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固体电子学研究与进展 2021年第5期41卷 F0003-F0003页

作者：吴云孙岩曹正义南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

石墨烯兼具高电子迁移率以及优良机械韧性的优点,石墨烯同柔性衬底的结合有望突破柔性电子高频化的技术瓶颈,推进柔性电子的在携式无线通讯、监护电子等方面的应用进程。然而,由于一直没找到合适的衬底以及兼容的集成工艺,柔性石墨烯器... 详细信息

石墨烯兼具高电子迁移率以及优良机械韧性的优点,石墨烯同柔性衬底的结合有望突破柔性电子高频化的技术瓶颈,推进柔性电子的在携式无线通讯、监护电子等方面的应用进程。然而,由于一直没找到合适的衬底以及兼容的集成工艺,柔性石墨烯器件特别是集成电路的研制一直受到限制。南京电子器件研究所结合硬质基板上石墨烯器件和电路的研制经验,选择具有原子级平整度、耐高温的云母片作为器件衬底,突破无损转移、自对准等技术挑战,成功制备了高性能的石墨烯FET器件和放大器MMIC [如图1(a)所示]。

关键词：柔性电子无线通讯柔性衬底高频化 MMIC 自对准集成电路柔性石墨

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基于外延层转移的GaAsPIN与Si异构集成技术

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固体电子学研究与进展 2014年第2期34卷 F0003-F0003页

作者：赵岩程伟吴立枢吴璟石归雄黄子乾微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所采用外延层转移技术在国内率先开展了晶体管级异构集成方嘶的研究，并于2013年突破了超薄外延层的剥离技术、异质圆片的键合技术等异构集成关键技术，成功地将3um厚的76．2mm（3英寸）GaAs外延层薄膜完整地剥离并转移... 详细信息

南京电子器件研究所采用外延层转移技术在国内率先开展了晶体管级异构集成方嘶的研究，并于2013年突破了超薄外延层的剥离技术、异质圆片的键合技术等异构集成关键技术，成功地将3um厚的76．2mm（3英寸）GaAs外延层薄膜完整地剥离并转移到Sj衬底上（如图1所示），

关键词：外延层转移集成技术异构集成南京电子器件研究所 Si 剥离技术键合技术晶体管

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220 GHz InP DHBT单片集成功率放大器

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固体电子学研究与进展 2018年第5期38卷 F0003-F0003页

作者：孙岩程伟陆海燕王元王宇轩孔月婵陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所开发了0．5μm InP DHBT工艺，器件截止频率达到500 GHz以上，击穿电压大干4V。基于该工艺，研制出220 GHz单片集成功率放大器，饱和输出功率20mW，功率增益大1：10dB。图1和图2分别展示了220 GHz功放的实物图和测试... 详细信息

南京电子器件研究所开发了0．5μm InP DHBT工艺，器件截止频率达到500 GHz以上，击穿电压大干4V。基于该工艺，研制出220 GHz单片集成功率放大器，饱和输出功率20mW，功率增益大1：10dB。图1和图2分别展示了220 GHz功放的实物图和测试结果。

关键词：集成功率放大器 GHz InP DHBT 南京电子器件研究所单片 HBT工艺饱和输出功率

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基于InP DHBT工艺的13 GHz 1:8量化降速电路

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固体电子学研究与进展 2016年第6期36卷 521-页

作者：程伟张有涛李晓鹏王元常龙谢俊领陆海燕微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有高截止频率、高击穿电压(相对Si及SiGe而言)及高器件一致性等优点,适合于超高速、大动态范围数模混合电路的研制,例如美国Keysight公司采样率高达160 GSa/s的数字示波器即采用InP DHBT超高速... 详细信息

磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有高截止频率、高击穿电压(相对Si及SiGe而言)及高器件一致性等优点,适合于超高速、大动态范围数模混合电路的研制,例如美国Keysight公司采样率高达160 GSa/s的数字示波器即采用InP DHBT超高速数模混合电路进行数据的采集与转换。

关键词： InP DHBT DHBT GHz 1

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300GHz InP DHBT单片集成放大器

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固体电子学研究与进展 2017年第4期37卷 F0003-F0003页

作者：孙岩程伟陆海燕王元常龙孔月婵陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

太赫兹技术在成像雷达以及宽带通信等领域具有广阔应用前景。太赫兹功率放大器是太赫兹系统的核心单元。磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压（相对Si／SiGe而言），适合于太赫兹功率放大器... 详细信息

太赫兹技术在成像雷达以及宽带通信等领域具有广阔应用前景。太赫兹功率放大器是太赫兹系统的核心单元。磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压（相对Si／SiGe而言），适合于太赫兹功率放大器的研制，例如美国Teledyne公司利用InP DHBT工艺研制T220GHz200mW的功率MMIC。

关键词： DHBT 单片集成放大器 InP 异质结双极型晶体管功率放大器 Si/SiGe 太赫兹宽带通信

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基于100mm国产SiC衬底高性能AlGaN/GaN异质结外延材料

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固体电子学研究与进展 2020年第1期40卷 F0003-F0003页

