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第13届全国MOCVD学术会议

作者：霍帅吴云周建军南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

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5G通信用MEMS表贴滤波器

5G通信用MEMS表贴滤波器

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2017年全国微波毫米波会议

作者：侯芳吴昊王文岩郁元卫南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

MEMS技术因工艺精度高、设计灵活,是未来5G基站用关键器件技术。本文介绍了MEMS滤波器在5G基站中的应用前景,针对5G重点候选频段,研制了一款小型化MEMS表贴滤波器,装配测试结果表明:该滤波器通带为27.6-29.1GHz,反射损耗优于12d B,通带... 详细信息

MEMS技术因工艺精度高、设计灵活,是未来5G基站用关键器件技术。本文介绍了MEMS滤波器在5G基站中的应用前景,针对5G重点候选频段,研制了一款小型化MEMS表贴滤波器,装配测试结果表明:该滤波器通带为27.6-29.1GHz,反射损耗优于12d B,通带插损约为1.7d B,在25.9GHz处带外抑制为32d B。在31.4GHz处带外抑制为44d B。芯片尺寸仅为:5.2mm×6.3mm×0.4mm。考虑工艺误差影响,设计与测试结果吻合良好,该芯片因体积小、性能优可广泛用于5G通信中。

关键词： 5G MEMS滤波器倒扣焊

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小型化MEMS高通滤波器研究

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自动化与仪器仪表 2017年第8期 63-65页

作者：朱锋陶子文郁元卫朱健南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层硅衬底上进行了样品... 详细信息

介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层硅衬底上进行了样品的研制。样品取得了良好的测试结果,其中通带内的插入损耗小于1.2d B,通带回波损耗小于10.9d B。

关键词：高通滤波器立体布线 MEMS

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13~15.5 GHz GaN 20 W高效率功率放大器芯片

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通信电源技术 2020年第9期37卷 45-48页

作者：金辉陶洪琪余旭明南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

设计了一款采用0.20μm GaN HEMT工艺研制的13~15.5 GHz功率放大器芯片。基于loadpull测试获得GaN HEMT管芯的最佳输出功率和最佳效率阻抗。此外,设计了一种宽带低损耗输出匹配电路,提高了功放芯片的功率及附加效率,并将输出匹配电路中... 详细信息

设计了一款采用0.20μm GaN HEMT工艺研制的13~15.5 GHz功率放大器芯片。基于loadpull测试获得GaN HEMT管芯的最佳输出功率和最佳效率阻抗。此外,设计了一种宽带低损耗输出匹配电路,提高了功放芯片的功率及附加效率,并将输出匹配电路中的单电容改为双电容串联的形式,降低了电容极板的电场强度,提高了芯片的可靠性。该芯片在13~15.5 GHz频率范围内,漏压28 V(100μs脉宽,10%占空比)条件下,线性增益大于30 dB,功率增益大于24 dB,典型饱和输出功率为20 W,附加效率>42%,最高效率达到47%;漏压连续波条件下,典型饱和输出功率达到16 W,附加效率>31%,最高效率达到35%;芯片面积为3 mm×3 mm。

关键词： GaN Ku波段功率放大器高效率

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X波段氮化镓高效率功率放大器MMIC

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通信电源技术 2022年第9期39卷 13-15页

作者：李文龙陶洪琪余旭明南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

基于0.25μm栅长的GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)工艺,采用三级放大拓扑电路结构,研制出了一款X波段宽带GaN高效率功率放大器芯片。使用LoadPull测试方法得到了GaN HEMT管芯的最佳输出效率和最佳输出... 详细信息

基于0.25μm栅长的GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)工艺,采用三级放大拓扑电路结构,研制出了一款X波段宽带GaN高效率功率放大器芯片。使用LoadPull测试方法得到了GaN HEMT管芯的最佳输出效率和最佳输出功率匹配的阻抗位置。输出匹配和级间匹配结构均使用损耗较低的电抗结构,以提高功率效率。测试结果表明,该放大器在8~12 GHz频段内,小信号增益>30dB,脉冲饱和输出功率达到22 W,全频段附加效率>51%,9.5 GHz最高效率达到57%。

关键词： GaN X波段功率放大器高效率

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片上集成三通道MEMS开关滤波技术

片上集成三通道MEMS开关滤波技术

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2018年全国微波毫米波会议

作者：侯芳王文岩刘梓枫朱健南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

本文主要介绍了一种小型化的基于MEMS技术的片上集成开关滤波技术,该芯片由3个分别工作在6.1-7.9GHz、7.9-9.9GHz、9.9-11.9GHz的滤波器和2个PIN单刀四掷开关组成。测试结果表明:开关滤波器导通后中心插损最大约4.7dB,带边1GHz处带外抑... 详细信息

