检索结果-内蒙古大学图书馆

利用MOCVD技术，在4英寸SiC衬底上生长了AlGaN/GaN/AlGaN双异质结及InAlN/GaN异质结材料.利用XRD、Hall、AFM等测试方法对材料的晶体质量、电学性质及表面形貌等进行了分析：在4英寸SiC衬底上生长出的高质量GaN缓冲层(002)面及(102)面XRD摇摆曲线半高宽分别达到129、194弧秒;InAlN/GaN材料方阻不均匀性1.5％、室温二维电子气迁移率1216cm2 v-1s-1、二维电子气浓度2.65×1013cm-2;AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料室温二维电子气迁移率2059 cm2v-1s-1、1Oμm× 1Oμm表面粗糙度0.43nm.

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高频石墨烯场效应晶体管研制

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固体电子学研究与进展 2015年第1期35卷 105-105页

作者：吴云孙梦龙赵志飞霍帅微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所

石墨烯具有高电子迁移率和高热导率等优良特性,在毫米波、亚毫米波乃至太赫兹器件、超级计算机等方面具有广阔应用前景。然而石墨烯是二维结构,受衬底、栅界面的影响较体材料更为敏感,因而高性能的石墨烯FET器件的研制也成为一个极具挑... 详细信息

石墨烯具有高电子迁移率和高热导率等优良特性,在毫米波、亚毫米波乃至太赫兹器件、超级计算机等方面具有广阔应用前景。然而石墨烯是二维结构,受衬底、栅界面的影响较体材料更为敏感,因而高性能的石墨烯FET器件的研制也成为一个极具挑战性的课题。南京电子器件研究所通过氢插入等工艺用SiC热解法制备出高质量的石墨烯薄膜,材枓霍尔迁移率达2000 cm2/(V·s)。在此基础上,开发了可降低栅介质散射作用的A1自氧化缓冲工艺,同时以自对准和T栅(150 nm栅脚,400 nm栅帽)减小器件的寄生效应,研制出了高性能石墨烯场效应

关键词：场效应晶体管器件高性能单极晶体管场效应器件石墨烯 FET

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高电导率p型AlGaN材料

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固体电子学研究与进展 2019年第5期39卷 F0003-F0003页

作者：罗伟科李忠辉孔岑杨乾坤杨峰南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

南京电子器件研究所提出并研发了一种"金属源气流调制生长"的外延方法,在采用MOCVD系统外延生长Mg掺杂的p型AlGaN材料时,引入"晶体质量提升"和"激活效率提升"两种不同的生长,两种工艺在外延过程中交替进... 详细信息

南京电子器件研究所提出并研发了一种"金属源气流调制生长"的外延方法,在采用MOCVD系统外延生长Mg掺杂的p型AlGaN材料时,引入"晶体质量提升"和"激活效率提升"两种不同的生长,两种工艺在外延过程中交替进行,既能保证晶体质量,又能提升受主杂质Mg的激活效率。

关键词：晶体质量受主杂质外延生长 MOCVD系统 AlGaN Mg掺杂高电导率效率提升

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高性能微型LTCC低通滤波器设计

高性能微型LTCC低通滤波器设计

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2014全国第十五届微波集成电路与移动通信学术年会

作者：郑琨王子良徐利陈昱晖南京电子器件研究所南京210016 南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

本文以具有单个传输零点的低通滤波器电路为原型,通过合理安排LTCC内部元件的位置,有效地利用了结构内部的电磁耦合,在不过多增加滤波器阶数的前提下,达到了带外抑制度高、抑制范围广且尺寸小巧、结构紧凑的目的.本文的设计思路对其他... 详细信息

本文以具有单个传输零点的低通滤波器电路为原型,通过合理安排LTCC内部元件的位置,有效地利用了结构内部的电磁耦合,在不过多增加滤波器阶数的前提下,达到了带外抑制度高、抑制范围广且尺寸小巧、结构紧凑的目的.本文的设计思路对其他小型化滤波器的设计具有很好的指导意义.

