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  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是241-250 订阅
排序:
基于InP HBT工艺的100 GHz静态及动态分频器
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固体电子研究与进展 2015年 第4期35卷 F0003-F0003页
作者: 程伟 张有涛 王元 陆海燕 常龙 谢俊领 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
电子器件研究所基于76.2mm(3英寸)InP HBT圆片工艺,研制出最高工作频率达100GHz的静态分频器以及动态分频器。图1为静态分频器测试结果,此电路可在2~100GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果,此电路可在75~100GHz... 详细信息
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重P型掺杂GaAsSb费米能级研究
重P型掺杂GaAsSb费米能级研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Hanehao Gao 高汉超 Zhijun Yin 尹志军 Wei Cheng 程伟 Yuan Wang 王元 Xiaojun Xu 许晓军 Zhonghui Li 李忠辉 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratorys Nanjing Electronic 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京 210016
重P型掺杂GaAsSb广泛用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。光荧光作为重要手段广泛用于研究重掺杂Ⅲ-Ⅴ族外延材料。本文通过光荧光方法研究了重掺杂GaAsSb费米能... 详细信息
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基于InP HBT的SFDR>63 dB 12位6 GS/s高速数模转换器
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电子技术应用 2020年 第4期46卷 34-39页
作者: 王铭 张有涛 叶庆国 罗宁 李晓鹏 南京电子器件研究所 江苏南京210016 南京国博电子有限公司 江苏南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
基于0.7μm、ft=280 GHz的InP异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一款12位6 GS/s的电流舵型数模转换器(DAC)。通过改进电流源开关结构,增大了输出阻抗和稳定性;在DAC输出端引入去毛刺(Deglitch)电路,可以有效消除高速DAC开关切换期间产生... 详细信息
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低真空条件下石墨烯薄膜的制备工艺研究
低真空条件下石墨烯薄膜的制备工艺研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Yun Li 李赟 Zhijun Yin 尹志军 Zhiming Zhu 朱志明 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanfing Electronic 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京 210016
本文利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子... 详细信息
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金属掩膜的碳化硅及介质的干法刻蚀研究
金属掩膜的碳化硅及介质的干法刻蚀研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Gang Chen 陈刚 Quanhui Wang 王泉慧 Li Li 李理 Haiqi Liu 刘海琪 Song Bai 柏松 Nanjing Electronic Devices Institute Sctence and Technology on Monolithic lntegrated Circuits and M 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室210016
在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀来说,有光刻胶(PR)、镍(Ni)、铝、二氧化硅(SiO2)介质等多种掩膜方法。其中,... 详细信息
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垂直异质集成PIN超大功率限幅器MMIC技术
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固体电子研究与进展 2021年 第2期41卷 F0003-F0003页
作者: 彭龙新 戴家赟 王钊 贾晨阳 杨进 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
电子器件研究所首次提出了PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极大地提高了MMIC限幅器的耐功率。根据大功率要,确定了材料结... 详细信息
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InP DHBT Ka波段四通道发射芯片
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固体电子研究与进展 2020年 第5期40卷 F0003-F0003页
作者: 潘晓枫 刘尧 张宇辰 徐波 程伟 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
基于电子器件研究所开发的0.7μm InP DHBT工艺,研制了一款工作在Ka波段的四通道变频发射芯片。该款芯片集成四倍频、功分、放大、检波、温度传感及逻辑控制等功能。在输入功率-18 dBm条件下,实测30~40 GHz内四个通道的四倍频差分... 详细信息
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基于InP HBT工艺的50 Gb/s 1:4量化降速电路
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电子技术应用 2020年 第6期46卷 45-50页
作者: 周浩 张有涛 南京电子器件研究所 江苏南京210016 南京国博电子有限公司 江苏南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
基于电子器件研究所的0.7μm InP HBT工艺设计了一种数据转换速率达到50 Gb/s的1:4量化降速芯片。该芯片同时将前端高速高灵敏度比较器与一个1:4分接器集成到单芯片中,能够直接一次性实现对2~18 GHz带宽的模拟输入信号的可靠接收和... 详细信息
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Ku波段GaN T/R一体多功能MMIC的研制
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固体电子研究与进展 2016年 第3期36卷 257-页
作者: 彭龙新 任春江 戈勤 詹月 沈宏昌 李建平 彭建业 徐波 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
首次研制了国内第一块Ku波段GaN T/R一体多功能全单片芯片,该芯片集成了T/R的接收通道和发射通道。接收通道含功率输出开关、前级低噪声放大器、5位数字衰减器、后级低噪声放大器、小信号开关和5位数字移相器;发射通道含5位数字移相器... 详细信息
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多层集成电路中缺陷地引起的寄生基板模式
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太赫兹科学与电子信息学报 2022年 第6期20卷 626-630页
作者: 侯彦飞 王伯武 于伟华 程伟 孙岩 北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室 北京100081 北京无线电测量研究所 北京100854 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
针对多层集成电路中由于共地面开窗引起的寄模问题,通过对比“窗口遮挡”形式和多种背孔阵列抑制寄生模传播效果,发现“窗口遮挡”形式在有效抑制寄生模传播的同时会极大地增加电路损耗,存在最简背孔阵列可以达到抑制寄生模传播的效果... 详细信息
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