检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：王雯陈刚陈谷然李理南京电子器件研究所南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 210016

在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用，在小台面完成并且厚层介质掩膜生长后，为形成大台面而造成的套准精度的控制将严重影响SiC双台面结构的图形转移。... 详细信息

在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用，在小台面完成并且厚层介质掩膜生长后，为形成大台面而造成的套准精度的控制将严重影响SiC双台面结构的图形转移。由于台面线宽在微米量级，因此套准精度控制不好就会造成SiC器件的短路问题。本论文通过对厚层介质掩膜下小台面与其上大台面光刻套准精度的研究，得到了优化后的光刻条件，使大台面与小台面之间的图形转移偏移量由lOOnm降至20nm以内，刻蚀后形成的SiC大台面与小台面套准良好，用于自主外延的SiC片制作的相关器件得到了良好结果。

关键词：碳化硅半导体器件制造线宽双台面光刻工艺套准精度厚层介质

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76.2mm Si基AlGaN/GaN HEMT

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固体电子学研究与进展 2012年第4期32卷 F0003-F0003页

作者：倪金玉孔岑周建军李忠辉陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所采用含有双AIGaN过渡层的材料结构在76．2mm（3英寸）Si绀底上外延生长了厚度超过2μm的AIGaN／GaNHEMT材料（图1），材料表而光滑、无裂纹。通过外延材料结构和生长条件优化，

关键词： Si基南京电子器件研究所材料结构外延生长条件优化过渡层材料表

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0．15μm栅长Ka波段GaN功率HEMT器件

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固体电子学研究与进展 2012年第1期32卷 F0003-F0003页

作者：周建军董逊孔岑孔月婵李忠辉陈堂胜陈辰南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

宽带隙GaN基材料具有临界击穿场强高、峰值电子漂移速度高以及抗腐蚀、耐高温等优异的物理、化学性质，是研制高性能的固态毫米波器件的优选材料。AlGaN／GaNHEMT器件由于高浓度的二维电子气以及高的电子迁移率特性，使其在获得和GaAsPH... 详细信息

宽带隙GaN基材料具有临界击穿场强高、峰值电子漂移速度高以及抗腐蚀、耐高温等优异的物理、化学性质，是研制高性能的固态毫米波器件的优选材料。AlGaN／GaNHEMT器件由于高浓度的二维电子气以及高的电子迁移率特性，使其在获得和GaAsPHEMT同样频率特性的基础下可以获得更高的输出功率密度，

关键词： AlGaN/GaN HEMT器件功率密度 Ka波段电子迁移率频率特性毫米波器件二维电子气

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4 bit DRFM用相位量化ADC及DAC

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固体电子学研究与进展 2012年第2期32卷 F0003-F0003页

作者：张敏张有涛李晓鹏钱峰陈辰南京电子器件研究所南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

数字射频存储器（DRFM）基于高速采样和数字存储技术,能够对射频和微波信号进行存储及再现。相位量化DRFM的核心部件是模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）,其性能直接决定了DRFM系统的关键参数瞬时带宽。南京电子器件研究所研制成功... 详细信息

数字射频存储器（DRFM）基于高速采样和数字存储技术,能够对射频和微波信号进行存储及再现。相位量化DRFM的核心部件是模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）,其性能直接决定了DRFM系统的关键参数瞬时带宽。南京电子器件研究所研制成功瞬时带宽500 MHz的4 bit相位量化ADC/DAC,LVDS数字接口,带内SFDR优于-30 dBc。4 bit相位量化ADC将模拟信号的相位等分为24个相位区间并对其进行量化,采用类Flash结构实现,最终输出8路与输入同频率且两两相差22.5°的等占空比方波。

关键词：相位量化 ADC 数字射频存储器 DAC 南京电子器件研究所数字存储技术 DRFM 瞬时带宽

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重P型掺杂GaAsSb费米能级研究

重P型掺杂GaAsSb费米能级研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Hanehao Gao 高汉超 Zhijun Yin 尹志军 Wei Cheng 程伟 Yuan Wang 王元 Xiaojun Xu 许晓军 Zhonghui Li 李忠辉 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratorys Nanjing Electronic 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京 210016

重P型掺杂GaAsSb广泛用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。光荧光作为重要手段广泛用于研究重掺杂Ⅲ-Ⅴ族外延材料。本文通过光荧光方法研究了重掺杂GaAsSb费米能... 详细信息

