检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2015年第5期35卷 513-页

作者：程伟王元孙岩陆海燕常龙谢俊领牛斌微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。国外已研制出基于InP DHBT工艺的220 GHz、200 mW单片集成功率放大器以及700 mW功率放大模块。南京电子... 详细信息

磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。国外已研制出基于InP DHBT工艺的220 GHz、200 mW单片集成功率放大器以及700 mW功率放大模块。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺研制出140220 GHz单片集成放大器,该电路采用了功率增益截止频率(fmax)超过500 GHz的InP DHBT器件,如图1所示。测试结果表明,该电路在140 GHz、200 GHz以及220

关键词：单片集成 Hz InP DHBT 磷化铟截止频率圆片功率增益太赫兹亚毫米波

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基于InP HBT工艺的100 GHz静态及动态分频器

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固体电子学研究与进展 2015年第4期35卷 F0003-F0003页

作者：程伟张有涛王元陆海燕常龙谢俊领微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）InP HBT圆片工艺，研制出最高工作频率达100GHz的静态分频器以及动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～100GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～100GHz... 详细信息

南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）InP HBT圆片工艺，研制出最高工作频率达100GHz的静态分频器以及动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～100GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～100GHz范围内实现二分频。

关键词：动态分频器静态分频器 HBT工艺 InP 南京电子器件研究所工作频率二分频测试

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GaN HFET的大信号射频工作模型

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固体电子学研究与进展 2014年第6期34卷 403-408,414页

作者：薛舫时南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

分析了GaN HFET大信号工作特性随器件漏压、栅压、栅长和工作频率变化的实验特征,发现器件的射频输出功率和功率附加效率随频率升高、漏压增大和栅长缩短而下降的规律及在3mm波段短栅长的高截止频率场效应管没有输出功率的现象。从场效... 详细信息

分析了GaN HFET大信号工作特性随器件漏压、栅压、栅长和工作频率变化的实验特征,发现器件的射频输出功率和功率附加效率随频率升高、漏压增大和栅长缩短而下降的规律及在3mm波段短栅长的高截止频率场效应管没有输出功率的现象。从场效应管电极边界条件出发导出了势垒层的解析表面势及其微商,研究了表面势随漏压、栅压和栅长的变化。通过自洽能带计算求出了不同漏压、栅压和栅长下的能带和电子状态。研究了GaN HFET射频工作中产生的能带畸变。从不同漏压、栅压和栅长变化下的能带畸变出发,提出了沟道电子状态随栅压、漏压和栅长变化的GaN HFET大信号射频工作模型。用此大信号模型解释了实验中观察到的高频、大功率器件特性及3mm瓶颈。提出了研发大功率GaN HFET的新见解。

关键词：大信号工作特性 3mm氮化镓异质结场效应晶体管瓶颈解析表面势及其微商能带畸变射频大信号工作模型

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温度对悬臂梁静电驱动RF-MEMS开关性能的影响

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固体电子学研究与进展 2014年第1期34卷 69-74页

作者：张沛然朱健姜理利南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

介绍了温度对悬臂梁式RF-MEMS开关的影响。以南京电子器件研究所研制的悬臂梁式RF-MEMS开关为实验样品,常温下(25°C)先测定样品的驱动电压和射频特性,再将样品置于温度恒定的烘箱中热烘1h,取出后在常温条件下测定其机械形貌及电学... 详细信息

介绍了温度对悬臂梁式RF-MEMS开关的影响。以南京电子器件研究所研制的悬臂梁式RF-MEMS开关为实验样品,常温下(25°C)先测定样品的驱动电压和射频特性,再将样品置于温度恒定的烘箱中热烘1h,取出后在常温条件下测定其机械形貌及电学性能。烘箱的温度从50°C变化到200°C,步进50°C。针对每个温度做一轮实验,最后将所得数据进行对比。实验结果表明,温度对于开关的射频性能影响极其微弱,但驱动电压对于温度却有较强的依赖性。分析认为,当温度变化时,悬臂梁结构的翘曲是影响驱动电压变化的主要因素。最后提出了几种可以提高结构温度稳定性的方法。

关键词：射频-微电子机械系统开关温度悬臂梁驱动电压

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表贴式MMIC高密度封装外壳微波特性设计

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固体电子学研究与进展 2014年第2期34卷 152-156,196页

作者：徐利曹坤李思其王子良南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,研制了一款32根引脚方形扁平无引线封装(CQFN)型微波外壳,外形尺寸仅为5mm×5mm×1.4mm。该外壳采用侧面挂孔的方式实现微波信号从基板底部到外壳内部带状线和键合区微带线的传输,底部增加了密集阵... 详细信息

基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,研制了一款32根引脚方形扁平无引线封装(CQFN)型微波外壳,外形尺寸仅为5mm×5mm×1.4mm。该外壳采用侧面挂孔的方式实现微波信号从基板底部到外壳内部带状线和键合区微带线的传输,底部增加了密集阵列接地过孔以消除高密度引脚间的耦合。对制作的外壳进行了微波性能测试,在C波段内的插入损耗小于0.5dB,驻波比小于1.3,隔离度大于30dB。该小型化表贴陶瓷外壳适用于C波段的微波单片集成电路(MMIC)的高品质气密封装,且便于批量化生产。

