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作者

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语言

  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是161-170 订阅
排序:
基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器
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红外与毫米波学报 2021年 第5期40卷 634-637页
作者: 牛斌 钱骏 范道雨 王元庆 梅亮 戴俊杰 林罡 周明 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 江苏南京210016 南京安太芯电子有限公司 江苏南京210016
报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAsSBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组... 详细信息
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氧化物功能薄膜材料在柔性传感器件中的应用
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中国科学:信息科学 2018年 第6期48卷 635-649页
作者: 潘泰松 廖非易 姚光 王宇轩 高敏 林媛 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都610054 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
柔性传感器件因其在医疗健康、人机交互等应用中的巨大前景,受到了广泛关注,也是近年来的研究热点.作为无机功能材料中的一类重要材料,氧化物功能薄膜因其具有丰富的电子学、光学、热学、力学、磁学等方面性质已经在各种电子和光电子器... 详细信息
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微波等离子体化学气相沉积法合成高导热金刚石材料及器件应用进展
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硅酸盐学报 2022年 第7期50卷 1852-1864页
作者: 赵继文 郝晓斌 赵柯臣 李一村 张森 刘康 代兵 郭怀新 韩杰才 朱嘉琦 哈尔滨工业大学 特种环境复合材料技术国家级重点实验室哈尔滨150080 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210006 哈尔滨工业大学 微系统与微结构制造教育部重点实验室哈尔滨150080
随着第3代半导体的应用,电子器件向高功率、小型化发展,由此带来的“热”问题逐渐凸显,金刚石由于其超高的热导率及稳定的性质,被认为是最优的散热材料之一。简要介绍了微波等离子体化学气相沉积装备的原理及发展历程,对比分析了不同种... 详细信息
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基于GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器
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固体电子研究与进展 2014年 第3期34卷 201-205,215页
作者: 李晓鹏 王志功 张有涛 张敏 陈新宇 杨磊 东南大学射频与光电集成电路研究所 南京210096 南京国博电子有限公司 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
介绍一种基于1μm GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器(DAC)。使用信号归零技术将DAC的有效输出带宽拓展到第三奈奎斯特频域。该DAC在第一至第三奈奎斯特频域内具有平坦的输出功率和较好的SFDR。测试结果表明,与传统DAC相比... 详细信息
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背势垒对InAlN/GaN异质结构中二维电子气的影响
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微纳电子技术 2014年 第6期51卷 359-365页
作者: 甘天胜 李毅 刘斌 孔月婵 陈敦军 谢自力 修向前 陈鹏 陈辰 韩平 张荣 南京大学电子科学与工程学院 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
利用有效质量理论自洽解Poisson和Schrdinger方程理论研究了背势垒插入层对InAlN/GaN晶格匹配异质结构的电学性能的影响。研究表明,对于In0.17Al0.83N/AlN/GaN的异质结构,AlN的临界厚度为2.43 nm。此时,异质结中二维电子气(2DEG)浓... 详细信息
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基于复合势垒的AlGaN/GaN异质结材料的制备与性能研究
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人工晶体学报 2023年 第5期52卷 746-752页
作者: 彭大青 李忠辉 蔡利康 李传皓 杨乾坤 张东国 罗伟科 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 中国电子科技集团有限公司碳基电子重点实验室 南京210016
针对高线性氮化镓微波功率器件研制需,设计并外延生长了复合势垒的Al_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN/Al_(0.20)Ga_(0.80)N/GaN异质结构材料,通过理论计算和电容-电压(C-V)测试表明复合势垒材料存在两层二维电子气沟道。生长的复合势垒材料二... 详细信息
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基于ASM-HEMT的AlGaN/GaN FinFET 器件建模
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固体电子研究与进展 2019年 第4期39卷 245-249,258页
作者: 汪流 刘军 陶洪琪 孔月婵 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 杭州310018
在ASM-HEMT模型的基础上,对GaN FinFET的直流(DC)特性和S参数进行建模.在Keysight ICCAP建模软件中,通过开路和短路去嵌方法对测试结构引入的寄生去嵌.将包含ASM-HEMT模型内核的VA文件导入软件中并调用Keysight ADS仿真器进行仿真.通过... 详细信息
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一款用于5 G功率放大器的分段线性温度补偿偏置电路
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固体电子研究与进展 2019年 第3期39卷 207-213页
作者: 李亚军 李晓鹏 张有涛 蒋东铭 陈新宇 杨磊 南京国博电子有限公司 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 东南大学 射光所南京210096
实现了一款用于功率放大器的具有温度补偿特性的偏置电路,首先通过正温度系数(PTAT)电流与负温度系数(NTAT)电流对功率放大器需的偏置电流进行线性温度补偿,然后在线性补偿的基础上引入分段设计,实现分段线性温度补偿,保证全温范围内... 详细信息
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大功率器件及材料的热特性表征技术研究进展
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中国材料进展 2018年 第12期37卷 1017-1023,1047页
作者: 郭怀新 黄语恒 黄宇龙 陶鹏 孔月婵 李忠辉 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室 上海200240
以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体高功率密度的发展受限于自身热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和可靠性的下降。因此,器件的热管理已成为大功率器件研发和应用领域的一个重要研究方向,而器件本身及其材料的热特性表... 详细信息
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基片集成波导缝隙式滤波器的设计与实现
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固体电子研究与进展 2014年 第4期34卷 354-356,361页
作者: 王元庆 丁玉宁 刘蕾蕾 葛培虎 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京邮电大学 南京210003 空军驻江苏地区军事代表室 南京210016
基于基片集成波导技术和印刷电路板工艺设计、CST软件模拟,实现了一种四缝隙和五缝隙基片集成波导缝隙式滤波器。仿真结果和实验结果吻合良好。滤波器的中心频率分别为15.85GHz和34GHz,相对3dB带宽为11.9%和12.9%,插损分别为1.4dB和2.9... 详细信息
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