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作者

  • 60 篇 陈堂胜
  • 53 篇 李忠辉
  • 45 篇 孔月婵
  • 31 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 张有涛
  • 27 篇 董逊
  • 24 篇 张东国
  • 24 篇 朱健
  • 23 篇 彭大青
  • 22 篇 薛舫时
  • 22 篇 陶洪琪
  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 16 篇 李亮
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 郁元卫
  • 14 篇 罗伟科
  • 13 篇 牛斌

语言

  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是241-250 订阅
排序:
微米级线宽双台面套准精度的研究
微米级线宽双台面套准精度的研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: 王雯 陈刚 陈谷然 李理 南京电子器件研究所 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 210016
在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺,由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用,在小台面完成并且厚层介质掩膜生长后,为形成大台面而造成的套准精度的控制将严重影响SiC双台面结构的图形转移。... 详细信息
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76.2mm Si基AlGaN/GaN HEMT
收藏 引用
固体电子研究与进展 2012年 第4期32卷 F0003-F0003页
作者: 倪金玉 孔岑 周建军 李忠辉 陈堂胜 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
电子器件研究所采用含有双AIGaN过渡层的材料结构在76.2mm(3英寸)Si绀底上外延生长了厚度超过2μm的AIGaN/GaNHEMT材料(图1),材料表而光滑、无裂纹。通过外延材料结构和生长条件优化,
来源: 评论
0.15μm栅长Ka波段GaN功率HEMT器件
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固体电子研究与进展 2012年 第1期32卷 F0003-F0003页
作者: 周建军 董逊 孔岑 孔月婵 李忠辉 陈堂胜 陈辰 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
宽带隙GaN基材料具有临界击穿场强高、峰值电子漂移速度高以及抗腐蚀、耐高温等优异的物理、化学性质,是研制高性能的固态毫米波器件的优选材料。AlGaN/GaNHEMT器件由于高浓度的二维电子气以及高的电子迁移率特性,使其在获得和GaAsPH... 详细信息
来源: 评论
4 bit DRFM用相位量化ADC及DAC
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固体电子研究与进展 2012年 第2期32卷 F0003-F0003页
作者: 张敏 张有涛 李晓鹏 钱峰 陈辰 南京电子器件研究所 南京210016 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
数字射频存储器(DRFM)基于高速采样和数字存储技术,能够对射频和微波信号进行存储及再现。相位量化DRFM的核心部件是模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC),其性能直接决定了DRFM系统的关键参数瞬时带宽。电子器件研究所研制成功... 详细信息
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重P型掺杂GaAsSb费米能级研究
重P型掺杂GaAsSb费米能级研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Hanehao Gao 高汉超 Zhijun Yin 尹志军 Wei Cheng 程伟 Yuan Wang 王元 Xiaojun Xu 许晓军 Zhonghui Li 李忠辉 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratorys Nanjing Electronic 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京 210016
重P型掺杂GaAsSb广泛用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。光荧光作为重要手段广泛用于研究重掺杂Ⅲ-Ⅴ族外延材料。本文通过光荧光方法研究了重掺杂GaAsSb费米能... 详细信息
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低真空条件下石墨烯薄膜的制备工艺研究
低真空条件下石墨烯薄膜的制备工艺研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Yun Li 李赟 Zhijun Yin 尹志军 Zhiming Zhu 朱志明 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanfing Electronic 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京 210016
本文利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子... 详细信息
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金属掩膜的碳化硅及介质的干法刻蚀研究
金属掩膜的碳化硅及介质的干法刻蚀研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Gang Chen 陈刚 Quanhui Wang 王泉慧 Li Li 李理 Haiqi Liu 刘海琪 Song Bai 柏松 Nanjing Electronic Devices Institute Sctence and Technology on Monolithic lntegrated Circuits and M 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室210016
在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀来说,有光刻胶(PR)、镍(Ni)、铝、二氧化硅(SiO2)介质等多种掩膜方法。其中,... 详细信息
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高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长
高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Liang Li 李亮 Zhonghui Li 李忠辉 Weike Luo 罗伟科 Xu Dong 董逊 Daqing Peng 彭大青 Dongguo Zhang 张东国 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanjing Electronics Device InstituteNaning210016 China
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面租... 详细信息
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低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善
低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Dongguo Zhaang 张东国 Zhonghui Li 李忠辉 Daqing Peng 彭大青 Xun Dong 董逊 Liang Li 李亮 Jinyu Ni 倪金玉 Science and Technology of Monolithic Integrated and Modules Circuits Key Laboratory Nanjing Electronic Devices Institute Nanfing 210016 China 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京 210016
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发... 详细信息
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原位钝化和催化剂钝化沟道阱能带计算
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固体电子研究与进展 2011年 第4期31卷 319-327页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
把Si3N4/AlGaN界面看成新的异质结,自洽解薛定谔方程和泊松方程,建立起原位钝化和CATCVD钝化异质结构的新能带模型。运用这一模型,研究了原位钝化和CATCVD钝化异质结沟道阱的电子气密度、能带结构和输运性能,解释了相应的实验结果。... 详细信息
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