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  • 13 篇 牛斌

语言

  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是171-180 订阅
排序:
基于InP DHBT工艺的140~220GHz单片集成放大器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2015年 第5期35卷 513-页
作者: 程伟 王元 孙岩 陆海燕 常龙 谢俊领 牛斌 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。国外已研制出基于InP DHBT工艺的220 GHz、200 mW单片集成功率放大器以及700 mW功率放大模块电子... 详细信息
来源: 评论
基于InP HBT工艺的100 GHz静态及动态分频器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2015年 第4期35卷 F0003-F0003页
作者: 程伟 张有涛 王元 陆海燕 常龙 谢俊领 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
电子器件研究所基于76.2mm(3英寸)InP HBT圆片工艺,研制出最高工作频率达100GHz的静态分频器以及动态分频器。图1为静态分频器测试结果,此电路可在2~100GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果,此电路可在75~100GHz... 详细信息
来源: 评论
GaN HFET的大信号射频工作模型
收藏 引用
固体电子研究与进展 2014年 第6期34卷 403-408,414页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
分析了GaN HFET大信号工作特性随器件漏压、栅压、栅长和工作频率变化的实验特征,发现器件的射频输出功率和功率附加效率随频率升高、漏压增大和栅长缩短而下降的规律及在3mm波段短栅长的高截止频率场效应管没有输出功率的现象。从场效... 详细信息
来源: 评论
温度对悬臂梁静电驱动RF-MEMS开关性能的影响
收藏 引用
固体电子研究与进展 2014年 第1期34卷 69-74页
作者: 张沛然 朱健 姜理利 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
介绍了温度对悬臂梁式RF-MEMS开关的影响。以电子器件研究所研制的悬臂梁式RF-MEMS开关为实验样品,常温下(25°C)先测定样品的驱动电压和射频特性,再将样品置于温度恒定的烘箱中热烘1h,取出后在常温条件下测定其机械形貌及电学... 详细信息
来源: 评论
表贴式MMIC高密度封装外壳微波特性设计
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固体电子研究与进展 2014年 第2期34卷 152-156,196页
作者: 徐利 曹坤 李思其 王子良 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,研制了一款32根引脚方形扁平无引线封装(CQFN)型微波外壳,外形尺寸仅为5mm×5mm×1.4mm。该外壳采用侧面挂孔的方式实现微波信号从基板底部到外壳内部带状线和键合区微带线的传输,底部增加了密集阵... 详细信息
来源: 评论
用于雷达T/R组件的SOI CMOS工艺射频芯片
收藏 引用
固体电子研究与进展 2015年 第2期35卷 F0003-F0003页
作者: 陈亮 陈新宇 张有涛 杨磊 南京电子器件研究所 国博电子有限公司南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
电子器件研究所国博电子有限公司基于0.18umSOICMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片,包括1-1.7GHz有源下混频器、0.7~4GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器,芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放... 详细信息
来源: 评论
芯片级原子钟碱金属吸收泡
收藏 引用
固体电子研究与进展 2015年 第3期35卷 307-页
作者: 黄旼 朱健 石归雄 曹远洪 王文军 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 成都天奥电子股份有限公司 成都611731
基于原子相干布局囚禁(Coherent population trapping)原理的芯片级原子钟是原子钟微型化发展的必然趋势,其中的核心微型化碱金属吸收泡起着关键性的作用。电子器件研究所与成都天奥电子股份有限公司联合研究
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用于DRFM的4 bit相位量化DAC
收藏 引用
固体电子研究与进展 2014年 第1期34卷 24-28页
作者: 张敏 张有涛 李晓鹏 陈新宇 杨磊 南京电子器件研究所 南京210016 南京国博电子有限公司 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
设计了一种应用于DRFM系统的4bit相位量化DAC,采用非线性的电流舵结构在标准半导体工艺下实现,芯片面积2.1mm×1.4mm,功耗420mW。测试结果显示该DAC瞬时带宽高于1GHz,与4bit相位量化ADC级联测试时,SFDR在工作带宽内小于-20dBc,性能... 详细信息
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基于GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器
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固体电子研究与进展 2014年 第3期34卷 201-205,215页
作者: 李晓鹏 王志功 张有涛 张敏 陈新宇 杨磊 东南大学射频与光电集成电路研究所 南京210096 南京国博电子有限公司 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
介绍一种基于1μm GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器(DAC)。使用信号归零技术将DAC的有效输出带宽拓展到第三奈奎斯特频域。该DAC在第一至第三奈奎斯特频域内具有平坦的输出功率和较好的SFDR。测试结果表明,与传统DAC相比... 详细信息
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背势垒对InAlN/GaN异质结构中二维电子气的影响
收藏 引用
微纳电子技术 2014年 第6期51卷 359-365页
作者: 甘天胜 李毅 刘斌 孔月婵 陈敦军 谢自力 修向前 陈鹏 陈辰 韩平 张荣 南京大学电子科学与工程学院 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
利用有效质量理论自洽解Poisson和Schrdinger方程理论研究了背势垒插入层对InAlN/GaN晶格匹配异质结构的电学性能的影响。研究表明,对于In0.17Al0.83N/AlN/GaN的异质结构,AlN的临界厚度为2.43 nm。此时,异质结中二维电子气(2DEG)浓... 详细信息
来源: 评论