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  • 265 篇 电子文献
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  • 1 篇 中国科学院大学

作者

  • 60 篇 陈堂胜
  • 53 篇 李忠辉
  • 45 篇 孔月婵
  • 31 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 张有涛
  • 27 篇 董逊
  • 24 篇 张东国
  • 24 篇 朱健
  • 23 篇 彭大青
  • 22 篇 薛舫时
  • 22 篇 陶洪琪
  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 16 篇 李亮
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 郁元卫
  • 14 篇 罗伟科
  • 13 篇 牛斌

语言

  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是221-230 订阅
排序:
BST片上压控电容及其模型
BST片上压控电容及其模型
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
作者: 孔岑 周建军 李辉 陆海燕 耿习娇 许晓军 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京 210016
在氮化镓外延材料上制作了金属-绝缘层-金属型钛酸锶钡薄膜压控电容.测试表明,该压控电容在0.1~15GHz的频率范围内具备压控调谐特性;根据测试结果建立了微波频段钛酸锶钡压控电容等效电路模型,模型与测试结果吻合.同批次制作的氮化镓H... 详细信息
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金辅助MBE法生长GaAs纳米线形貌研究
金辅助MBE法生长GaAs纳米线形貌研究
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第十届全国分子束外延学术会议
作者: 尹志军 高汉超 张朱峰 许晓军 李忠辉 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
本文讨论了金辅助的固态分子束外延生长GaAs纳米线过程中,衬底温度对以上参数的影响。本实验使用GaAsB面衬底,衬底经过清洁后放入一台电子束蒸发台淀积一层lnm厚的金膜,然后放入一台Veeco GENII分子束外延设备。衬底首先在As束流保... 详细信息
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51级E/D模AlGaN/GaN HEMT集成环形振荡器
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固体电子研究与进展 2013年 第3期33卷 F0003-F0003页
作者: 孔月婵 周建军 孔岑 董逊 张有涛 陆海燕 陈堂胜 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
电子器件研究所基于76.2mm(3英寸)GaNHEMT圆片工艺,通过E模器件和E/D集成技术,在国内率先实现了5l级GaNE/D集成环形振荡器,工作电压为6V时振荡频率达404MHz,级延时为24.3ps。
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最高振荡频率416GHz的太赫兹InGaAs/InP DHBT
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固体电子研究与进展 2013年 第6期33卷 F0003-F0003页
作者: 程伟 王元 赵岩 陆海燕 牛斌 高汉超 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
太赫兹技术(300GHz~3THz)在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有高截止频率、高击穿电压、高器件一致性、低l/f噪声等优点,非常适合于太赫兹单片集成功率放大器... 详细信息
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晶片级石墨烯射频场效应晶体管研制
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固体电子研究与进展 2013年 第5期33卷 封3页
作者: 吴云 周建军 霍帅 陆海燕 孔月婵 陈堂胜 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
石墨烯具有高电子迁移率和高热导率等优良特性,在毫米波、亚毫米波乃至太赫兹器件、超级计算机等方面具有广阔的应用前景.电子器件研究所成功在76.2 mm(3英寸)Si衬底上转移CVD法制备了石墨烯材料,并以自对准、Ti自氧化缓冲等工艺研... 详细信息
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用异质结构控制GaN阴极电子发射
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固体电子研究与进展 2012年 第6期32卷 517-523,560页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
从自洽解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了GaN异质结构上偏压变化时异质结电场的变化。发现异质结量子阱能把外电场屏蔽在异质界面以外。利用这种异质结量子阱的屏蔽效应,可以使外电场都降落在异质结表面来控制表面势。为了把表面电... 详细信息
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3D堆叠技术及TSV技术
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固体电子研究与进展 2012年 第1期32卷 73-77,94页
作者: 朱健 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
介绍了3D堆叠技术及其发展现状,探讨了W2W(Wafer to wafer)及D2W(Die to wafer)等3D堆叠方案的优缺点,并重点讨论了垂直互连的穿透硅通孔TSV(Through silicon via)互连工艺的关键技术,探讨了先通孔、中通孔及后通孔的工艺流程及特点,介... 详细信息
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GaN HFET沟道中的强场峰和背势垒
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固体电子研究与进展 2012年 第3期32卷 203-210,214页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
研究了背势垒、场板电极、电流崩塌、短沟道效应及源-漏穿通等GaN HFET的热点课题及其关联。高漏压下沟道阱中的强场峰和背势垒的相互作用是决定上述热点课题的关键。介绍、分析了目前国外用Silvaco有限元经典模拟软件计算的结果,发现... 详细信息
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100nm GaAsMHEMT器件研制
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固体电子研究与进展 2012年 第6期32卷 548-550,589页
作者: 康耀辉 徐筱乐 高建峰 陈辰 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
应用电子束直写技术成功制作了栅长100nm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As GaAs MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件T形栅尺寸与工艺,从而减小了器件寄生参数,达到了... 详细信息
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MMIC高温工作加速寿命试验失效机理分析
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固体电子研究与进展 2012年 第6期32卷 542-547页
作者: 林罡 贾东铭 耿涛 黄念宁 徐波 薛静 高建峰 金毓铨 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
采用恒定功耗高温加速的试验方法,搭建了相关的试验系统,对高温工作寿命试验(HTOL)方法在功率GaAs MMIC领域的应用进行了一些探索。试验获得了对失效机理进行分析需的失效数,有样品的失效都是由同一原因引起的。通过监测数据和失效... 详细信息
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