重P型掺杂GaAsSb广泛用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。光荧光作为重要手段广泛用于研究重掺杂Ⅲ-Ⅴ族外延材料。本文通过光荧光方法研究了重掺杂GaAsSb费米能级与Sb组分的关系,由于费米能级与空穴有效质量mh和空穴态密度nh存在函数关系,通过荧光测量并计算了空穴有效质量mh和空穴态密度nh,研究结果表明,mh和nh共同主导了费米能级的变化。

关键词：化合物半导体基区材料重P型掺杂费米能级

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低真空条件下石墨烯薄膜的制备工艺研究

低真空条件下石墨烯薄膜的制备工艺研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Yun Li 李赟 Zhijun Yin 尹志军 Zhiming Zhu 朱志明 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanfing Electronic 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京 210016

本文利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子... 详细信息

本文利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子泵抽除,SiC衬底的有效碳化时间有限,实验发现热处理时间超过30分钟之后,石墨烯层数并无明显变化。进一步加长热处理时间,石墨烯样品中出现局部氢插入层。

关键词：石墨烯薄膜碳化硅衬底制备工艺性能评价低真空条件

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金属掩膜的碳化硅及介质的干法刻蚀研究

金属掩膜的碳化硅及介质的干法刻蚀研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Gang Chen 陈刚 Quanhui Wang 王泉慧 Li Li 李理 Haiqi Liu 刘海琪 Song Bai 柏松 Nanjing Electronic Devices Institute Sctence and Technology on Monolithic lntegrated Circuits and M 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室210016

在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀来说,有光刻胶(PR)、镍(Ni)、铝、二氧化硅(SiO2)介质等多种掩膜方法。其中,... 详细信息

在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀来说,有光刻胶(PR)、镍(Ni)、铝、二氧化硅(SiO2)介质等多种掩膜方法。其中,用Ni金属作为掩膜刻蚀SiC或介质易形成接近垂直的台阶,而采用光刻胶掩膜刻蚀SiC或介质则易形成缓坡台阶。本论文通过对Ni金属掩膜下采用ICP刻蚀SiC或介质的研究,得到了干法刻蚀SiC或介质的条件,形成的台阶接近垂直,刻蚀后的SiC表面光滑,SiC或介质与Ni的刻蚀比大于10：1。用于自主外延的SiC片制作的相关器件得到了良好结果。

关键词：半导体器件金属掩膜碳化硅干法刻蚀

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高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长

高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Liang Li 李亮 Zhonghui Li 李忠辉 Weike Luo 罗伟科 Xu Dong 董逊 Daqing Peng 彭大青 Dongguo Zhang 张东国微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanjing Electronics Device InstituteNaning210016 China

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面租... 详细信息

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面租糙度小于0.5nm,其位错密度低于l06cm-3。

关键词：半导体薄膜氮化镓同质外延金属有机化学气相沉积

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低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善

低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Dongguo Zhaang 张东国 Zhonghui Li 李忠辉 Daqing Peng 彭大青 Xun Dong 董逊 Liang Li 李亮 Jinyu Ni 倪金玉 Science and Technology of Monolithic Integrated and Modules Circuits Key Laboratory Nanjing Electronic Devices Institute Nanfing 210016 China 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京 210016

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发... 详细信息

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品2DEG的电子迁移率达到2110 cm2/V.s。

关键词：异质结半导体低温氮化镓插入层二维电子气性能改善电子迁移率

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原位钝化和催化剂钝化沟道阱能带计算

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固体电子学研究与进展 2011年第4期31卷 319-327页

作者：薛舫时南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

把Si3N4/AlGaN界面看成新的异质结,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,建立起原位钝化和CATCVD钝化异质结构的新能带模型。运用这一模型,研究了原位钝化和CATCVD钝化异质结沟道阱的电子气密度、能带结构和输运性能,解释了相应的实验结果。... 详细信息

把Si3N4/AlGaN界面看成新的异质结,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,建立起原位钝化和CATCVD钝化异质结构的新能带模型。运用这一模型,研究了原位钝化和CATCVD钝化异质结沟道阱的电子气密度、能带结构和输运性能,解释了相应的实验结果。在此基础上研究了这些新钝化异质结沟道阱能带的优化设计。优化设计的钝化复合势垒沟道阱电子气密度高达3.138×1013cm-2,而且沟道电子保持强量子限制,预期能达到高输运性能。讨论了运用这种钝化沟道阱来设计外沟道和二维异质结构、抑制电流崩塌的新课题。

关键词：原位钝化氮化硅催化剂化学气相淀积氮化硅氮化硅/半导体异质结铝镓氮/铝铟氮复合势垒能带剪裁动态电流崩塌模型二维异质结构

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