本文主要介绍了一种小型化的基于MEMS技术的片上集成开关滤波技术,该芯片由3个分别工作在6.1-7.9GHz、7.9-9.9GHz、9.9-11.9GHz的滤波器和2个PIN单刀四掷开关组成。测试结果表明:开关滤波器导通后中心插损最大约4.7dB,带边1GHz处带外抑制约为40dB。开关芯片尺寸仅为:13mm×12mm×0.8mm,为传统开关滤波组件体积的1/100。考虑工艺误差影响,设计与测试结果吻合良好,该芯片因体积小、性能优可广泛用于射频前端系统。

关键词：集成 MEMS滤波器

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Al组分渐变势垒层对AlGaN/GaN HEMT栅电流的影响

Al组分渐变势垒层对AlGaN/GaN HEMT栅电流的影响

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：李传皓李忠辉彭大青潘磊张东国微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

引起常规AlGaN/GaN HEMT器件栅电流的主要机制为肖特基势垒隧穿和热电子发射,两者发生概率均与势垒高度密切相关.常规AlGaN/GaN HEMT势垒高度约为1eV,栅极正偏电压较大时会出现正向导通,使器件无法在较大偏压下工作[1].为抑制栅电流,提...

引起常规AlGaN/GaN HEMT器件栅电流的主要机制为肖特基势垒隧穿和热电子发射,两者发生概率均与势垒高度密切相关.常规AlGaN/GaN HEMT势垒高度约为1eV,栅极正偏电压较大时会出现正向导通,使器件无法在较大偏压下工作[1].为抑制栅电流,提出一种AlGaN势垒层Al组分渐变的AlGaN/GaN HEMT结构,其中势垒层厚度22nm,栅源、栅漏距离均为3 μ m.

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基于GaN的输入谐波控制射频功率放大器设计

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电子技术应用 2021年第4期47卷 67-70,76页

作者：邵煜伟陶洪琪南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

定量地分析了输入谐波控制理论对功放效率的影响。同时,选用了南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT器件,并对该GaN HEMT器件进行了负载牵引仿真和大信号仿真。根据仿真结果发现,通过输入谐波控制可以提升射频功率放大器的效率,在频带... 详细信息

定量地分析了输入谐波控制理论对功放效率的影响。同时,选用了南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT器件,并对该GaN HEMT器件进行了负载牵引仿真和大信号仿真。根据仿真结果发现,通过输入谐波控制可以提升射频功率放大器的效率,在频带内能获得3~10%的效率提升。以此设计了一款X波段单级MMIC功放。经测试,该功放芯片在9.2~11.3 GHz范围内功率附加效率最大可以达到52.88%。

关键词：功率放大器输入谐波控制高效率 MMIC

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高击穿特性的Si基双异质结AlGaN/GaN HEMT

高击穿特性的Si基双异质结AlGaN/GaN HEMT

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：郁鑫鑫倪金玉李忠辉周建军孔岑南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

由于价格低廉,在Si衬底上异质外延生长GaN材料来研制电力电子器件具有广阔的发展前景.然而,GaN与Si之间存在高达16.9％的晶格失配和56％的热失配,在Si上生长GaN将面临高难度的技术挑战.本文在4英寸Si衬底上采用Al组分阶变的AlGaN缓冲层...

由于价格低廉,在Si衬底上异质外延生长GaN材料来研制电力电子器件具有广阔的发展前景.然而,GaN与Si之间存在高达16.9％的晶格失配和56％的热失配,在Si上生长GaN将面临高难度的技术挑战.本文在4英寸Si衬底上采用Al组分阶变的AlGaN缓冲层生长了AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构的HEMT材料,并成功研制出高击穿特性的功率器件.

关键词：

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基于AlGaN/GaN E/D器件设计环形振荡器

基于AlGaN/GaN E/D器件设计环形振荡器

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2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会

作者：陆海燕周建军孔月婵董逊孔岑耿习娇南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京 210016

基于0.8μm GaN HEMT E/D集成工艺设计并制备了17级GaN环形振荡器,采用两级缓冲输出,共采用38个晶体管.对GaN增强型和耗尽型器件进行详细的直流以及微波小信号测试,基于以上测试进行了设计.研制的17级环形振荡器采用反相器闭环结构,基... 详细信息

基于0.8μm GaN HEMT E/D集成工艺设计并制备了17级GaN环形振荡器,采用两级缓冲输出,共采用38个晶体管.对GaN增强型和耗尽型器件进行详细的直流以及微波小信号测试,基于以上测试进行了设计.研制的17级环形振荡器采用反相器闭环结构,基波的振荡频率为197.5MHz,振荡周期为5.06ns,平均每级反相器延迟为148ps.

关键词：环形振荡器电路设计增强型器件耗尽型器件

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