卷 F0003-F0003页

作者：郁鑫鑫周建军齐成军曹正义孔月婵陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 天津电子材料研究所天津300220

金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性，在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值，金刚石材料已经... 详细信息

金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性，在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值，金刚石材料已经成为21世纪的战略材料之一。

关键词：大功率微波器件金刚石材料功率场效应晶体管电力电子器件高热导率击穿场强机械加工光学系统

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16 Gb/s GaN数模转换器芯片

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固体电子学研究与进展 2017年第2期37卷 F0003-F0003页

作者：张有涛孔月婵张敏周建军张凯微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子有限公司南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）0．1μm GaN工艺，采用f1／fmax分别为100GHz／165GHz的耗尽型晶体管设计，首次研制出16Gb／s的3bit DAC芯片。该芯片内核面积约为1．20mm×0．15mm。

关键词： DAC芯片 b/s GaN 数模转换器南京电子器件研究所晶体管设计耗尽型

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100mm GaAs PHEMT外延材料生长稳定性控制研究

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人工晶体学报 2015年第2期44卷 567-570页

作者：高汉超尹志军张朱峰南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

研究了100 mm Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)外延材料量产的稳定性控制。通过选择控制参数和控制周期,提高了外延材料性能的重复性和稳定性。12个样品方阻的标准差为0.53%,全部偏差1.66%。通过优化生长工艺有效的降低了样品表面颗... 详细信息

研究了100 mm Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)外延材料量产的稳定性控制。通过选择控制参数和控制周期,提高了外延材料性能的重复性和稳定性。12个样品方阻的标准差为0.53%,全部偏差1.66%。通过优化生长工艺有效的降低了样品表面颗粒,样品表面颗粒数量减小到612/片,这些参数均达到或超过国外主流外延厂商水平。

关键词： GaAs赝配高电子迁移晶体管分子束外延控制稳定性

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基于倒扣技术的190～225GHz肖特基二极管高效率二倍频器（英文）

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红外与毫米波学报 2015年第1期34卷 6-9,28页

作者：姚常飞周明罗运生寇亚男南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部江苏南京210016

基于分立式GaA s肖特基势垒二极管,研制出了190~225 GHz高效率二倍频器.50μm厚石英电路利用倒扣技术,实现二极管的良好散热、可靠的射频信号及直流地.通过数值分析方法,二极管非线性结采用集总端口模拟,提取二极管的嵌入阻抗,以设计阻... 详细信息

基于分立式GaA s肖特基势垒二极管,研制出了190~225 GHz高效率二倍频器.50μm厚石英电路利用倒扣技术,实现二极管的良好散热、可靠的射频信号及直流地.通过数值分析方法,二极管非线性结采用集总端口模拟,提取二极管的嵌入阻抗,以设计阻抗匹配电路.在202 GHz,测得最高倍频效率为9.6%,当输入驱动功率为85.5 mW时,其输出功率为8.25 mW;在190~225 GHz,测得倍频效率典型值为7.5%;该二倍频器工作频带宽、效率响应曲线平坦,性能达到了国外文献报道的水平.

关键词： GaAs肖特基二极管二倍频器太赫兹效率

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GaN HFET中的陷阱和局域电子气

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固体电子学研究与进展 2015年第3期35卷 207-216页

作者：薛舫时南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

研究了GaN HFET中陷阱的各种行为,发现许多特性不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释。从内、外沟道陷阱密度的巨大差异推出外沟道高密度陷阱不是由陷阱中心俘获带内电子产生的。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏... 详细信息

研究了GaN HFET中陷阱的各种行为,发现许多特性不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释。从内、外沟道陷阱密度的巨大差异推出外沟道高密度陷阱不是由陷阱中心俘获带内电子产生的。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏间隙中的强场峰在其两侧产生巨大能带畸变,使部分二维电子气不能通过强场峰而形成局域电子气。运用这一局域电子气新概念解释了目前实验中观察到的各类陷阱实验,说明目前陷阱研究把高密度局域电子气误认为"陷阱"而引入的各种误解。提出了从局域电子气研究来解决GaN HFET电流崩塌和可靠性难题的新途径。

关键词：氮化镓异质结场效应管的陷阱外沟道中的能带畸变局域电子气陷阱与局域电子气的相互作用电流崩塌可

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基于0.5μm InP DHBT工艺的100GHz+静态及动态分频器

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固体电子学研究与进展 2016年第4期36卷 347-页

作者：程伟张有涛王元牛斌陆海燕常龙谢俊领微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

针对超高速数模混合电路方面的应用,南京电子器件研究所开发了76.2 mm(3英寸)0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,可实现3层布线,工艺剖面图及器件性能如图1所示。采用该工艺研制出114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频... 详细信息

针对超高速数模混合电路方面的应用,南京电子器件研究所开发了76.2 mm(3英寸)0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,可实现3层布线,工艺剖面图及器件性能如图1所示。采用该工艺研制出114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频器。图2为静态分频器及动态分频器实测结果。

关键词：分频器 Hz InP DHBT 数模混合电路器件性能截止频率

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