关键词：低通滤波器低温共烧陶瓷结构设计电磁耦合带外抑制

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一种T/R组件热场问题的研究

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电子与封装 2015年第12期15卷 38-42页

作者：周骏刘伟盛重沈亚微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016 空军驻江苏地区军事代表室南京210016

T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。文章提出了针对高密度组件的各种散热措施,采用热仿真软件对T/R组件沟道温度进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证,并将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R... 详细信息

T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。文章提出了针对高密度组件的各种散热措施,采用热仿真软件对T/R组件沟道温度进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证,并将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R组件的使用要求。

关键词： T/R组件热设计高密度

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小型化MEMS高通滤波器研究

小型化MEMS高通滤波器研究

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2017年西南三省一市(贵州、重庆、四川、云南)自动化与仪器仪表学术年会

作者：朱锋陶子文郁元卫朱健南京电子器件研究所南京 210016 南京电子器件研究所南京 210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京 210016

介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层硅衬底上进行了样品... 详细信息

介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层硅衬底上进行了样品的研制.样品取得了良好的测试结果,其中通带内的插入损耗小于1.2dB,通带回波损耗小于10.9dB.

关键词：高通滤波器小型化设计立体布线通孔方式

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高速InP基电光调制器和光电探测器

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固体电子学研究与进展 2019年第4期39卷 F0003-F0003页

作者：钱广李冠宇牛斌周奉杰顾晓文孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

南京电子器件研究所开发了76.2mm(3英寸)InP基电光调制器和光电探测器圆片工艺,所研制器件工作于1550nm波段。电光调制器如图1(a)所示,带宽达40GHz[如图1(b)所示],半波电压1.8V,消光比大于20dB。光电探测器如图2(a)所示,带宽达40GHz以上... 详细信息

南京电子器件研究所开发了76.2mm(3英寸)InP基电光调制器和光电探测器圆片工艺,所研制器件工作于1550nm波段。电光调制器如图1(a)所示,带宽达40GHz[如图1(b)所示],半波电压1.8V,消光比大于20dB。光电探测器如图2(a)所示,带宽达40GHz以上[如图2(b)所示],响应度为0.3A/W,暗电流为45nA。

关键词：光电探测器电光调制器 InP基南京电子器件研究所半波电压消光比响应度暗电流

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f_T=11THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管

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固体电子学研究与进展 2019年第6期39卷 F0003-F0003页

作者：牛斌范道雨代鲲鹏林罡王维波陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

南京电子器件研究所突破了T型阳极肖特基接触工艺、低势垒器件钝化保护、大长宽比阳极空气桥制备等关键技术,实现了截止频率fT达11 THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管研制,如图1所示。表1列出了不同工艺的太赫兹检波二极管核心参数对... 详细信息

南京电子器件研究所突破了T型阳极肖特基接触工艺、低势垒器件钝化保护、大长宽比阳极空气桥制备等关键技术,实现了截止频率fT达11 THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管研制,如图1所示。表1列出了不同工艺的太赫兹检波二极管核心参数对比,本文报道的阳极直径1μm的InGaAs SBD势垒高度仅为0.15 V。由零偏结电容及总电容推算的器件截止频率达11.0 THz/7.7 THz。

关键词：检波二极管截止频率肖特基接触结电容太赫兹空气桥势垒高度 InGaAs

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基于InP HBT工艺的12位8GSps超高速数模转换器设计

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电子元件与材料 2018年第1期37卷 77-83页

作者：叶庆国张有涛李晓鹏张翼南京电子器件研究所江苏南京210016 南京国博电子有限公司江苏南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京邮电大学电子科学与工程学院江苏南京210046 东南大学毫米波国家重点实验室江苏南京210096

设计了一种基于0.7μm的In P HBT工艺设计的12位8GSps的电流舵型数模转换器(DAC)。采用双采样技术,将输出采样率提高为时钟频率的两倍。并且将双采样开关与电流开关分离以减小码间串扰。借鉴常开电流源法改进了电流源开关结构。新的结... 详细信息

设计了一种基于0.7μm的In P HBT工艺设计的12位8GSps的电流舵型数模转换器(DAC)。采用双采样技术,将输出采样率提高为时钟频率的两倍。并且将双采样开关与电流开关分离以减小码间串扰。借鉴常开电流源法改进了电流源开关结构。新的结构增大了输出阻抗和稳定性,抑制了谐波失真,提高了芯片动态性能。通过仿真结果得到,这款芯片功耗2.45 W,实现了0.4 LSB的微分非线性误差(DNL)和0.35 LSB的积分非线性误差(INL)。低频下无杂散动态范围(SFDR)为71.53 d Bc,信号频率接近奈奎斯特频率时最差的SFDR为50.54 d Bc。在整个第一奈奎斯特域内,SFDR都大于50 d Bc,满足高端测试仪器的应用要求。

关键词：超高速数模转换器 InPHBT 双采样技术无杂散动态范围总谐波失真(THD) 电流舵

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