作者：张东国杨乾坤李忠辉彭大青李传皓罗伟科董逊南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所提出了一种"AlN表面原位图形化"技术,将AlN成核岛台阶化(图1),改善GaN缓冲层的外延生长模式,抑制GaN/AlN界面位错的生成以及纵向延伸,从而降低GaN缓冲层的穿透位错密度。另外,原位制备工艺容易实现,避免杂... 详细信息

南京电子器件研究所提出了一种"AlN表面原位图形化"技术,将AlN成核岛台阶化(图1),改善GaN缓冲层的外延生长模式,抑制GaN/AlN界面位错的生成以及纵向延伸,从而降低GaN缓冲层的穿透位错密度。另外,原位制备工艺容易实现,避免杂质引入,降低外延成本。采用该技术在100 mm国产高纯半绝缘SiC衬底上制备出1.8 μm厚高质量GaN HEMT外延材料,GaN缓冲层(002)和(102)面摇摆曲线半高宽分别达到56、147 arcsec(图2),与常规工艺相比位错密度降低80%,二维电子气室温迁移率达到2 300 cm^2/(V·s),材料结晶质量和电学特性获得显著提升。

关键词：外延材料 AlGaN/GaN 二维电子气缓冲层摇摆曲线外延生长半绝缘迁移率

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晶片级石墨烯射频场效应晶体管研制

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固体电子学研究与进展 2013年第5期33卷封3页

作者：吴云周建军霍帅陆海燕孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

石墨烯具有高电子迁移率和高热导率等优良特性,在毫米波、亚毫米波乃至太赫兹器件、超级计算机等方面具有广阔的应用前景.南京电子器件研究所成功在76.2 mm(3英寸)Si衬底上转移CVD法制备了石墨烯材料,并以自对准、Ti自氧化缓冲等工艺研... 详细信息

石墨烯具有高电子迁移率和高热导率等优良特性,在毫米波、亚毫米波乃至太赫兹器件、超级计算机等方面具有广阔的应用前景.南京电子器件研究所成功在76.2 mm(3英寸)Si衬底上转移CVD法制备了石墨烯材料,并以自对准、Ti自氧化缓冲等工艺研制出了石墨烯场效应晶体管(FET)器件.CVD法制备的石墨烯配合相应的转移方法可获得大面积高质量的石墨烯薄膜(图1).图2是所研制0.2μm栅长石墨烯器件的输出特性和小信号特性测试结果.100 μm栅宽器件在0.5 V漏压下获得漏电流为0.55 A/mm,跨导127 mS/mm,电流增益截止频率fΥ达到42 GHz.

关键词：晶片级石墨射频太赫兹器件亚毫米波高电子迁移率场效应晶体管小信号特性超级计算机转移优良特性应用前景输出特性截止频率工艺研制高热导率法制电子器件电流增益测试结果

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基于InP DHBT工艺的140～220GHz单片集成放大器

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固体电子学研究与进展 2015年第5期35卷 513-页

作者：程伟王元孙岩陆海燕常龙谢俊领牛斌微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。国外已研制出基于InP DHBT工艺的220 GHz、200 mW单片集成功率放大器以及700 mW功率放大模块。南京电子... 详细信息

磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。国外已研制出基于InP DHBT工艺的220 GHz、200 mW单片集成功率放大器以及700 mW功率放大模块。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺研制出140220 GHz单片集成放大器,该电路采用了功率增益截止频率(fmax)超过500 GHz的InP DHBT器件,如图1所示。测试结果表明,该电路在140 GHz、200 GHz以及220

关键词：单片集成 Hz InP DHBT 磷化铟截止频率圆片功率增益太赫兹亚毫米波

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InP HBT/Si CMOS 13 GSps 1:16异构集成量化降速芯片

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固体电子学研究与进展 2018年第1期38卷 F0003-F0003页

作者：吴立枢程伟张有涛王元李晓鹏陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所通过外延层转移的方法在国内首次实现了InPHBT与Si MOSFET两种晶体管的单片异构集成，突破了InP HBT外延层转移、三维高密度异构互联、异构集成电路设计等关键技术，研制出13GSps 1：16异构集成量化降速芯片，如图1... 详细信息

南京电子器件研究所通过外延层转移的方法在国内首次实现了InPHBT与Si MOSFET两种晶体管的单片异构集成，突破了InP HBT外延层转移、三维高密度异构互联、异构集成电路设计等关键技术，研制出13GSps 1：16异构集成量化降速芯片，如图1所示，共包含453个0．7μm InP HBT器件与1036个0．18μm Si MOSFET器件。

关键词： HBT器件异构集成 InP Si CMOS 芯片降速量化

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基于InP HBT工艺的超高速静态及动态分频器

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固体电子学研究与进展 2014年第6期34卷 F0003-F0003页

作者：程伟张有涛王元陆海燕赵岩杨乃彬微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76．2mm InP HBT圆片工艺，研制出60GHz静态分频器以及92GHz动态分频器。图1为静态... 详细信息

磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76．2mm InP HBT圆片工艺，研制出60GHz静态分频器以及92GHz动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～60GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～92GHz范围内实现二分频。

关键词：动态分频器 HBT工艺静态分频器超高速 InP 南京电子器件研究所异质结双极型晶体管电路应用

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