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语言

  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是171-180 订阅
排序:
基站应用高线性高效率50 V GaN HEMT
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固体电子研究与进展 2017年 第3期37卷 155-158页
作者: 陈韬 陈志勇 蒋浩 魏星 杨兴 陈新宇 李忠辉 陈堂胜 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016 中电科技德清华莹电子有限公司 浙江德清313200 南京国博电子有限公司 南京211153
报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降低了峰值电场,提高器件击穿电压30%以上。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,工艺采用0.5μm栅长,工作电压5... 详细信息
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柔性热管的研究进展与展望
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中国材料进展 2018年 第12期37卷 1025-1032,1047页
作者: 陶鹏 常超 郭怀新 陈寰贝 尚文 邓涛 上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室 上海200240 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所 江苏南京210016
现代电子设备的大功率化、高度集成化、微型化、柔性化发展趋势对先进的热管理材料和技术提出了迫切需。基于气液相变的热管技术是一种高效的热管理手段,然而传统的刚性热管满足不了复杂结构、狭小空间的微型电子器件以及可折叠电... 详细信息
来源: 评论
一种MEMS开关驱动电路的设计
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电子器件 2017年 第2期40卷 361-365页
作者: 孙俊峰 朱健 李智群 郁元卫 钱可强 南京电子器件研究所 南京210016 东南大学射频与光电集成电路研究所 南京210096 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 东南大学集成电路学院 南京210096
静电驱动MEMS开关可靠工作需要较高的驱动电压,大多数射频前端系统很难直接提供,因此需要一种实现电压转换和控制的专用芯片,以满足MEMS开关的实用化需要。基于200 V SOI CMOS工艺设计的高升压倍数MEMS开关驱动电路,采用低击穿电压的Coc... 详细信息
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硅基氮化镓异质结材料与多晶金刚石集成生长研究
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固体电子研究与进展 2021年 第1期41卷 18-23页
作者: 杨士奇 任泽阳 张金风 何琦 苏凯 张进成 郭怀新 郝跃 西安电子科技大学微电子学院 宽带隙半导体技术国防重点学科实验室西安710071 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
在50.8 mm(2英寸)硅基氮化镓异质结半导体材料上采用低压等离子体化学气相沉积方法淀积100 nm厚度的氮化硅材料,然后采用微波等离子体化学气相沉积设备在氮化硅层上方实现多晶金刚石材料的外延生长。采用氮化硅作为过渡层和保护层有效... 详细信息
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一种基于BSIM-CMG的FinFET变容管模型
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半导体技术 2018年 第1期43卷 42-47页
作者: 朱袁科 李文钧 陆海燕 刘军 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 杭州310037 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成电路和模块电路重点实验室 南京210016
提出了一种适用于FinFET变容管的建模方法。在BSIM-CMG的基础上,模型采用衬底模型和外围寄生模型来表征变容管的射频寄生效应。提出了具体的参数提取方法,将测试的S参数导入到安捷伦IC-CAP建模软件提取参数,测试结构引入高频寄生采用(o... 详细信息
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双模式高集成负电荷泵电路设计
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固体电子研究与进展 2020年 第1期40卷 53-59页
作者: 李亚军 李晓鹏 张有涛 刘洁 陈新宇 杨磊 南京国博电子有限公司 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 东南大学 射频与光电集成电路研究所南京210096 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 中国空间技术研究院西安分院 西安710100
提出了一种新颖的双模式高集成开关电容电荷泵。该电荷泵集成高频振荡器、电平移位、逻辑驱动以及4个功率MOSFET开关。与传统电荷泵相比,该电路可以工作在单电源以及双电源两种模式。单电源模式下,输出电压为-VCC;双电源模式下,输出电压... 详细信息
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一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型
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半导体技术 2015年 第12期40卷 904-910页
作者: 陈秋芬 李文钧 刘军 陆海燕 韩春林 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 杭州310037 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室 南京210016
提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特... 详细信息
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LNOI阵列波导光栅的设计与制备
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电子技术 2021年 第4期41卷 258-261页
作者: 王琛全 周奉杰 顾晓文 唐杰 钱广 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
基于薄膜铌酸锂(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了中心波长1550 nm、4通道且通道间隔为400 GHz的阵列波导光栅,并完成了LNOI波导端面抛光。测试结果表明,该阵列波导光栅相邻通道间串扰约-7.5 dB,通道非均匀性小... 详细信息
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基于InP DHBT工艺的32.2 GHz超高速全加器
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固体电子研究与进展 2019年 第2期39卷 97-101页
作者: 李晓鹏 王志功 张有涛 张敏 程伟 张翼 陈新宇 东南大学 南京210096 南京国博电子有限公司 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京邮电大学微电子学院 南京210046
介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路来降低功耗。测试结果表明,全加器的最高时钟频率... 详细信息
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射频微系统硅基三维异构集成技术
射频微系统硅基三维异构集成技术
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2020年全国微波毫米波会议
作者: 郁元卫 黄旼 张洪泽 朱健 张斌 张君直 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所
在硅基板或者CMOS圆片上通过异质异构集成集成化合物半导体、CMOS、MEMS芯片、等,充分发挥材料、器件与结构的优势,使射频电路最优化获得高频、高速、宽带、大功率的特性,推进射频前端集成化、多功能化和智能化。本文分析了射频微系统... 详细信息
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