检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2012年第2期32卷 F0003-F0003页

作者：张敏张有涛李晓鹏钱峰陈辰南京电子器件研究所南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

数字射频存储器（DRFM）基于高速采样和数字存储技术,能够对射频和微波信号进行存储及再现。相位量化DRFM的核心部件是模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）,其性能直接决定了DRFM系统的关键参数瞬时带宽。南京电子器件研究所研制成功... 详细信息

数字射频存储器（DRFM）基于高速采样和数字存储技术,能够对射频和微波信号进行存储及再现。相位量化DRFM的核心部件是模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）,其性能直接决定了DRFM系统的关键参数瞬时带宽。南京电子器件研究所研制成功瞬时带宽500 MHz的4 bit相位量化ADC/DAC,LVDS数字接口,带内SFDR优于-30 dBc。4 bit相位量化ADC将模拟信号的相位等分为24个相位区间并对其进行量化,采用类Flash结构实现,最终输出8路与输入同频率且两两相差22.5°的等占空比方波。

关键词：相位量化 ADC 数字射频存储器 DAC 南京电子器件研究所数字存储技术 DRFM 瞬时带宽

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基于0.5μm InP DHBT工艺的100GHz+静态及动态分频器

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固体电子学研究与进展 2016年第4期36卷 347-页

作者：程伟张有涛王元牛斌陆海燕常龙谢俊领微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

针对超高速数模混合电路方面的应用,南京电子器件研究所开发了76.2 mm(3英寸)0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,可实现3层布线,工艺剖面图及器件性能如图1所示。采用该工艺研制出114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频... 详细信息

针对超高速数模混合电路方面的应用,南京电子器件研究所开发了76.2 mm(3英寸)0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,可实现3层布线,工艺剖面图及器件性能如图1所示。采用该工艺研制出114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频器。图2为静态分频器及动态分频器实测结果。

关键词：分频器 Hz InP DHBT 数模混合电路器件性能截止频率

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51级E/D模AlGaN/GaN HEMT集成环形振荡器

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固体电子学研究与进展 2013年第3期33卷 F0003-F0003页

作者：孔月婵周建军孔岑董逊张有涛陆海燕陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）GaNHEMT圆片工艺，通过E模器件和E／D集成技术，在国内率先实现了5l级GaNE／D集成环形振荡器，工作电压为6V时振荡频率达404MHz，级延时为24．3ps。

关键词：环形振荡器集成技术南京电子器件研究所振荡频率工作电压圆片

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GaAs pHEMT外延层转移技术研究

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固体电子学研究与进展 2014年第4期34卷 F0003-F0003页

作者：赵岩吴立枢石归雄程伟栗锐陈堂胜陈辰微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

随着化合物半导体技术日益成熟，利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现SiCMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路／系统性能，既是技术发展的内在需求也是后摩尔时代的必然趋势。

关键词：半导体技术外延层转移化合物半导体集成技术晶体管芯片

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InP太赫兹功率放大器芯片

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固体电子学研究与进展 2018年第6期38卷 F0003-F0003页

作者：孙岩程伟陆海燕王元王宇轩孔月婵陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

太赫兹技术,作为改变未来世界的十大技术之一,具有非常大的技术潜力和应用前景。南京电子器件研究所基于0.5μm InP DHBT工艺,研制出300GHz太赫兹功率放大器芯片。工作频率:282-315 GHz,小信号增益>15dB,293GHz时输出功率达到5 dBm... 详细信息

太赫兹技术,作为改变未来世界的十大技术之一,具有非常大的技术潜力和应用前景。南京电子器件研究所基于0.5μm InP DHBT工艺,研制出300GHz太赫兹功率放大器芯片。工作频率:282-315 GHz,小信号增益>15dB,293GHz时输出功率达到5 dBm,芯片面积2.3 mm×0.9mm。图1和图2 分别展示了芯片的实物照片和测试结果。

关键词：功率放大器芯片面积太赫兹 InP HBT工艺小信号增益工作频率输出功率

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超厚层4H-SiC同质外延材料

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固体电子学研究与进展 2019年第2期39卷 F0003-F0003页

作者：李赟李忠辉赵志飞王翼周平南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

缺陷控制是4H-SiC同质外延的关键技术。在所有的4H-SiC外延缺陷中,三角形缺陷对芯片性能的影响最为致命,而且三角形缺陷的尺寸随着4H-SiC外延层厚度的增加迅速增大,从而会导致外延片无缺陷面积急剧下降。因此对于厚层4H-SiC外延,控制三... 详细信息

