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  • 265 篇 电子文献
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  • 1 篇 中国科学院大学

作者

  • 60 篇 陈堂胜
  • 53 篇 李忠辉
  • 45 篇 孔月婵
  • 31 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 张有涛
  • 27 篇 董逊
  • 24 篇 张东国
  • 24 篇 朱健
  • 23 篇 彭大青
  • 22 篇 薛舫时
  • 22 篇 陶洪琪
  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 16 篇 李亮
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 郁元卫
  • 14 篇 罗伟科
  • 13 篇 牛斌

语言

  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是221-230 订阅
排序:
4 bit DRFM用相位量化ADC及DAC
收藏 引用
固体电子研究与进展 2012年 第2期32卷 F0003-F0003页
作者: 张敏 张有涛 李晓鹏 钱峰 陈辰 南京电子器件研究所 南京210016 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
数字射频存储器(DRFM)基于高速采样和数字存储技术,能够对射频和微波信号进行存储及再现。相位量化DRFM的核心部件是模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC),其性能直接决定了DRFM系统的关键参数瞬时带宽。电子器件研究所研制成功... 详细信息
来源: 评论
基于0.5μm InP DHBT工艺的100GHz+静态及动态分频器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2016年 第4期36卷 347-页
作者: 程伟 张有涛 王元 牛斌 陆海燕 常龙 谢俊领 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
针对超高速数模混合电路方面的应用,电子器件研究所开发了76.2 mm(3英寸)0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,可实现3层布线,工艺剖面图及器件性能如图1示。采用该工艺研制出114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频... 详细信息
来源: 评论
51级E/D模AlGaN/GaN HEMT集成环形振荡器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2013年 第3期33卷 F0003-F0003页
作者: 孔月婵 周建军 孔岑 董逊 张有涛 陆海燕 陈堂胜 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
电子器件研究所基于76.2mm(3英寸)GaNHEMT圆片工艺,通过E模器件和E/D集成技术,在国内率先实现了5l级GaNE/D集成环形振荡器,工作电压为6V时振荡频率达404MHz,级延时为24.3ps。
来源: 评论
GaAs pHEMT外延层转移技术研究
收藏 引用
固体电子研究与进展 2014年 第4期34卷 F0003-F0003页
作者: 赵岩 吴立枢 石归雄 程伟 栗锐 陈堂胜 陈辰 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
随着化合物半导体技术日益成熟,利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现SiCMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路/系统性能,既是技术发展的内在需也是后摩尔时代的必然趋势。
来源: 评论
InP太赫兹功率放大器芯片
收藏 引用
固体电子研究与进展 2018年 第6期38卷 F0003-F0003页
作者: 孙岩 程伟 陆海燕 王元 王宇轩 孔月婵 陈堂胜 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
太赫兹技术,作为改变未来世界的十大技术之一,具有非常大的技术潜力和应用前景。电子 器件研究所基于0.5μm InP DHBT工艺,研制出300GHz太赫兹功率放大器芯片。工作频率:282-315 GHz,小信号增益>15dB,293GHz时输出功率达到5 dBm... 详细信息
来源: 评论
超厚层4H-SiC同质外延材料
收藏 引用
固体电子研究与进展 2019年 第2期39卷 F0003-F0003页
作者: 李赟 李忠辉 赵志飞 王翼 周平 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
缺陷控制是4H-SiC同质外延的关键技术。在有的4H-SiC外延缺陷中,三角形缺陷对芯片性能的影响最为致命,而且三角形缺陷的尺寸随着4H-SiC外延层厚度的增加迅速增大,从而会导致外延片无缺陷面积急剧下降。因此对于厚层4H-SiC外延,控制三... 详细信息
来源: 评论
增强型硅基氮化镓p沟道晶体管器件
收藏 引用
固体电子研究与进展 2022年 第2期42卷 F0003-F0003页
作者: 王登贵 周建军 张凯 胡壮壮 孔月婵 陈堂胜 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
近来,集成栅极驱动器的商用氮化镓(GaN)功率IC已成功推向市场。与传统硅芯片采用的CMOS技术不同,GaN功率IC则是采用基于n沟道器件的直接耦合晶体管逻辑(DCFL)实现。在DCFL逻辑架构里,上拉网络中的耗尽型晶体管器件处于常开状态,当下... 详细信息
来源: 评论
高质量6英寸SiC基AlGaN/GaN HEMT外延材料
收藏 引用
固体电子研究与进展 2020年 第4期40卷 F0003-F0003页
作者: 杨乾坤 张东国 彭大青 李传皓 李忠辉 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
电子器件研究所基于国产半绝缘SiC衬底研制出了高质量152.4 mm (6英寸)GaN HEMT外延材料。采用高温成核层调制生长技术,有效降低了大尺寸GaN外延材料的位错密度和圆片翘曲度,并利用温流场调控技术,大幅提升了片内均匀性,突破了国产... 详细信息
来源: 评论
最高振荡频率416GHz的太赫兹InGaAs/InP DHBT
收藏 引用
固体电子研究与进展 2013年 第6期33卷 F0003-F0003页
作者: 程伟 王元 赵岩 陆海燕 牛斌 高汉超 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
太赫兹技术(300GHz~3THz)在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有高截止频率、高击穿电压、高器件一致性、低l/f噪声等优点,非常适合于太赫兹单片集成功率放大器... 详细信息
来源: 评论
f_T/f_(max)>230/290GHZ的超薄势垒InAlGaN/AlN/GaN HEMTs
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固体电子研究与进展 2016年 第2期36卷 171-页
作者: 朱广润 张凯 孔月婵 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
氮化镓(GaN)材料具有大的禁带宽度、高击穿场强、高电子迁移率和高电子饱和速度等优良特性,不仅在微波大功率器件领域有广泛的应用,而且在超高频器件领域具备独特优势。电子器件研究所采用高极化强度的超薄InAlGaN势垒层形成InAlGaN... 详细信息
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