关键词：高温共烧陶瓷方形扁平无引线封装微波外壳高密度封装微波单片集成电路

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用于雷达T/R组件的SOI CMOS工艺射频芯片

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固体电子学研究与进展 2015年第2期35卷 F0003-F0003页

作者：陈亮陈新宇张有涛杨磊南京电子器件研究所国博电子有限公司南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所国博电子有限公司基于0．18umSOICMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片，包括1-1．7GHz有源下混频器、0．7～4GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器，芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放... 详细信息

南京电子器件研究所国博电子有限公司基于0．18umSOICMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片，包括1-1．7GHz有源下混频器、0．7～4GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器，芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放大器，混频器以及中频放大器；X波段移相器和衰减器均集成了驱动器和ESD保护电路。该系列芯片解决了高集成度、小尺寸以及低功耗雷达T瓜组件的关键问题。

关键词：相控阵雷达射频芯片 T/R组件 CMOS工艺南京电子器件研究所 SOI ESD保护电路中频放大器

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芯片级原子钟碱金属吸收泡

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固体电子学研究与进展 2015年第3期35卷 307-页

作者：黄旼朱健石归雄曹远洪王文军南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 成都天奥电子股份有限公司成都611731

基于原子相干布局囚禁(Coherent population trapping)原理的芯片级原子钟是原子钟微型化发展的必然趋势,其中的核心微型化碱金属吸收泡起着关键性的作用。南京电子器件研究所与成都天奥电子股份有限公司联合研究。

关键词：芯片级结构设计 trapping 双腔圆片联合研究吸收谱线样品图本征吸收漏气率

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用于DRFM的4 bit相位量化DAC

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固体电子学研究与进展 2014年第1期34卷 24-28页

作者：张敏张有涛李晓鹏陈新宇杨磊南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子有限公司南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

设计了一种应用于DRFM系统的4bit相位量化DAC,采用非线性的电流舵结构在标准半导体工艺下实现,芯片面积2.1mm×1.4mm,功耗420mW。测试结果显示该DAC瞬时带宽高于1GHz,与4bit相位量化ADC级联测试时,SFDR在工作带宽内小于-20dBc,性能... 详细信息

设计了一种应用于DRFM系统的4bit相位量化DAC,采用非线性的电流舵结构在标准半导体工艺下实现,芯片面积2.1mm×1.4mm,功耗420mW。测试结果显示该DAC瞬时带宽高于1GHz,与4bit相位量化ADC级联测试时,SFDR在工作带宽内小于-20dBc,性能明显优于3bit相位量化DAC。

关键词：数模转换器相位量化数字射频存储器电流舵无杂散噪声动态范围

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基于GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器

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固体电子学研究与进展 2014年第3期34卷 201-205,215页

作者：李晓鹏王志功张有涛张敏陈新宇杨磊东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 南京国博电子有限公司南京210016 南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

介绍一种基于1μm GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器(DAC)。使用信号归零技术将DAC的有效输出带宽拓展到第三奈奎斯特频域。该DAC在第一至第三奈奎斯特频域内具有平坦的输出功率和较好的SFDR。测试结果表明,与传统DAC相比... 详细信息

介绍一种基于1μm GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器(DAC)。使用信号归零技术将DAC的有效输出带宽拓展到第三奈奎斯特频域。该DAC在第一至第三奈奎斯特频域内具有平坦的输出功率和较好的SFDR。测试结果表明,与传统DAC相比,多奈奎斯特域DAC在第二奈奎斯特频点附近的输出功率增大37dB,SFDR提高25dB。

关键词：数模转换器多奈奎斯特归零

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背势垒对InAlN/GaN异质结构中二维电子气的影响

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微纳电子技术 2014年第6期51卷 359-365页

作者：甘天胜李毅刘斌孔月婵陈敦军谢自力修向前陈鹏陈辰韩平张荣南京大学电子科学与工程学院南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

利用有效质量理论自洽求解Poisson和Schrdinger方程理论研究了背势垒插入层对InAlN/GaN晶格匹配异质结构的电学性能的影响。研究表明,对于In0.17Al0.83N/AlN/GaN的异质结构,AlN的临界厚度为2.43 nm。此时,异质结中二维电子气(2DEG)浓... 详细信息

利用有效质量理论自洽求解Poisson和Schrdinger方程理论研究了背势垒插入层对InAlN/GaN晶格匹配异质结构的电学性能的影响。研究表明,对于In0.17Al0.83N/AlN/GaN的异质结构,AlN的临界厚度为2.43 nm。此时,异质结中二维电子气(2DEG)浓度达到2.49×1013 cm-2,且不随势垒层厚度的变化而变化。重点模拟研究了具有背势垒的InAlN/AlN/GaN/AlGaN/GaN和InAlN/AlN/GaN/InGaN/GaN两种结构的能带结构和2DEG的分布情况。理论结果表明,采用AlGaN背势垒结构时,对于AlGaN的任意Al组分,GaN沟道层导带底能量均被抬升,增强了AlN/GaN三角势阱对2DEG的限制作用,提高了电子迁移率。采用InGaN/GaN作为背势垒结构,当InGaN厚度为2或3 nm时,三角势阱中的2DEG随InGaN中In组分的增加先升高后降低,这主要是由于GaN/InGaN界面处产生的正极化电荷的影响,引起电子在AlN/GaN三角势阱和InGaN/GaN势阱之间的分布变化。

关键词： InAlN/GaN异质结构背势垒插入层二维电子气(2DEG) 能带结构电子迁移率

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