缺陷控制是4H-SiC同质外延的关键技术。在所有的4H-SiC外延缺陷中,三角形缺陷对芯片性能的影响最为致命,而且三角形缺陷的尺寸随着4H-SiC外延层厚度的增加迅速增大,从而会导致外延片无缺陷面积急剧下降。因此对于厚层4H-SiC外延,控制三角形缺陷密度至关重要。南京电子器件研究所追踪衬底/外延层界面处的缺陷转化信息,分析了三角形缺陷的主要成因,并通过优化衬底刻蚀时间及温度,有效消除由于衬底表面加工损伤引入的三角形成核几率。

关键词： 4H-SiC 外延材料厚层南京电子器件研究所缺陷控制三角形同质外延芯片性能

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增强型硅基氮化镓p沟道晶体管器件

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固体电子学研究与进展 2022年第2期42卷 F0003-F0003页

作者：王登贵周建军张凯胡壮壮孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

近来,集成栅极驱动器的商用氮化镓(GaN)功率IC已成功推向市场。与传统硅芯片所采用的CMOS技术不同,GaN功率IC则是采用基于n沟道器件的直接耦合晶体管逻辑(DCFL)实现。在DCFL逻辑架构里,上拉网络中的耗尽型晶体管器件处于常开状态,当下... 详细信息

近来,集成栅极驱动器的商用氮化镓(GaN)功率IC已成功推向市场。与传统硅芯片所采用的CMOS技术不同,GaN功率IC则是采用基于n沟道器件的直接耦合晶体管逻辑(DCFL)实现。在DCFL逻辑架构里,上拉网络中的耗尽型晶体管器件处于常开状态,当下拉网络开启时,整个电路系统会产生大量的静态功耗。为充分发挥GaN技术的潜力,实现GaN互补逻辑电路的研制,亟需开发高性能增强型GaN p沟道晶体管制备技术。

关键词： CMOS技术功率IC 逻辑电路直接耦合静态功耗栅极驱动器硅芯片 GaN

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高质量6英寸SiC基AlGaN/GaN HEMT外延材料

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固体电子学研究与进展 2020年第4期40卷 F0003-F0003页

作者：杨乾坤张东国彭大青李传皓李忠辉南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所基于国产半绝缘SiC衬底研制出了高质量152.4 mm (6英寸)GaN HEMT外延材料。采用高温成核层调制生长技术,有效降低了大尺寸GaN外延材料的位错密度和圆片翘曲度,并利用温流场调控技术,大幅提升了片内均匀性,突破了国产... 详细信息

南京电子器件研究所基于国产半绝缘SiC衬底研制出了高质量152.4 mm (6英寸)GaN HEMT外延材料。采用高温成核层调制生长技术,有效降低了大尺寸GaN外延材料的位错密度和圆片翘曲度,并利用温流场调控技术,大幅提升了片内均匀性,突破了国产半绝缘SiC衬底上高质量152.4 mm (6英寸)GaN HEMT外延材料制备关键技术。

关键词：外延材料 AlGaN/GaN 半绝缘圆片 HEMT 位错密度成核层翘曲度

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最高振荡频率416GHz的太赫兹InGaAs/InP DHBT

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固体电子学研究与进展 2013年第6期33卷 F0003-F0003页

作者：程伟王元赵岩陆海燕牛斌高汉超微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

太赫兹技术（300GHz～3THz）在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有高截止频率、高击穿电压、高器件一致性、低l／f噪声等优点，非常适合于太赫兹单片集成功率放大器... 详细信息

太赫兹技术（300GHz～3THz）在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有高截止频率、高击穿电压、高器件一致性、低l／f噪声等优点，非常适合于太赫兹单片集成功率放大器和频率源的研制。

关键词： InGaAs InP 最高振荡频率太赫兹 DHBT GHz 异质结双极型晶体管集成功率放大器 l f噪声

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f_T/f_(max)>230/290GHZ的超薄势垒InAlGaN/AlN/GaN HEMTs

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固体电子学研究与进展 2016年第2期36卷 171-页

作者：朱广润张凯孔月婵微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

氮化镓(GaN)材料具有大的禁带宽度、高击穿场强、高电子迁移率和高电子饱和速度等优良特性,不仅在微波大功率器件领域有广泛的应用,而且在超高频器件领域具备独特优势。南京电子器件研究所采用高极化强度的超薄InAlGaN势垒层形成InAlGaN... 详细信息

氮化镓(GaN)材料具有大的禁带宽度、高击穿场强、高电子迁移率和高电子饱和速度等优良特性,不仅在微波大功率器件领域有广泛的应用,而且在超高频器件领域具备独特优势。南京电子器件研究所采用高极化强度的超薄InAlGaN势垒层形成InAlGaN/AlN/GaN异质结构。

关键词：微波大功率极化强度电子迁移率势垒层 HZ f_T/f max 异质结构击穿场强氮化镓

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